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Produits semi-conduurs discrètes (2287)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
NTE5212A	12.8800	RFQ	64	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud			10 W	Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5212a	EAR99	8541.10.0050	1																																		56 V	16 ohms
MMBTA56	0.1400	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs non conforme	2368 MBTA56	EAR99	8541.21.0095	1																													80 V	500 mA			100NA			Pnp	200 mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1v	50 MHz
MMBT2222A	0.1300	RFQ	21	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	2368-MMBT2222A	EAR99	8541.21.0095	1																													40 V	600 mA			10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300 MHz
NTE6038	16.5500	RFQ	40	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-5, Stud		Standard		Do-5	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte6038	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)																				400 V	1,4 V @ 60 A		10 ma @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	60A	-
NTE2311	18.1000	RFQ	264	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			150 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2311	EAR99	8541.29.0095	1																													450 V	15 A			500 µA			NPN	5V @ 2.4A, 12A	10 @ 8a, 5v	-
NTE37	5.1800	RFQ	643	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			100 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte37	EAR99	8541.29.0095	1																													140 V	12 A			100 µA			Pnp	1.1 V @ 500mA, 5A	60 @ 1A, 5V	15 MHz
NTE5303	1.6400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-ISIP		Standard		4 gorgée	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5303	EAR99	8541.10.0080	1																							1 V @ 8 A		5 µA à 1000 V		8 A				Monophasé	1 kv
NTE2355	0,8900	RFQ	900	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	NTE23		300 MW	To-92s	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2355	EAR99	8541.29.0095	1																													50 V	100 mA			500NA			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	50 @ 10mA, 5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
NTE5600	1.4600	RFQ	80	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				TO-126	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5600	EAR99	8541.10.0080	1	Célibataire			30 mA												Standard	25 V	4 A	2,5 V	30a @ 60hz	30 mA
NTE5657	3.6300	RFQ	30	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				To-92	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5657	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire			15 mA												Logique - Porte sensible	600 V	800 mA	2,2 V	8a @ 60hz	5 mA
NTE123AP-10	8.8200	RFQ	15	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte123ap-10	EAR99	8541.21.0095	1																													40 V	600 mA			100NA			NPN	750 MV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250 MHz
NTE5314	4.4200	RFQ	6	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 carrés		Standard		-	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5314	EAR99	8541.10.0080	1																							1.1 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 A				Monophasé	400 V
NTE2374	3.7500	RFQ	615	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2374	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			200 V	18A (TC)	10V	180MOHM @ 31A, 10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
NTE5218A	12.8800	RFQ	58	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud			10 W	Do-4	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5218a	EAR99	8541.10.0050	1																																		87 V	30 ohms
NTE2935	6.2600	RFQ	794	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 15 h	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte2935	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			500 V	6.2a (TC)	10V	850mohm @ 3.1a, 10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	± 30V	1550 pf @ 25 V	-	85W (TC)
NTE56015	5.0000	RFQ	56	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				À 220	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte56015	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire			50 mA												Standard	200 V	25 A	2,5 V	250a, 260a	50 mA
NTE5031A	0,7900	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5031a	EAR99	8541.10.0050	1																																		24 V	33 ohms
NTE5216ak	12.8800	RFQ	56	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud			10 W	Do-4	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5216ak	EAR99	8541.10.0050	1																																		75 V	22 ohms
NTE5220A	12.8800	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud			10 W	Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5220a	EAR99	8541.10.0050	1																																		100 V	40 ohms
NTE236	13.2700	RFQ	130	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			1.7W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte236	EAR99	8541.29.0095	1					12 dB																								25V	6A						NPN		90 @ 10mA, 12V	-			-
NTE5318	2.3100	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4-ISIP		Standard		4 gorgée	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5318	EAR99	8541.10.0080	1																							1 V @ 3 A		10 µA @ 200 V		4 A				Monophasé	200 V
NTE56022	44.4400	RFQ	52	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	Soutien	To-208aa, to-48-3, étalon				To-48 Stud isodé	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte56022	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire			60 mA												Standard	200 V	40 A	2,5 V	350A, 400A	50 mA
NTE5819	5.8600	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5819	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				200 V	1,4 V @ 12 A	400 ns	25 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
NTE5831	4.3700	RFQ	76	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		Do-4	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5831	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)																				50 V	1,2 V @ 3 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE5833	4.7300	RFQ	37	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		Do-4	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5833	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)																				100 V	1,2 V @ 3 A		10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE5035A	0,7900	RFQ	7	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5035a	EAR99	8541.10.0050	1																																		30 V	49 ohms
2N4403	0 1200	RFQ	42	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	2368-2n4403	EAR99	8541.21.0095	1																													40 V	600 mA			100NA			Pnp	750 MV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200 MHz
NTE16007	72.8000	RFQ	53	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	À 233aa, à 8-3			25 W	To-8	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte16007	EAR99	8541.29.0095	1																													55 V	3 A			15µA (ICBO)			NPN	750 MV @ 40mA, 750mA	35 @ 750mA, 4V	-
1N5238B	0 1200	RFQ	8244	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	-	télécharger	Rohs non conforme	2368-1n5238b	EAR99	8541.10.0050	1																									3 µA @ 6,5 V									8.7 V	8 ohms
NTE5222ak	12.8800	RFQ	17	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud			10 W	Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5222ak	EAR99	8541.10.0050	1																																		110 V	55 ohms