SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Courant - Max Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) Résistance @ si, f
AUXCLF1404STRL Infineon Technologies Auxclf1404strl -
RFQ
ECAD 7266 0,00000000 Infineon Technologies * Tube Actif AUXCLF1404 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001518930 EAR99 8541.29.0095 50
IPI50R399CPXKSA2 Infineon Technologies Ipi50r399cpxksa2 -
RFQ
ECAD 5521 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IPI50R399 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 500 V 9A (TC) 10V 399MOHM @ 4.9A, 10V 3,5 V @ 330 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 890 pf @ 100 V - 83W (TC)
IPP05CN10NGHKSA1 Infineon Technologies Ipp05cn10nghkkksa1 -
RFQ
ECAD 1809 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Tube Actif Ipp05cn10 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000096461 EAR99 8541.29.0095 500 100A (TC)
IPP12CN10LGHKSA1 Infineon Technologies Ipp12cn10lghksa1 -
RFQ
ECAD 3362 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Tube Actif Ipp12cn10 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000308792 EAR99 8541.29.0095 500 69a (TC)
IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies Ipd60r380e6atma2 -
RFQ
ECAD 8322 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd60r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 10.6a (TC) 10V 380 mOhm @ 3,8A, 10V 3,5 V @ 300µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
IPU80R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Ipu80r1k0ceakma1 -
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ECAD 2702 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ ce Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IPU80R1 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à251-3-341 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 800 V 5.7A (TC) 10V 950mohm @ 3,6a, 10v 3,9 V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 785 PF @ 100 V - 83W (TC)
IRF6643TRPBF Infineon Technologies Irf6643trpbf 2.3800
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ECAD 2314 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface DIRECTFET ™ ISOMETRIQUE MZ IRF6643 MOSFET (Oxyde Métallique) DirectFet ™ MZ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 800 Canal n 150 V 6.2A (TA), 35A (TC) 10V 34,5 mohm @ 7,6a, 10v 4,9 V @ 150µA 55 NC @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRGP20B60PDPBF Infineon Technologies Irgp20b60pdpbf -
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ECAD 2088 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irgp20 Standard 220 W À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 400 390V, 13A, 10OHM, 15V 42 ns NPT 600 V 40 A 80 A 2.8V @ 15V, 20A 95 µJ (ON), 100µJ (OFF) 68 NC 20ns / 115ns
IRL3715ZCSPBF Infineon Technologies IRL3715ZCSPBF -
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ECAD 7149 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 20 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 11MOHM @ 15A, 10V 2 55 V @ 250µA 11 NC @ 4,5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRG4BC20K-SPBF Infineon Technologies Irg4bc20k-spbf -
RFQ
ECAD 9492 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 60 W D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001549338 EAR99 8541.29.0095 50 480v, 9a, 50 ohms, 15v - 600 V 16 A 32 A 2,8 V @ 15V, 9A 150 µJ (ON), 250µJ (OFF) 34 NC 28NS / 150NS
IRG4BC10SD-LPBF Infineon Technologies Irg4bc10sd-lpbf -
RFQ
ECAD 9358 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Standard 38 W À 262 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480v, 8a, 100 ohms, 15v 28 ns - 600 V 14 A 18 a 1,8 V @ 15V, 8A 310 µJ (ON), 3 28MJ (OFF) 15 NC 76ns / 815ns
IRG4BC20FD-SPBF Infineon Technologies Irg4bc20fd-spbf -
RFQ
ECAD 2778 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 60 W D2pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irg4bc20fd-spbf EAR99 8541.29.0095 50 480v, 9a, 50 ohms, 15v 37 ns - 600 V 16 A 64 A 2V @ 15V, 9A 250 µJ (ON), 640µJ (OFF) 27 NC 43ns / 240ns
IRFU3410PBF Infineon Technologies Irfu3410pbf 1.2500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU3410 MOSFET (Oxyde Métallique) Ipak (à-251aa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 100 V 31A (TC) 10V 39MOHM @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 3W (TA), 110W (TC)
IRFL4315PBF Infineon Technologies Irfl4315pbf -
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ECAD 1101 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001554908 EAR99 8541.29.0095 80 Canal n 150 V 2.6A (TA) 10V 185MOHM @ 1.6A, 10V 5V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 25 V - 2.8W (TA)
IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies Irf1310nstrlpbf 2.5400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF1310 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 42A (TC) 10V 36MOHM @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 160W (TC)
IRF7905PBF Infineon Technologies Irf7905pbf -
RFQ
ECAD 8655 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IRF7905 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W 8-so télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001560078 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canaux N (double) 30V 7.8a, 8.9a 21.8MOHM @ 7.8A, 10V 2,25 V @ 25µa 6.9nc @ 4,5 V 600pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SPB80N03S2L06T Infineon Technologies SPB80N03S2L06T -
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ECAD 7554 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SPB80N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000016264 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 30 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 5,9MOHM @ 80A, 10V 2V @ 80µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 150W (TC)
SPI100N03S2L03 Infineon Technologies SPI100N03S2L03 -
RFQ
ECAD 3139 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa SPI100N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 30 V 100A (TC) 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V à 250µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8180 PF @ 25 V - 300W (TC)
SPP100N03S2L03 Infineon Technologies SPP100N03S2L03 -
RFQ
ECAD 3739 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SPP100N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 30 V 100A (TC) 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V à 250µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8180 PF @ 25 V - 300W (TC)
BA592E6327HTSA1 Infineon Technologies BA592E6327HTSA1 0,5000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 BA592E6327 PG-SOD323-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 100 mA 1,1pf @ 3v, 1MHz Norme - Célibataire 35V 500 MOHM @ 10MA, 100MHz
BA 892 E6327 Infineon Technologies BA 892 E6327 -
RFQ
ECAD 6858 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-80 BA 892 SCD-80 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 100 mA 1,1pf @ 3v, 1MHz Norme - Célibataire 35V 500 MOHM @ 10MA, 100MHz
BA 892 E6433 Infineon Technologies BA 892 E6433 -
RFQ
ECAD 8071 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-80 BA 892 SCD-80 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 10 000 100 mA 1,1pf @ 3v, 1MHz Norme - Célibataire 35V 500 MOHM @ 10MA, 100MHz
BAR6302LE6433XT Infineon Technologies Bar6302le6433xt -
RFQ
ECAD 5337 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) SOD-882 BAR63 PG-TSLP-2-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 50 000 100 mA 250 MW 0,3pf @ 5v, 1MHz Broche - simple 50v 1OHM @ 10mA, 100MHz
BAR6303WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bar6303we6327htsa1 0 4500
RFQ
ECAD 143 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 BAR6303 PG-SOD323-3D télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 100 mA 250 MW 0,3pf @ 5v, 1MHz Broche - simple 50v 1OHM @ 10mA, 100MHz
BAR6305WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bar6305we6327htsa1 -
RFQ
ECAD 3058 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAR6305 PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 100 mA 250 MW 0,3pf @ 5v, 1MHz Broche - 1 paire Cathode Commune 50v 1OHM @ 10mA, 100MHz
BAR6405WE6433HTMA1 Infineon Technologies Bar6405we6433htma1 -
RFQ
ECAD 9137 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAR6405 PG-Sot323 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 10 000 100 mA 250 MW 0,35pf @ 20v, 1 MHz Broche - 1 paire Cathode Commune 150V 1,35 ohm @ 100mA, 100MHz
BAR 64-07 E6327 Infineon Technologies BAR 64-07 E6327 -
RFQ
ECAD 4026 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) À 253-4, à 253aa BAR64 PG-SOT-143-3D télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 6 000 100 mA 250 MW 0,35pf @ 20v, 1 MHz Pin - 2 indépendants 150V 1,35 ohm @ 100mA, 100MHz
BAR6503WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bar6503we6327htsa1 0,5000
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 BAR6503 PG-SOD323-3D télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 100 mA 250 MW 0,8pf @ 3v, 1MHz Broche - simple 30V 900mohm @ 10mA, 100MHz
BAR 67-02V E6327 Infineon Technologies BAR 67-02V E6327 -
RFQ
ECAD 9503 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BAR67 PG-SC79-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 200 mA 250 MW 0,55pf @ 5v, 1 MHz Broche - simple 150V 1OHM @ 10mA, 100MHz
BAR8802LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies Bar8802lrhe6327xtsa1 -
RFQ
ECAD 5130 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) SOD-882 Bar88 PG-TSLP-2-7 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 15 000 100 mA 250 MW 0,4pf @ 1v, 1MHz Broche - simple 80V 600 mohm @ 10mA, 100mhz
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