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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C
Std96n3llh6	1.3200	RFQ	2983	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Actif	175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std96		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		30 V	80A (TC)	5,5 V, 10V	4.2MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	20 NC @ 4,5 V	± 20V	2200 pf @ 25 V	-	70W (TC)
STH260N6F6-2	4.7200	RFQ	2830	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STH260		MOSFET (Oxyde Métallique)		H2pak-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		60 V	180a (TC)	10V	2,4 mohm @ 60a, 10v	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	± 20V	11800 pf @ 25 V	-	300W (TC)
STW24NM60N	6.1000	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW24N		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		600 V	17A (TC)	10V	190MOHM @ 8A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 50 V	-	125W (TC)
STGW50HF60	6.0000	RFQ	408	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STGW50	Standard		284 W	À 247-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 30A, 10OHM, 15V																				-	600 V	110 A	130 A	1 45 V @ 15V, 30A	250 µJ (ON), 4,2MJ (OFF)	200 NC	50ns / 220ns
STTH16BC065CT	-	RFQ	8559	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-3	STTH16		Standard		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	650 V	16A	3,2 V @ 8 A	40 ns		-
STPS1H100AY	0,5200	RFQ	5	Stmicroelectronics	Q Automotive	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	DO-214AC, SMA	STPS1		Schottky		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														100 V		770 MV @ 1 A		4 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1A	-
STP260N6F6	-	RFQ	1000	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP260		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		60 V	120A (TC)	10V	3MOHM @ 60A, 10V	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	± 20V	11400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
STB18N55M5	-	RFQ	8003	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB18N		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		550 V	16A (TC)	10V	192MOHM @ 8A, 10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 25V	1260 pf @ 100 V	-	110W (TC)
STFI34N65M5	5.4900	RFQ	1	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK	STFI34N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	28a (TC)	10V	110MOHM @ 14A, 10V	5V @ 250µA	62,5 NC @ 10 V	± 25V	2700 pf @ 100 V	-	35W (TC)
STPSC6H065G-TR	2.9100	RFQ	1571	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STPSC6		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		D²pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)														650 V		1,75 V @ 6 A	0 ns	60 µA à 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	6A	300pf @ 0v, 1mhz
STTH60W03CW	3.0700	RFQ	600	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	STTH60		Standard		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	300 V	30A	1 45 V @ 30 A	25 ns	20 µA à 300 V	175 ° C (max)
STB31N65M5	2.3504	RFQ	8761	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB31		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		650 V	22A (TC)	10V	148MOHM @ 11A, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 25V	1865 PF @ 100 V	-	150W (TC)
STB34N65M5	6.5400	RFQ	5674	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB34		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		650 V	28a (TC)	10V	110MOHM @ 14A, 10V	5V @ 250µA	62,5 NC @ 10 V	± 25V	2700 pf @ 100 V	-	190W (TC)
Std3nm60n	1.2200	RFQ	6013	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std3		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		600 V	3.3A (TC)	10V	1,8 ohm @ 1,65a, 10v	4V @ 250µA	9,5 NC @ 10 V	± 25V	188 pf @ 50 V	-	50W (TC)
STF15N65M5	2.5400	RFQ	554	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF15		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	11a (TC)	10V	340mohm @ 5.5a, 10v	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 25V	816 pf @ 100 V	-	30W (TC)
STF18N65M5	-	RFQ	1871	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF18		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	15A (TC)	10V	220 mOhm @ 7,5a, 10v	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 25V	1240 PF @ 100 V	-	25W (TC)
STF57N65M5	11.1200	RFQ	5157	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF57		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	42A (TC)	10V	63MOHM @ 21A, 10V	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 25V	4200 pf @ 100 V	-	40W (TC)
STGFW30NC60V	6.4500	RFQ	279	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	Stgfw30	Standard		80 W	To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			390V, 20A, 3,3 ohms, 15v																				-	600 V	36 A	100 A	2,5 V @ 15V, 20A	220µJ (ON), 330 µJ (OFF)	100 NC	31ns / 100ns
STPS30M120SR	1.6900	RFQ	966	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	STPS30		Schottky		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														120 V		900 mV @ 30 A		275 µA à 120 V	150 ° C (max)	30A	-
STPS30SM120SR	1.9500	RFQ	990	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	STPS30		Schottky		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														120 V		950 MV @ 30 A		275 µA à 120 V	150 ° C (max)	30A	-
STW38N65M5	7.6200	RFQ	1092	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW38		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		650 V	30a (TC)	10V	95MOHM @ 15A, 10V	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	± 25V	3000 PF @ 100 V	-	190W (TC)
STPS160UY	1,3000	RFQ	6364	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	DO-214AA, SMB	STPS160		Schottky		PME	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														60 V		670 mV @ 1 a		4 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1A	-
STB32NM50N	4.2500	RFQ	5419	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB32		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		500 V	22A (TC)	10V	130MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	62,5 NC @ 10 V	± 25V	1973 PF @ 50 V	-	190W (TC)
STFI13N95K3	5.7000	RFQ	290	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK	STFI13N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		950 V	10A (TC)	10V	850mohm @ 5a, 10v	5V @ 100µA	51 NC @ 10 V	± 30V	1620 PF @ 100 V	-	40W (TC)
STFI4N62K3	1.2500	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK	STFI4N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		620 V	3.8A (TC)	10V	2OHM @ 1.9A, 10V	4,5 V @ 50µA	22 NC @ 10 V	± 30V	550 pf @ 50 V	-	25W (TC)
Sty105NM50N	25.7500	RFQ	3432	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sty105		MOSFET (Oxyde Métallique)		Max247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13290-5	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	110a (TC)	10V	22MOHM @ 52A, 10V	4V @ 250µA	326 NC @ 10 V	± 25V	9600 PF @ 100 V	-	625W (TC)
Sti18n65m5	4.1100	RFQ	348	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti18n		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	15A (TC)	10V	220 mOhm @ 7,5a, 10v	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 25V	1240 PF @ 100 V	-	110W (TC)
STL100N6LF6	3.4300	RFQ	825	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL100		MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n		60 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	4,5 mohm @ 11a, 10v	2,5 V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	8900 pf @ 25 V	-	4.8W (TC)
Bar18film	0,3700	RFQ	10	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Bar18		Schottky		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse														70 V		410 MV @ 1 mA		200 na @ 50 V	150 ° C (max)	70mA	2pf @ 0v, 1mhz
Ste250ns10	-	RFQ	8645	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Isotop	STE250		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		100 V	220A (TC)	10V	5,5 mohm @ 125a, 10v	4V @ 250µA	900 NC @ 10 V	± 20V	31000 pf @ 25 V	-	500W (TC)