SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Actualiser Tension Tension - isolement Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
STP77N6F6 STMicroelectronics STP77N6F6 1.5200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP77N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 77a (TC) 10V 7MOHM @ 38,5A, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 80W (TC)
STD100N10F7 STMicroelectronics Std100n10f7 2.8800
RFQ
ECAD 26 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std100 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 80A (TC) 10V 8MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4369 PF @ 50 V - 120W (TC)
BD140-16 STMicroelectronics BD140-16 0,4200
RFQ
ECAD 2547 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 BD140 1,25 W SOT-32 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 80 V 1,5 A 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 40 @ 2v, 150mA -
STW25N80K5 STMicroelectronics STW25N80K5 6.5900
RFQ
ECAD 9365 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 19,5A (TC) 10V 260MOHM @ 19,5A, 10V 5V @ 100µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 100 V - 250W (TC)
STFW1N105K3 STMicroelectronics STFW1N105K3 2.5098
RFQ
ECAD 5044 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET Stfw1 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pf télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1050 V 1.4A (TC) 10V 11OHM @ 600mA, 10V 4,5 V @ 50µA 13 NC @ 10 V ± 30V 180 pf @ 100 V - 20W (TC)
STPS2200UF STMicroelectronics STPS2200UF 1.0800
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Do-221aa, plomb à plat smb STPS2200 Schottky Smbflat télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 5 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 800 mV @ 2 A 5 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C 2A -
STGW30H60DF STMicroelectronics STGW30H60DF -
RFQ
ECAD 9421 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW30 Standard 260 W À 247 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V 110 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 60 a 120 A 2,4 V @ 15V, 30A 350 µJ (ON), 400 µJ (OFF) 105 NC 50ns / 160ns
STGWT20V60DF STMicroelectronics Stgwt20v60df 3.1300
RFQ
ECAD 235 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 Standard 167 W To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15V 40 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20A 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) 116 NC 38ns / 149ns
STI20N65M5 STMicroelectronics Sti20n65m5 3.0100
RFQ
ECAD 4470 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Sti20 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 650 V 18A (TC) 10V 190MOHM @ 9A, 10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 25V 1434 PF @ 100 V - 130W (TC)
STGW40V60DLF STMicroelectronics Stgw40v60dlf 4.8700
RFQ
ECAD 417 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW40 Standard 283 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-13767-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10 ohms, 15v Arête du Champ de Tranché 600 V 80 A 160 A 2.3 V @ 15V, 40A 411µj (off) 226 NC - / 208ns
STP13N80K5 STMicroelectronics STP13N80K5 3.9100
RFQ
ECAD 495 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP13 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-13779-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 12A (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10v 5V @ 100µA 29 NC @ 10 V ± 30V 870 pf @ 100 V - 190W (TC)
STF100N10F7 STMicroelectronics STF100N10F7 2.7800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STF100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 45A (TC) 10V 8MOHM @ 22,5A, 10V 4,5 V @ 250µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4369 PF @ 50 V - 30W (TC)
STB13N80K5 STMicroelectronics STB13N80K5 4.5500
RFQ
ECAD 4066 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB13 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 800 V 12A (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10v 5V @ 100µA 29 NC @ 10 V ± 30V 870 pf @ 100 V - 190W (TC)
STL110N10F7 STMicroelectronics STL110N10F7 2.5800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL110 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 107a (TC) 10V 6MOHM @ 10A, 10V 4,5 V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 20V 5117 PF @ 50 V - 136W (TC)
STU10P6F6 STMicroelectronics Stu10p6f6 -
RFQ
ECAD 2036 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tube Obsolète 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Stu10p MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 60 V 10A (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10v 4V @ 250µA 6,4 NC @ 10 V ± 20V 340 PF @ 48 V - 35W (TC)
STB7ANM60N STMicroelectronics STB7ANM60N 1.6100
RFQ
ECAD 146 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ II Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Stb7 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 5A (TC) 10V 900 mohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250mA 14 NC @ 10 V ± 25V 363 PF @ 50 V - 45W (TC)
STFI15NM65N STMicroelectronics STFI15NM65N 2.5100
RFQ
ECAD 347 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK STFI15N MOSFET (Oxyde Métallique) I2pakfp (à 281) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 12A (TC) 10V 380MOHM @ 6A, 10V 4V @ 250µA 33,3 NC @ 10 V ± 25V 983 PF @ 50 V - 30W (TC)
STGP20V60F STMicroelectronics Stgp20v60f -
RFQ
ECAD 2243 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STGP20 Standard 167 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 15V Arête du Champ de Tranché 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20A 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) 116 NC 38ns / 149ns
STGWA40N120KD STMicroelectronics Stgwa40n120kd -
RFQ
ECAD 9704 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa40 Standard 240 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 30A, 10OHM, 15V 84 ns - 1200 V 80 A 120 A 3,85 V @ 15V, 30A 3,7mj (on), 5,7mj (off) 126 NC 48ns / 338ns
STD7N60M2 STMicroelectronics Std7n60m2 1.5900
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Plus Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std7n60 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 5A (TC) 10V 950mohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 8,8 NC @ 10 V ± 25V 271 PF @ 100 V - 60W (TC)
STPS30120CTN STMicroelectronics STPS30120CTN 2.6100
RFQ
ECAD 996 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète Par le trou À 220-3 STPS30120 Schottky À 220aB Les Pistes Étroites télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 120 V 15A 920 MV @ 15 A 15 µA à 120 V 175 ° C (max)
STTH60AC06CW STMicroelectronics STTH60AC06CW 3.8500
RFQ
ECAD 600 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif Par le trou À 247-3 STTH60 Standard À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-13993-5 EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 30A 1,75 V @ 30 A 40 ns 10 µA @ 600 V 175 ° C (max)
STTH30AC06CP STMicroelectronics STTH30AC06CP -
RFQ
ECAD 2027 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète Par le trou To-3pf STTH30 Standard To-3pf télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 15A 1,95 V @ 15 A 55 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
A1P35S12M3-F STMicroelectronics A1p35s12m3-f 53.3300
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Stmicroelectronics - Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module A1p35 250 W Standard ACEPACK ™ 1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 36 Onduleur Triphasé Arête du Champ de Tranché 1200 V 35 A 2,45 V @ 15V, 35A 100 µA Oui 2.154 NF @ 25 V
A2C25S12M3-F STMicroelectronics A2C25S12M3-F 68.5700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module A2C25 197 W Redredeur de pont en trois phases ACEPACK ™ 2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 18 ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE Arête du Champ de Tranché 1200 V 25 A 2,45 V @ 15V, 25A 100 µA Oui 1,55 nf @ 25 V
STBR3012WY STMicroelectronics STBR3012WY 3.2000
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 Tube Actif Par le trou DO-247-2 (Tête Droite) STBR3012 Standard Do-247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17097 EAR99 8541.10.0080 30 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,3 V @ 30 A 2 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
STBR6012WY STMicroelectronics STBR6012WY 5.9200
RFQ
ECAD 500 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 Tube Actif Par le trou DO-247-2 (Tête Droite) STBR6012 Standard Do-247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17098 EAR99 8541.10.0080 30 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,3 V @ 60 A 5 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 60A -
STIPN2M50-H STMicroelectronics Stipn2m50-h 7.7800
RFQ
ECAD 473 0,00000000 Stmicroelectronics SLLIMM ™ Tube Acheter la Dernière Par le trou Module 26-Powerdip (0,846 ", 21,48 mm) Mosfet Stipn2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 17 Onduleur Triphasé 2 A 500 V 1000vrms
STIPN2M50T-H STMicroelectronics Stipn2m50t-h 8.5700
RFQ
ECAD 458 0,00000000 Stmicroelectronics SLLIMM ™ Tube Actif Par le trou Module 26-Powerdip (0,846 ", 21,48 mm) Mosfet Stipn2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 17 Onduleur Triphasé 2 A 500 V 1000vrms
STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5 2.1600
RFQ
ECAD 182 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 Longs Longs, ipak, à 251ab STU6N90 MOSFET (Oxyde Métallique) Ipak (à 251) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17076 EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 900 V 6A (TC) 10V 1,1 ohm @ 3a, 10v 5V @ 100µA ± 30V - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock