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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
Fs50r06w1e3b11boma1	44.7500	RFQ	24	Infineon Technologies	Easypack ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FS50R06		205 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	Onduleur Triphasé																				Arête du Champ de Tranché	600 V	70 A	1,9 V @ 15V, 50A	1 mA	Oui	3.1 NF @ 25 V
FS50R07N2E4BOSA1	-	RFQ	4183	Infineon Technologies	Econopack ™ 2	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	FS50R07		190 W	Standard	Module	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR DE PONT ACHET																				-	650 V	70 A	1,95 V @ 15V, 50A	1 mA	Oui	3.1 NF @ 25 V
FS50R12U1T4BPSA1	-	RFQ	8439	Infineon Technologies	Smartpack1	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FS50R12		250 W	Standard	Module	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30	Onduleur Triphasé																				Arête du Champ de Tranché	1200 V	90 A	2.15 V @ 15V, 50A	1 mA	Oui	100 pf @ 25 V
FS50R12W2T4B11BOMA1	64.2600	RFQ	15	Infineon Technologies	Easypack ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FS50R12		335 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Onduleur Triphasé																				Arête du Champ de Tranché	1200 V	83 A	2.15 V @ 15V, 50A	1 mA	Oui	2,8 nf @ 25 V
IRDM983-025MBTR	-	RFQ	4638	Infineon Technologies	Imotion ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				IRDM983					-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	SP001540372	OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000
2PS18012E44G40113NOSA1	-	RFQ	5751	Infineon Technologies	Primestack ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 60 ° C	Soutenir de châssis	Module	2PS18012		5600 W	Standard	Module	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8543.70.9860	1	Onduleur Triphasé																				-	1200 V	2560 A	-		Oui
6MS24017P43W39872NOSA1	-	RFQ	8724	Infineon Technologies	Modstack ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 55 ° C	Soutenir de châssis	Module	6MS24017		14500 W	Standard	Module	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8543.70.9860	1	Onduleur Triphasé																				-	1700 V	1100 A	-		Oui
BSM100GAL120DLCKHOSA1	-	RFQ	5137	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	BSM100		835 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Hélicoptère																				-	1200 V	205 A	2.6V @ 15V, 100A	5 mA	Non	6,5 nf @ 25 V
BSM100GB120DN2HOSA1	185.3680	RFQ	9504	Infineon Technologies	-	Plateau	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BSM100		800 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Demi-pont																				-	1200 V	150 a	3V @ 15V, 100A	2 mA	Non	6,5 nf @ 25 V
BSM100GD120DLCBOSA1	332.1020	RFQ	8391	Infineon Technologies	-	Plateau	Acheter la Dernière	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BSM100			Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	10	Célibataire																				NPT	1200 V	100 A	2.6V @ 15V, 100A	12,2 µA	Non	6,5 nf @ 25 V
BSM100GD120DN2BOSA1	414.8900	RFQ	2973	Infineon Technologies	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BSM100		680 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Onduleur Triphasé																				-	1200 V	150 a	3V @ 15V, 100A	2 mA	Non	6,5 nf @ 25 V
BSM15GP120BOSA1	-	RFQ	2575	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	BSM15GP120		180 W	Redredeur de pont en trois phases	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Achèvement Pont																				-	1200 V	35 A	2 55 V @ 15V, 15A	500 µA	Oui	1 nf @ 25 V
BSM200GA120DLCHOSA1	167.3260	RFQ	1735	Infineon Technologies	-	Plateau	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	BSM200		1450 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire																				-	1200 V	370 A	2.6V @ 15V, 200A	5 mA	Non	13 nf @ 25 V
BSM200GB120DLCHOSA1	239.6070	RFQ	7673	Infineon Technologies	-	Plateau	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	BSM200		1550 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Demi-pont																				-	1200 V	420 A	2.6V @ 15V, 200A	5 mA	Non	13 nf @ 25 V
BSM25GD120DN2BOSA1	144.1820	RFQ	9997	Infineon Technologies	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BSM25GD120		200 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Achèvement Pont																				-	1200 V	35 A	3V @ 15V, 25A	800 µA	Non	1,65 nf @ 25 V
BSM300GA170DLCHOSA1	-	RFQ	3059	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	BSM300		2520 W	Standard	Module	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire																				-	1700 V	600 A	3,2 V @ 15V, 300A	600 µA	Non	20 nf @ 25 V
BSM35GB120DN2HOSA1	-	RFQ	8314	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BSM35GB120		280 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Demi-pont																				-	1200 V	50 a	3,2 V @ 15V, 35A	1 mA	Non	2 nf @ 25 V
BSM75GAL120DN2HOSA1	-	RFQ	5287	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BSM75GAL120		625 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Commaileur unique																				-	1200 V	105 A	3V @ 15V, 75A	1,4 mA	Non	5,5 nf @ 25 V
BYM300A120DN2HOSA1	192.9200	RFQ	2842	Infineon Technologies	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BYM300		1000 W	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire																				-	1200 V	450 A	-		Non
BYM300B170DN2HOSA1	-	RFQ	1738	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	BYM300		20 MW	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	2 indépendant																				Arête du Champ de Tranché	650 V	40 A	1 55 V @ 15V, 25A	40 µA	Oui	2,8 nf @ 25 V
D1461S45TXPSA2	-	RFQ	6166	Infineon Technologies	-	Plateau	Abandonné à sic		Soutenir de châssis	DO00, Variante	D1461S45	Standard			BG-D10026K-1	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000096651	EAR99	8541.10.0080	2		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)															200 Ma @ 4500 V	-40 ° C ~ 140 ° C	1720a	-
D1600U45X122XPSA1	2 0000	RFQ	8058	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Do00ae	D1600U45	Standard			BG-D12026K-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)												4500 V	4.3 V @ 2500 A		150 mA @ 4500 V	140 ° C (max)	1560a	-
Ft150r12ke3gb4bdla1	-	RFQ	7148	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	Module	FT150R12		700 W	Standard	Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001505398	EAR99	8541.29.0095	24	3 indépendant																				-	1200 V	200 A	2.15V @ 15V, 150A	5 mA	Non	10,5 nf @ 25 V
Idd03sg60cxtma2	2.0500	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Idd03sg60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)												600 V	2.3 V @ 3 A	0 ns	15 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 1v, 1MHz
Idd09sg60cxtma2	3.8742	RFQ	9340	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Idd09sg60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)												600 V	2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	280pf @ 1v, 1MHz
IDH09SG60CXKSA2	4.0156	RFQ	8861	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Acheter la Dernière		Par le trou	À 220-2	IDH09SG60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky			PG à 220-2-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	500		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)												600 V	2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	280pf @ 1v, 1MHz
IPD80R2K0P7ATMA1	1.1100	RFQ	79	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd80r2	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	800 V	3A (TC)	10V	2OHM @ 940mA, 10V	3,5 V @ 50µA	9 NC @ 10 V	± 20V	175 PF @ 500 V	-	24W (TC)
IPD80R3K3P7ATMA1	0,3812	RFQ	6913	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ipd80r3	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	800 V	1.9A (TC)	10V	3,3 ohm @ 590mA, 10V	3,5 V @ 30µA	5,8 NC @ 10 V	± 20V	120 pf @ 500 V	-	18W (TC)
IPU80R3K3P7AKMA1	0,9000	RFQ	5249	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IPU80R3	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 251-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500			Canal n	800 V	1.9A (TC)	10V	3,3 ohm @ 590mA, 10V	3,5 V @ 30µA	5,8 NC @ 10 V	± 20V	120 pf @ 500 V	-	18W (TC)
IPU80R1K2P7AKMA1	0,6448	RFQ	7236	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IPU80R1	MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 251-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500			Canal n	800 V	4.5a (TC)	10V	1,2 ohm @ 1,7a, 10v	3,5 V @ 80µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 500 V	-	37W (TC)