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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
BTB41-800BRG	8.2800	RFQ	386	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	Top-3	BTB41				Top3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	30	Célibataire				80 mA														Standard	800 V	40 A	1,3 V	400A, 420A	50 mA
Std5n65m6	0,6486	RFQ	7192	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std5n65		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						650 V	4A (TC)	0v, 10v	1,3 ohm @ 2a, 10v	3,75 V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	± 25V	170 pf @ 100 V	-	45W (TC)
Bul510	2.2300	RFQ	76	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Bul510			100 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																			450 V	10 a		250 µA	NPN	1,5 V @ 1,25A, 5A	15 @ 1A, 5V	-
Bulb39d-1	-	RFQ	2383	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Bulbe39			70 W	D²pak	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																			450 V	4 A		100 µA	NPN	1,1 V @ 500mA, 2,5A	10 @ 10mA, 5V	-
TIP36CP	-	RFQ	7506	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	TIP36			125 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30																																			100 V	25 A		1 mA	Pnp	4V @ 5A, 25A	10 @ 15A, 4V	3 MHz
STPS40L15CT	2.5500	RFQ	943	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	À 220-3	STPS40		Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								1 paire la commune de cathode	15 V	20A	410 MV @ 19 A		6 Ma @ 15 V	125 ° C (max)
STB30NM60ND	-	RFQ	3406	Stmicroelectronics	FDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB30N		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						600 V	25a (TC)	10V	130 mohm @ 12,5a, 10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 25V	2800 pf @ 50 V	-	190W (TC)
Stn2ne10l	-	RFQ	3412	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	STN2N		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n						100 V	1.8A (TC)	5v, 10v	400mohm @ 1A, 10V	3V à 250µA	14 NC @ 5 V	± 20V	345 PF @ 25 V	-	2,5W (TC)
Std7nm60n	2.1700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std7nm60		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						600 V	5A (TC)	10V	900 mohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 25V	363 PF @ 50 V	-	45W (TC)
L6221cd013tr	-	RFQ	9505	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	20-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	L6221			-	20	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000																																			60V	1.2A		-	4 npn darlington (quad)	-	-	-
STTH3002PI	-	RFQ	6669	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	DOP3I-2 ISOLÉ (Plombs Droites)	STTH3002		Standard		Dop3i	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									200 V		1.05 V @ 30 A	50 ns	20 µA @ 200 V	175 ° C (max)	30A	-
SCTWA90N65G2V-4	38.0100	RFQ	2556	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sctwa90		Sicfet (carbure de silicium)		HIP247 ™ Longs	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	497-SCTWA90N65G2V-4	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n						650 V	119a (TC)		24MOHM @ 50A, 18V	5V @ 1MA	157 NC @ 18 V	+ 22V, -10V	3380 PF @ 400 V	-	565W (TC)
Bdx53bfp	-	RFQ	8809	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Bdx53			29 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																			80 V	8 A		500 µA	Npn - darlington	2V @ 12mA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
Bcy59ix	-	RFQ	6038	Stmicroelectronics	-	En gros	Obsolète		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	Bcy59			390 MW	À 18	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																																			45 V	200 mA		10na	NPN	700 mV à 2,5 mA, 100mA	180 @ 2MA, 5V	200 MHz
STP6NK90ZFP	3.3600	RFQ	954	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STP6NK90		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						900 V	5.8A (TC)	10V	2OHM @ 2,9A, 10V	4,5 V @ 100µA	60,5 NC @ 10 V	± 30V	1350 pf @ 25 V	-	30W (TC)
STL15N65M5	2.9400	RFQ	2	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL15		MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						650 V	10A (TC)	10V	375MOHM @ 5A, 10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 25V	816 pf @ 100 V	-	52W (TC)
Mais11a	-	RFQ	1144	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Mais11			83 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-12152	EAR99	8541.29.0095	50																																			450 V	5 a		1 mA	NPN	1,5 V @ 500mA, 2,5A	10 @ 500mA, 5V	-
Stf12pf06	-	RFQ	7092	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF12		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal p						60 V	8A (TC)	10V	200 mohm @ 10a, 10v	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	850 pf @ 25 V	-	225W (TC)
LET9045TR	-	RFQ	8770	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	80 V			Powerso-10rf Pad Exposé pour (2 leads FORMES)	Let9045	960 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Plomb Formé)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600				1 µA		300 mA	45W	18,5 dB																	-												28 V
SD1477	-	RFQ	6289	Stmicroelectronics	-	Plateau	Obsolète		200 ° C (TJ)	Support de surface	M111	SD1477			270W	M111	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25								6 dB																											18V	20A			NPN		10 @ 5a, 5v	-	-
STU150N3llh6	2.1400	RFQ	2	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tube	Obsolète		175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Stu150		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n						30 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	3,3MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	40 NC @ 4,5 V	± 20V	4040 PF @ 25 V	-	110W (TC)
Std90ns3llh7	-	RFQ	9992	Stmicroelectronics	Stripfet ™ H7	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std90		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						30 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	3,4 mohm @ 40a, 10v	1,2 V @ 1MA	13,7 NC @ 4,5 V	± 20V	2110 PF @ 25 V	Diode Schottky (Corps)	57W (TC)
STP7NM80	-	RFQ	3483	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP7N		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						800 V	6.5a (TC)	10V	1 05 ohm @ 3 25a, 10v	5V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 30V	620 pf @ 25 V	-	90W (TC)
Std9nm50n	1.5200	RFQ	250	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std9		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						500 V	5A (TC)	10V	790mohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 25V	570 pf @ 50 V	-	45W (TC)
T835T-8T	1.5600	RFQ	3	Stmicroelectronics	Snubberless ™	Tube	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	T835				À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				40 mA														Alternative - Snubberless	800 V	8 A	1,3 V	60a, 63a	35 mA
Bat41wfilm	-	RFQ	6919	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-70, SOT-323	BAT41		Schottky		SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																									100 V		1 V @ 200 mA		100 na @ 50 V	150 ° C (max)	200m	10pf @ 1v, 1MHz
ACS108-6SUF-T-T-TR	-	RFQ	4848	Stmicroelectronics	ACS ™ / ASD®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	3 Mo, plomb plat	ACS108				Smbflat-3l	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	5 000	Célibataire				25 mA														Logique - Porte sensible	600 V	800 mA	1 V	7.3a, 7.6a	10 mA
Z0405DE 1AA2	-	RFQ	3086	Stmicroelectronics	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	Onglet long à 202	Z0405				To-202	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	250	Célibataire				5 mA														Logique - Porte sensible	400 V	4 A	1,3 V	20A, 21A	5 mA
STW30N65M5	6.3400	RFQ	588	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW30		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n						650 V	22A (TC)	10V	139MOHM @ 11A, 10V	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 25V	2880 pf @ 100 V	-	140W (TC)
STP95N04	-	RFQ	2758	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP95		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5132-5	EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						40 V	80A (TC)	10V	6,5 mohm @ 40a, 10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 20V	2200 pf @ 25 V	-	110W (TC)