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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	Type de transistor	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
IPB055N03LGATMA1	-	RFQ	1070	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB055N			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n						30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 30a, 10v	2,2 V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	3200 pf @ 15 V	-	68W (TC)
Ipp147n03l g	-	RFQ	1026	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 220-3	Ipp147n			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500	Canal n						30 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	14.7MOHM @ 20A, 10V	2,2 V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 20V	1000 pf @ 15 V	-	31W (TC)
Ipu060n03l g	-	RFQ	3721	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IPU060N			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 251-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500	Canal n						30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 30A, 10V	2,2 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 15 V	-	56W (TC)
Irfs5620pbf	-	RFQ	2922	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001565120	EAR99	8541.29.0095	50	Canal n						200 V	24a (TC)	10V	77,5 mohm @ 15a, 10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1710 PF @ 50 V	-	144W (TC)
Irfr4620pbf	-	RFQ	9622	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001557056	EAR99	8541.29.0095	75	Canal n						200 V	24a (TC)	10V	78MOHM @ 15A, 10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1710 PF @ 50 V	-	144W (TC)
Irf3515strlpbf	-	RFQ	9495	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète				Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800	Canal n						150 V	41A (TC)		45MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 250µA	107 NC @ 10 V		2260 pf @ 25 V	-
64-2105pbf	-	RFQ	7309	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF1404			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50	Canal n						40 V	75A (TC)	10V	3,7MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 20V	4340 PF @ 25 V	-	200W (TC)
Irfb4410zpbf	1.6600	RFQ	10	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 220-3	IRFB4410			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50	Canal n						100 V	97a (TC)	10V	9MOHM @ 58A, 10V	4V à 150µA	120 NC @ 10 V	± 20V	4820 PF @ 50 V	-	230W (TC)
Irfp4110pbf	4.9200	RFQ	3200	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 247-3	IRFP4110			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Canal n						100 V	120A (TC)	10V	4,5 mohm @ 75a, 10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	± 20V	9620 PF @ 50 V	-	370W (TC)
Irfp4310zpbf	4.8200	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 247-3	IRFP4310			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Canal n						100 V	120A (TC)	10V	6MOHM @ 75A, 10V	4V à 150µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6860 pf @ 50 V	-	280W (TC)
Irfu2607zpbf	-	RFQ	1103	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		Ipak (à-251aa)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001576352	EAR99	8541.29.0095	75	Canal n						75 V	42A (TC)	10V	22MOHM @ 30A, 10V	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	± 20V	1440 PF @ 25 V	-	110W (TC)
Irgi4061dpbf	-	RFQ	1744	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Par le trou	À 220-3		Standard			43 W	À 220ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			400V, 11A, 22OHM, 15V															60 ns	Tranché	600 V	20 a	40 A	1,59 V @ 15V, 11A	52µJ (ON), 231µJ (OFF)	35 NC	37ns / 111ns
Irgp30b120kdpbf	-	RFQ	9523	Infineon Technologies	-	Sac	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Par le trou	À 247-3	Irgp30	Standard			300 W	À 247AC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001546224	EAR99	8541.29.0095	400			600V, 25A, 5OHM, 15V															300 ns	NPT	1200 V	60 A	120 A	4V @ 15V, 60A	1 07MJ (ON), 1 49MJ (OFF)	169 NC	-
Irgps4067dpbf	-	RFQ	2178	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Par le trou	À 274aa		Standard			750 W	Super-247 ™ (à 274aa)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001536538	EAR99	8541.29.0095	25			400V, 120A, 4,7 ohms, 15v															130 ns	Tranché	600 V	240 A	360 A	2.05V @ 15V, 120A	5 75mJ (on), 3 43mJ (off)	240 NC	80ns / 190ns
PTFB191501FV1R250XTMA1	-	RFQ	1210	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V			Support de surface	2-flatpack, nageoirs en ête, à mariée	PTFB191501		1,99 GHz	LDMOS		H-37248-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250		-		1.2 A	150W	18 dB											-										30 V
PTFB211501FV1R250XTMA1	-	RFQ	4350	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V			Support de surface	2-flatpack, nageoirs en ête, à mariée	PTFB211501		2,17 GHz	LDMOS		H-37248-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250		-		1.2 A	40W	18 dB											-										30 V
BCV61BE6433HTMA1	0.1302	RFQ	9563	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	30V		Miroir Actual	Support de surface	À 253-4, à 253aa	BCV61					PG-SOT-143-3D	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000		100 mA																										2 npn, jonction de collection de base
Bsc0901nsiatma1	1.4500	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8-PowerTDFN	BSC0901			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG-TDSON-8-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	Canal n						30 V	28a (TA), 100A (TC)	4,5 V, 10V	2MOHM @ 30A, 10V	2,2 V @ 250µA	20 nc @ 15 V	± 20V	2600 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 69W (TC)
BSF030NE2LQXUMA1	-	RFQ	2768	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	3 WDSON	BSF030			MOSFET (Oxyde Métallique)		MG-WDSON-2, Canpak M ™	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	Canal n						25 V	24a (TA), 75A (TC)	4,5 V, 10V	3MOHM @ 30A, 10V	2V à 250µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 12 V	-	2.2W (TA), 28W (TC)
BSO200P03SHXUMA1	0,5126	RFQ	9183	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	BSO200			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG-DSO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal p						30 V	7.4a (TA)	10V	20MOHM @ 9.1A, 10V	1,5 V à 100 µA	54 NC @ 10 V	± 25V	2330 pf @ 25 V	-	1 56W (TA)
Ikd04n60rf	-	RFQ	7108	Infineon Technologies	Trenchstop®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ikd04n	Standard			75 W	PG à 252-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			400V, 4A, 43OHM, 15V															34 ns	Tranché	600 V	8 A	12 A	2,5 V @ 15V, 4A	110 µJ	27 NC	12NS / 116NS
IPB65R190CFDATMA1	2.0368	RFQ	7727	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IPB65R190			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n						650 V	17.5A (TC)	10V	190mohm @ 7,3a, 10v	4,5 V @ 730µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IPD100N04S402ATMA1	2.6300	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd100			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à252-3-313	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n						40 V	100A (TC)	10V	2MOHM @ 100A, 10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	± 20V	9430 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Ipd65r660cfdbtma1	-	RFQ	9895	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd65r			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n						650 V	6A (TC)	10V	660MOHM @ 2.1A, 10V	4,5 V @ 200µA	22 NC @ 10 V	± 20V	615 PF @ 100 V	-	62,5W (TC)
IPD90N04S405ATMA1	1.4700	RFQ	2	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd90			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à252-3-313	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n						40 V	86a (TC)	10V	5.2MOHM @ 86A, 10V	4V @ 30µA	37 NC @ 10 V	± 20V	2960 pf @ 25 V	-	65W (TC)
SGB07N120ATMA1	2.7031	RFQ	6161	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SGB07N	Standard			125 W	PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			800V, 8A, 47OHM, 15V																NPT	1200 V	16.5 A	27 A	3,6 V @ 15V, 8A	1MJ	70 NC	27NS / 440NS
SKB06N60ATMA1	-	RFQ	8352	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SKB06N	Standard			68 W	PG à263-3-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			400 V, 6A, 50OHM, 15V															200 ns	NPT	600 V	12 A	24 A	2,4 V @ 15V, 6A	215µJ	32 NC	25ns / 220ns
BFP420H6327XTSA1	0,6900	RFQ	24	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)		Support de surface	SC-82A, SOT-343	BFP420				160mw	PG-Sot343-3d	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000						21 dB														5V	35mA							NPN	60 @ 20mA, 4V	25 GHz	1,1 dB à 1,8 GHz
BSB280N15NZ3GXUMA1	1.3572	RFQ	5254	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	3 WDSON	BSB280			MOSFET (Oxyde Métallique)		MG-WDSON-2, Canpak M ™	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	Canal n						150 V	9A (TA), 30A (TC)	10V	28MOHM @ 30A, 10V	4V @ 60µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1600 PF @ 75 V	-	2.8W (TA), 57W (TC)
Bsc010ne2lsatma1	1.7200	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Support de surface	8-PowerTDFN	BSC010			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG-TDSON-8-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000	Canal n						25 V	39A (TA), 100A (TC)	4,5 V, 10V	1MOHM @ 30A, 10V	2V à 250µA	64 NC @ 10 V	± 20V	4700 PF @ 12 V	-	2.5W (TA), 96W (TC)