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Produits semi-conduurs discrètes (2287)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
MJ11028	13.4400	RFQ	499	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-	Par le trou	To-204ae			300 W	To-204 (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	2368-MJ11028	EAR99	8541.29.0095	1																													60 V	50 a						2MA				Npn - darlington	2,5 V @ 250mA, 25A	1000 @ 25A, 5V	-
NTE5048A	0,7900	RFQ	940	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5048a	EAR99	8541.10.0050	1																																					87 V	370 ohms
UF5401	0,5200	RFQ	588	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs non conforme	2368-UF5401	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				100 V	1 V @ 3 A	50 ns	10 µA à 100 V	-	3A	45pf @ 4v, 1mhz
NTE2417	0,6200	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	NTE24		200 MW	SOT-23	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte2417	EAR99	8541.21.0095	1																													50 V	100 mA						500NA				PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	50 @ 10mA, 5V	200 MHz	22 kohms	22 kohms
NTE5629	3.2000	RFQ	211	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 110 ° C	Par le trou	Onglet long à 202				To-202	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5629	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire			5 mA												Standard	400 V	4 A	2 V	40a @ 60hz	3 mA
NTE5342	-	RFQ	7457	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		175 ° C (TJ)	Terminal QC	4 carrés		Standard		-	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5342	EAR99	8541.10.0080	1																							1,2 V @ 20 A		10 µA @ 600 V		40 A				Monophasé	600 V
2N3390	0 2200	RFQ	7010	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs non conforme	2368-2n3390	EAR99	8541.21.0095	1																													25 V	500 mA						100NA (ICBO)				NPN	-	400 @ 2MA, 4,5 V	-
NTE5285A	26.8600	RFQ	37	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud			50 W	Do-5	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5285a	EAR99	8541.10.0050	1																																					100 V	20 ohms
UF5400	0,5000	RFQ	368	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs non conforme	2368-UF5400	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				50 V	1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-	3A	45pf @ 4v, 1mhz
NTE2937	2.0400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			350 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2937	EAR99	8541.29.0095	1			Canal p										5.5pf @ 10v																				30 V	20 mA @ 15 V	5 V @ 10 na				85 ohms
NTE6091	5.7200	RFQ	195	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	À 247-3		Schottky		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte6091	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				45 V	550 mV @ 20 A		100 mA @ 45 V	-65 ° C ~ 250 ° C	20A	-
NTE5829	14.0300	RFQ	44	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutenir de châssis	Ajustement de la presse		Standard		Ajustement de la presse	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5829	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)																				800 V	1 V @ 50 A		200 µA à 800 V	-65 ° C ~ 195 ° C	50A	-
MMBT918	0,3000	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			225mw	SOT-23-3	télécharger	Rohs non conforme	2368-MMBT918	EAR99	8541.21.0095	1					15 dB																								15V	50m										NPN		20 @ 3MA, 1V	600 MHz			6 dB à 60 MHz
1N5244B	0 1200	RFQ	5419	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	-	télécharger	Rohs non conforme	2368-1n5244b	EAR99	8541.10.0050	1																									100 na @ 10 V												14 V	15 ohms
NTE452	9.6600	RFQ	186	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can			300 MW	To-72	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte452	EAR99	8541.21.0095	1			Canal n			30 V							4pf @ 15v																				30 V	5 ma @ 15 V	6 V @ 1 na
NTE5328W	9.2400	RFQ	30	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4 carrés		Standard		-	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5328w	EAR99	8541.10.0080	1																							1,2 V @ 12,5 A		10 µA à 1000 V		25 A				Monophasé	1 kv
NTE2331	9.9800	RFQ	398	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			60 W	À 15 h	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2331	EAR99	8541.29.0095	1																													800 V	6 A						1 mA				NPN	5V @ 1A, 5A	8 @ 1A, 5V	-
NTE2376	12.0200	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2376	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			200 V	30a (TC)	10V	85MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 25 V	-	190W (TC)
NTE2379	4.3600	RFQ	22	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2379	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			600 V	6.2a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
NTE5823	8.1500	RFQ	34	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		Do-4	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5823	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				600 V	1,4 V @ 12 A	400 ns	25 µA à 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
MPSA64	0,3000	RFQ	304	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long			625 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs non conforme	2368-MPSA64	EAR99	8541.21.0095	1																													30 V	500 mA						100NA (ICBO)				PNP - Darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125 MHz
NTE5604	2.0400	RFQ	89	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				TO-126	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5604	EAR99	8541.10.0080	1	Célibataire			30 mA												Standard	300 V	4 A	2,5 V	30a @ 60hz	30 mA
NTE5330	5.4600	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-ISIP		Standard		4 gorgée	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5330	EAR99	8541.10.0080	1																							1 V @ 6 A		5 µA @ 600 V		6 A				Monophasé	600 V
MJ15003	7.0100	RFQ	98	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3			250 W	To-204 (to-3)	télécharger	Rohs3 conforme	2368-MJ15003	EAR99	8541.29.0095	1																													140 V	20 a						250 µA				NPN	1V @ 500mA, 5A	25 @ 5A, 2V	2 MHz
NTE5822	8.1500	RFQ	66	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5822	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				600 V	1,4 V @ 12 A	400 ns	25 µA à 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
2N4126	0 1200	RFQ	10	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	2368-2n4126	EAR99	8541.21.0095	1																													25 V	200 mA						50NA (ICBO)				Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	120 @ 2MA, 1V	250 MHz
NTE2394	13.1000	RFQ	20	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2394	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			500 V	14A (TC)	10V	400MOHM @ 7,9A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	180W (TC)
NTE56049	1.9300	RFQ	160	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				À 220	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte56049	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire			10 mA												Logique - Porte sensible	500 V	4 A	1,5 V	25a, 27a	5 mA
MMBT5551	0,2000	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs non conforme	2368 mmbt551	EAR99	8541.21.0095	1																													160 V	600 mA						50NA (ICBO)				NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	100 MHz
1N5240B	0 1200	RFQ	92	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	-	télécharger	Rohs3 conforme	2368-1n5240b	EAR99	8541.10.0050	1																									3 µA @ 8 V												10 V	17 ohms