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Produits semi-conduurs discrètes (2287)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Max	Courant - Hold (IH) (Max)	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Résistance @ si, f	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
1N5255B	0 1200	RFQ	108	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	-	télécharger	Rohs non conforme	2368-1N5255B	EAR99	8541.10.0050	1																												100 na @ 21 V									28 V	44 ohms
NTE30	18.0500	RFQ	37	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3		300 W	To-3	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte30	EAR99	8541.29.0095	1																																80 V	50 a			1 mA				Pnp	5V @ 10A, 50A	15 @ 25a, 2v	2 MHz
NTE6027	13.0200	RFQ	17	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-5, Stud	Standard		Do-5	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte6027	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																						160 V		1,4 V @ 60 A		10 ma @ 160 V	-65 ° C ~ 175 ° C	60A	-
NTE5326	7.2400	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Terminal QC	4 carrés	Standard		-	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5326	EAR99	8541.10.0080	1																										1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 600 V		25 A				Monophasé	600 V
1N5234B	0 1200	RFQ	606	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	-	télécharger	Rohs3 conforme	2368-1n5234b	EAR99	8541.10.0050	1																												5 µA @ 4 V									6.2 V	7 ohms
NTE5834	5.1000	RFQ	16	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud	Standard		Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5834	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																						200 V		1,2 V @ 3 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE533	23.0600	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutenir de châssis	Module	Standard		Module	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte533	EAR99	8541.10.0080	1		-																					Connexion de la Série de 3 paires		-				-
NTE56033	19.8400	RFQ	188	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Par le trou	À 218-3			À 218	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte56033	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire				80 mA												Standard	600 V	40 A	2,5 V	400A, 420A	50 mA
NTE553	0,9800	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-20 ° C ~ 60 ° C		Axial			-	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte553	EAR99	8541.10.0080	1				100 mA												150 MW															1,2pf @ 6v, 1MHz			Broche - simple	35V				1,2 ohm @ 2mA, 100mhz
MPSH17	0.1400	RFQ	8433	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long		350mw	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs non conforme	2368-MPSH17	EAR99	8541.21.0095	1						24 dB																										15V	-							NPN		25 @ 5mA, 10V	800 MHz	6 dB à 200mHz
NTE2375	10.4100	RFQ	215	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2375	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				100 V	41A (TC)	10V	55MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 25 V	-	230W (TC)
1N5237B	0 1200	RFQ	104	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	-	télécharger	Rohs non conforme	2368-1n5237b	EAR99	8541.10.0050	1																												3 µA @ 6,5 V									8.2 V	8 ohms
NTE464	17.8400	RFQ	40	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-72-3	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-72	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte464	EAR99	8541.29.0095	1			Canal p				25 V	10A	10V	600OHM @ 0A, 10V	5V @ 10A		± 30V	5000 pf @ 10 V	Standard	800mw (TC)
NTE532	23.0800	RFQ	13	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutenir de châssis	Module	Standard		Module	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte532	EAR99	8541.10.0080	1		-																					Connexion de la Série de 3 paires		-				-
NTE219	3.8600	RFQ	714	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3		115 W	To-3	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte219	EAR99	8541.29.0095	1																																60 V	15 A			700 µA				Pnp	3V @ 3.3A, 10A	20 @ 4A, 4V	2,5 MHz
NTE56060	5.0500	RFQ	21	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			À 220	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte56060	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire				30 mA												Standard	800 V	16 A	1,5 V	140a, 150a	35 mA
NTE56050	2.0500	RFQ	288	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			À 220	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte56050	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire				10 mA												Logique - Porte sensible	600 V	4 A	1,5 V	25a, 27a	5 mA
NTE391	2.6700	RFQ	19	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		80 W	To-3pn	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte391	EAR99	8541.29.0095	1																																100 V	10 a			700 µA				Pnp	4V @ 2,5A, 10A	40 @ 1A, 4V	3 MHz
NTE2376	12.0200	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2376	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				200 V	30a (TC)	10V	85MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 25 V	-	190W (TC)
NTE2379	4.3600	RFQ	22	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2379	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				600 V	6.2a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
NTE5823	8.1500	RFQ	34	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud	Standard		Do-4	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte5823	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						600 V		1,4 V @ 12 A	400 ns	25 µA à 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
MPSA64	0,3000	RFQ	304	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long		625 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs non conforme	2368-MPSA64	EAR99	8541.21.0095	1																																30 V	500 mA			100NA (ICBO)				PNP - Darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125 MHz
NTE5604	2.0400	RFQ	89	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			TO-126	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5604	EAR99	8541.10.0080	1	Célibataire				30 mA												Standard	300 V	4 A	2,5 V	30a @ 60hz	30 mA
NTE5330	5.4600	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-ISIP	Standard		4 gorgée	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5330	EAR99	8541.10.0080	1																										1 V @ 6 A		5 µA @ 600 V		6 A				Monophasé	600 V
NTE6074	13.3200	RFQ	204	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-5, Stud	Standard		Do-5	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte6074	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																						200 V		1,15 V @ 200 A		2 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 190 ° C	85a	-
MJ15003	7.0100	RFQ	98	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3		250 W	To-204 (to-3)	télécharger	Rohs3 conforme	2368-MJ15003	EAR99	8541.29.0095	1																																140 V	20 a			250 µA				NPN	1V @ 500mA, 5A	25 @ 5A, 2V	2 MHz
NTE5822	8.1500	RFQ	66	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-4, Stud	Standard		Do-4	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte5822	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						600 V		1,4 V @ 12 A	400 ns	25 µA à 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
2N4126	0 1200	RFQ	10	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		625 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	2368-2n4126	EAR99	8541.21.0095	1																																25 V	200 mA			50NA (ICBO)				Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	120 @ 2MA, 1V	250 MHz
NTE2394	13.1000	RFQ	20	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	2368-nte2394	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n				500 V	14A (TC)	10V	400MOHM @ 7,9A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	180W (TC)
NTE56049	1.9300	RFQ	160	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			À 220	télécharger	Rohs non conforme	2368-nte56049	EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire				10 mA												Logique - Porte sensible	500 V	4 A	1,5 V	25a, 27a	5 mA