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PRODUITS SEMI-CONDUCTURS DISTRETS (184)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S12010P | 13.9300 |  | 3811 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 110 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 37a | 765pf @ 0v, 1mhz | |
 | G5S6504Z | 3.1900 | | 1707 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15.45a | 181pf @ 0v, 1mhz | |
 | G3S12003H | 4.5600 | | 4100 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9A | 260pf @ 0v, 1MHz | |
 | G3S06505C | 4.3100 | | 3183 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22.6a | 424pf @ 0v, 1MHz |
2000+
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