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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BTA08-700BRG	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		BTA08				À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				50 mA																	Standard	700 V	8 A	1,3 V	80a, 84a	50 mA
Buld742ct4	1.1100	RFQ	8624	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Buld742			45 W	Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500																																										400 V	4 A		250 µA	NPN	1,5 V @ 1A, 3,5A	25 @ 800mA, 3V	-
STP4NK80ZFP	2.3200	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		STP4NK80		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n									800 V	3A (TC)	10V	3,5 ohm @ 1,5a, 10v	4,5 V @ 50µA	22,5 NC @ 10 V	± 30V	575 PF @ 25 V	-	25W (TC)
LET9045S	-	RFQ	2836	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	80 V			Powerso-10rf Pad Exposé de la		Let9045	960 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Tête Droite)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50				9A		300 mA	59W	17,5 dB																								-												28 V
STPS20SM60ST	-	RFQ	5093	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3		STPS20		Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																																60 V		630 MV @ 20 A		85 µA @ 60 V	150 ° C (max)	20A	-
TS110-8A1	0 7600	RFQ	105	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		TS110					télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500					12 mA																		800 V	1,25 A	800 mV	20A, 21A	100 µA	1,6 V	800 mA	1 µA	Porte sensible
Sti21n65m5	2.2448	RFQ	5840	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		Sti21		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n									650 V	17A (TC)	10V	179MOHM @ 8.5A, 10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 25V	1950 PF @ 100 V	-	125W (TC)
TN1625-600G	-	RFQ	1387	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		TN1625				D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50					40 mA																		600 V	16 A	1,3 V	190a, 200a	25 mA	1,6 V	10 a	5 µA	Norme de rénovation
STTH15S12D	1.7500	RFQ	5026	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	À 220-2		STTH15		Standard		À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-15567-5	EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																																1200 V		3.1 V @ 15 A	40 ns	10 µA à 1200 V	175 ° C (max)	15A	-
STW10NK60Z	4.2000	RFQ	236	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STW10		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n									600 V	10A (TC)	10V	750mohm @ 4.5a, 10v	4,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 30V	1370 pf @ 25 V	-	156W (TC)
SD2932BW	180 7559	RFQ	6316	Stmicroelectronics	-	Plateau	Actif				-		SD2932	-	-		-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	15	-			-			-	-																								-
STH15NB50FI	-	RFQ	6954	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	Isowatt-218-3		STH15N		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isowatt-218	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-2783-5	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n									500 V	10.5a (TC)	10V	360 MOHM @ 7,5A, 10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 30V	3400 pf @ 25 V	-	80W (TC)
X0402ne 1aa2	-	RFQ	1026	Stmicroelectronics	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	Onglet long à 202		X0402				To-202	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4506	EAR99	8541.30.0080	250					5 mA																		800 V	1,35 a	800 mV	30a, 33a	200 µA	1,8 V	900 mA	5 µA	Porte sensible
STW12NK90Z	6.2600	RFQ	6006	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STW12		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4421-5	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n									900 V	11a (TC)	10V	880mohm @ 5.5a, 10v	4,5 V @ 100µA	152 NC @ 10 V	± 30V	3500 pf @ 25 V	-	230W (TC)
STP90NF03L	1.8600	RFQ	6895	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP90		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n									30 V	90a (TC)	5v, 10v	6,5 mohm @ 45a, 10v	2,5 V @ 250µA	47 NC @ 5 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Std4nk60zt4	1,7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Std4nk60		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n									600 V	4A (TC)	10V	2OHM @ 2A, 10V	4,5 V @ 50µA	26 NC @ 10 V	± 30V	510 PF @ 25 V	-	70W (TC)
Z0103NA 2AL2	0,8700	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	Ruban de Coupé (CT)	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes		Z0103				To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 000	Célibataire				7 Ma																	Logique - Porte sensible	800 V	1 a	1,3 V	8a, 8.5a	3 mA
STB28N60M2	3.7900	RFQ	3995	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		STB28		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n									600 V	22A (TC)	10V	150 mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 25V	1440 pf @ 100 V	-	170W (TC)
Z0103DA 1AA2	-	RFQ	3340	Stmicroelectronics	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)		Z0103				To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500	Célibataire				7 Ma																	Logique - Porte sensible	400 V	1 a	1,3 V	8a, 8.5a	3 mA
STS20N3llh6	-	RFQ	7264	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		STS20		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n									30 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	4,7MOHM @ 10A, 10V	1V @ 250µA	17 NC @ 4,5 V	± 20V	1690 pf @ 25 V	-	2.7W (TC)
Std3ln80k5	1.5200	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Std3ln80		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n									800 V	2A (TC)	10V	3,25 ohm @ 1A, 10V	5V @ 100µA	2,63 NC @ 10 V	± 30V	102 PF @ 100 V	-	45W (TC)
Z0409MF 1AA2	-	RFQ	7997	Stmicroelectronics	-	Sac	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 202 pas d'Onglet		Z0409				To-202-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	250	Célibataire				10 mA																	Logique - Porte sensible	600 V	4 A	1,3 V	20A, 21A	10 mA
Std2hnk60z-1	1 5000	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		Std2hnk60		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n									600 V	2A (TC)	10V	4,8 ohm @ 1a, 10v	4,5 V @ 50µA	15 NC @ 10 V	± 30V	280 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Stgib15ch60ts-l	18.7000	RFQ	2684	Stmicroelectronics	SLLIMM ™	Tube	Actif			Par le trou	Module 26-Powerdip (1 134 ", 28,80 mm)	Igbt	STGIB15					télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	13	Onduleur Triphasé								20 a	600 V	1500 VRM
STW40N60M2-4	-	RFQ	4728	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STW40		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n									600 V	34A (TC)	10V	88MOHM @ 17A, 10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STPS40M120CTN	3.2900	RFQ	995	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3		STPS40		Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																															1 paire la commune de cathode	120 V	20A	790 MV @ 20 A		370 µA à 120 V	150 ° C (max)
STP16NF06L	1.3200	RFQ	379	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP16		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n									60 V	16A (TC)	10v, 5v	90MOHM @ 8A, 10V	2,5 V @ 250µA	10 nc @ 5 V	± 16V	345 PF @ 25 V	-	45W (TC)
STPS60L30CW	3.1700	RFQ	176	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3		STPS60		Schottky		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																															1 paire la commune de cathode	30 V	30A	460 MV @ 30 A		4 Ma @ 30 V	150 ° C (max)
Stwa68n60m6	11.4800	RFQ	53	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Stwa68		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 Pistes longs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n									600 V	63a (TC)	10V	41mohm @ 31,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	106 NC @ 10 V	± 25V	4360 PF @ 100 V	-	390W (TC)
STP110N10F7	2.8300	RFQ	9424	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP110		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13551-5	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n									100 V	110a (TC)	10V	7MOHM @ 55A, 10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 50 V	-	150W (TC)