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Produits semi-conduurs discrètes (6390)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Std1nk60-1 | 1.1000 |  | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Std1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 1A (TC) | 10V | 8,5 ohm @ 500mA, 10V | 3,7 V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 156 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STW31N65M5 | 4.9900 | | 6 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW31 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 22A (TC) | 10V | 148MOHM @ 11A, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 25V | 816 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STD95N04 | - | | 9651 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB7N52K3 | 1.6300 | | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Stb7n | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 525 V | 6A (TC) | 10V | 980MOHM @ 3.1A, 10V | 4,5 V @ 50µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 737 PF @ 100 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STL210N4F7AG | 2.4800 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 1,6MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STF11N65K3 | - | | 3082 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 10V | 850mohm @ 3,6a, 10v | 4,5 V @ 100µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1180 PF @ 50 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5819 | 0,3900 | | 86 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5819 | Schottky | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STF35N60DM2 | 6.0300 | | 280 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16358-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 28a (TC) | 10V | 110MOHM @ 14A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 25V | 2400 PF @ 100 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW70N60DM2 | 11.7600 | | 4646 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16345-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 66a (TC) | 10V | 42MOHM @ 33A, 10V | 5V @ 250µA | 121 NC @ 10 V | ± 25V | 5508 PF @ 100 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP4N150 | 6.4600 | | 2500 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP4N150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-5091-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1500 V | 4A (TC) | 10V | 7OHM @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STF130N10F3 | 3.4200 | | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ III | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 46A (TC) | 10V | 9.6MOHM @ 23A, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3305 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STU60N55F3 | - | | 9671 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ III | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU60N | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 10V | 8,5MOHM @ 32A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ferd30l60cts | 1.6700 | | 1572 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Ferd30 | Ferd (Diode de redressdeur d'effet de champion) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17694 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 15A | 545 MV @ 15 A | 820 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STS5PF20V | - | | 6377 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS5P | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 5A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 80mohm @ 2,5a, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 6 NC @ 2,5 V | ± 8v | 412 PF @ 15 V | - | 2,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STU6NF10 | - | | 5632 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU6NF10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 100 V | 6A (TC) | 10V | 250 mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STU16N65M2 | 2.4400 | | 4243 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Stu16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 10V | 360 MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19,5 NC @ 10 V | ± 25V | 718 PF @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Stgp20v60df | 3.0500 | | 5433 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STGP20 | Standard | 167 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13761-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 15V | 40 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 40 A | 80 A | 2.2V @ 15V, 20A | 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) | 116 NC | 38ns / 149ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Stgw60v60df | 5.7500 | | 9454 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW60 | Standard | 375 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13768-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60A, 4,7 ohms, 15v | 74 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 80 A | 240 A | 2.3V @ 15V, 60A | 750 µJ (ON), 550µJ (OFF) | 334 NC | 60ns / 208ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP60NF06L | 2.1500 | | 801 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 10v, 5v | 14MOHM @ 30A, 10V | 1V @ 250µA | 66 NC @ 4,5 V | ± 15V | 2000 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS20SM60D | 1.4700 | | 6 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Acheter la Dernière | Par le trou | À 220-2 | STPS20 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-12305 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 630 MV @ 20 A | 85 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW33N60DM2 | - | | 6950 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16353-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 24a (TC) | 10V | 130mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 25V | 1870 PF @ 100 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buv48a | 6.9500 | | 9452 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | BUV48 | 125 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 450 V | 15 A | 200 µA | NPN | 5V @ 2.4A, 12A | 8 @ 8a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW9NK70Z | - | | 1122 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW9N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 700 V | 7.5a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4a, 10v | 4,5 V @ 100µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1370 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB18N60M2 | 2.8400 | | 424 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II Plus | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | ± 25V | 791 PF @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STF4NK50ZD | - | | 3651 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF4N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-5107-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 2,7 ohm @ 1,5a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 310 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP28N60DM2 | 3,9000 | | 1550 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP28 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16348-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 160MOHM @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 100 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP4NK50ZD | - | | 7564 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP4N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 2,7 ohm @ 1,5a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 310 PF @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STF40NF06 | 1.5400 | | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Acheter la Dernière | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-4343-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 23A (TC) | 10V | 28MOHM @ 11.5A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 920 PF @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW29NK50ZD | - | | 8661 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW29N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 500 V | 29A (TC) | 10V | 130MOHM @ 14,5A, 10V | 4,5 V @ 150µA | 200 NC @ 10 V | ± 30V | 6450 pf @ 25 V | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SD4931 | 74.0316 | | 6897 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Actif | 200 V | M174 | SD4931 | 175 MHz | Mosfet | M174 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-10701 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 20A | 250 mA | 150W | 14,8 dB | - | 50 V |
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