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Produits semi-conduurs discrètes (16626)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUX20956 | - |  | 9846 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 45 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfc3710zeb | - | | 6685 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA192001EV4T350XWSA1 | - | | 8309 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000393368 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auxkng4ph50S-215 | - | | 1487 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | - | - | - | Auxkng4 | - | - | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001512066 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 400 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKB40N65EF5ATMA1 | 5.0200 | | 8020 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ 5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IKB40N65 | Standard | 250 W | PG à 263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400 V, 40A, 15OHM, 15V | 83 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 74 A | 160 A | 2.1V @ 15V, 40A | 420µJ (ON), 100µJ (OFF) | 95 NC | 22NS / 160NS | ||||||||||||||||||||||||||
| Imic36v01x6sa1 | - | | 4398 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Plateau | Obsolète | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001121572 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 36dn30elementEVXPSA1 | - | | 1723 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | En gros | Obsolète | 36dn30 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000609946 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D475N32BS20XPSA1 | - | | 5670 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Plateau | Obsolète | D475N3 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ika10n65et6xksa2 | 1.7300 | | 8 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Ika10n65 | Standard | 40 W | Pg à220-3-fp | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | SP001701334 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 8,5A, 47OHM, 15V | 51 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 15 A | 42,5 A | 1,9 V @ 15V, 8.5A | 200 µJ (ON), 70 µJ (OFF) | 27 NC | 30ns / 106ns | |||||||||||||||||||||||||
 | Bsc011n03lstatma1 | 2.9700 | | 5 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Bsc011 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-TDSON-8 FL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 39A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1.1MOHM @ 30A, 10V | 2V à 250µA | 48 NC @ 4,5 V | ± 20V | 6300 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IAUT260N10S5N019ATMA1 | 6.2800 | | 3 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersfn | Iat260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Pg-hsof-8-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 260A (TC) | 6v, 10v | 1,9MOHM @ 100A, 10V | 3,8 V @ 210µA | 166 NC @ 10 V | ± 20V | 11830 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IKFW50N60DH3XKSA1 | 8.3000 | | 1089 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ikfw50 | Standard | 145 W | Pg à247-3-ai | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 8OHM, 15V | 64 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 53 A | 160 A | 2.3 V @ 15V, 40A | 1,22 MJ (ON), 610 µJ (OFF) | 210 NC | 25NS / 212NS | ||||||||||||||||||||||||||
| Ipan70r750p7sxksa1 | 1.1600 | | 148 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Ipan70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-FP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 700 V | 6.5a (TC) | 10V | 750MOHM @ 1.4A, 10V | 3,5 V @ 70µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 16V | 306 PF @ 400 V | - | 20.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ipn80r2k4p7atma1 | 0,9000 | | 21 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Ipn80r2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-Sot223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 800 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,4 ohm @ 800mA, 10V | 3,5 V @ 40µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 20V | 150 pf @ 500 V | - | 6.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | 1.8200 | | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | IPN80R600 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-Sot223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 800 V | 8A (TC) | 10V | 600 mOhm @ 3,4a, 10v | 3,5 V @ 170µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 570 PF @ 500 V | - | 7.4W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BSC019N06NSATMA1 | 2.6600 | | 3 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | BSC019 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-TDSON-8 FL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 1 95 mohm @ 50a, 10v | 3,3 V @ 74µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 30 V | - | 136W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | D2700U45X122XOSA1 | 1 0000 | | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Do00ae | D2700U45 | Standard | BG-D12026K-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4500 V | 150 mA @ 4500 V | 140 ° C (max) | 2900A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP50R12N2T4B16BOSA1 | - | | 3053 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Abandonné à sic | - | - | - | FP50R12 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP75R12N2T4B16BOSA1 | - | | 5750 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Econopim ™ 2 | Plateau | Abandonné à sic | - | - | - | FP75R12 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS100R12N2T4PBPSA1 | 222.8620 | | 5066 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Econopack ™ 2 | Plateau | Actif | - | - | - | FS100R12 | - | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001622498 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS100R17N3E4PB11BPSA1 | 276.2367 | | 3696 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | - | - | - | FS100 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 6 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gateleadwh406xpsa1 | 29.6100 | | 1454 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | - | - | Gateleadwh406 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gateleadwhrd762xpsa1 | 29.6100 | | 6916 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | - | - | Gateleadwhrd762 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | 4.2400 | | 9502 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ 5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IKB30N65 | Standard | 188 W | PG à 263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400V, 30A, 13OHM, 15V | 75 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 62 A | 120 A | 1,7 V @ 15V, 30A | 560µJ (ON), 320µJ (OFF) | 70 NC | 17NS / 124NS | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ipw60r090cfd7xksa1 | 6.9100 | | 128 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ipw60r090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 90MOHM @ 11.4A, 10V | 4,5 V @ 570µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2103 PF @ 400 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IDDD04G65C6XTMA1 | 2.5300 | | 3 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd04 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 14 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 13A | 205pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Iddd08g65c6xtma1 | 4.1400 | | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd08 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 27 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 401pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IM818SCCXKMA1 | 44.1100 | | 1871 | 0,00000000 | Infineon Technologies | IM818-SCC | Tube | Actif | Par le trou | Module 24-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | IM818 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 14 | Onduleur Triphasé | 8 A | 1,2 kV | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R145CFD7ATMA1 | 3.8500 | | 9 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 252-4, DPAK (3 leads + onglet) | Ipd60r | MOSFET (Oxyde Métallique) | DPAK (à 252) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 16A (TC) | 10V | 145MOHM @ 6.8A, 10V | 4,5 V @ 340µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1330 pf @ 400 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ipp60r210cfd7xksa1 | 3.2700 | | 500 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp60r210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 12A (TC) | 10V | 210MOHM @ 4.9A, 10V | 4,5 V @ 240µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1015 pf @ 400 V | - | 64W (TC) |
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