SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test
IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies Ipl65r310e6auma1 -
RFQ
ECAD 7003 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 Powertsfn IPL65R MOSFET (Oxyde Métallique) PG-VSON-4 télécharger 2A (4 Semaines) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 650 V 13.1a (TC) 10V 310MOHM @ 4.4A, 10V 3,5 V @ 400µA 45 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies Ipp020n08n5aksa1 6.2400
RFQ
ECAD 494 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp020 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 120A (TC) 6v, 10v 2MOHM @ 100A, 10V 3,8 V @ 280µA 223 NC @ 10 V ± 20V 16900 PF @ 40 V - 375W (TC)
IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies Ipp120n08s403aksa1 5.9900
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp120 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 120A (TC) 10V 2,8MOHM @ 100A, 10V 4V @ 223µA 167 NC @ 10 V ± 20V 11550 pf @ 25 V - 278W (TC)
IPP120N08S404AKSA1 Infineon Technologies Ipp120n08s404aksa1 -
RFQ
ECAD 7519 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp120 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 80 V 120A (TC) 10V 4.4MOHM @ 100A, 10V 4V à 120µA 95 NC @ 10 V ± 20V 6450 pf @ 25 V - 179W (TC)
IPP65R095C7XKSA1 Infineon Technologies Ipp65r095c7xksa1 6.4700
RFQ
ECAD 484 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp65r095 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 24a (TC) 10V 95MOHM @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2140 PF @ 400 V - 128W (TC)
IPP65R660CFDAAKSA1 Infineon Technologies Ipp65r660cfdaaksa1 -
RFQ
ECAD 6607 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000875802 EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 6A (TC) 10V 660mohm @ 3.2a, 10v 4,5 V @ 200µA 20 nc @ 10 V ± 20V 543 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R190C7XKSA1 4.8400
RFQ
ECAD 8939 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ipw65r190 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 13A (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 290µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 400 V - 72W (TC)
IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S55R4ATMA1 1.0400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ -5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn Ipz40n04 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TSDSON-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 40A (TC) 7v, 10v 5,4MOHM @ 20A, 10V 3,4 V @ 17µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S5L7R4ATMA1 0,9500
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ -5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn Ipz40n04 MOSFET (Oxyde Métallique) PG-TSDSON-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 7,4MOHM @ 20A, 10V 2V @ 10µA 17 NC @ 10 V ± 16V 920 PF @ 25 V - 34W (TC)
IPZ60R070P6FKSA1 Infineon Technologies Ipz60r070p6fksa1 6.9163
RFQ
ECAD 3676 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Ipz60r070 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 Canal n 600 V 53,5a (TC) 10V 70MOHM @ 20.6A, 10V 4,5 V @ 1,72 mA 100 nc @ 10 V ± 20V 4750 PF @ 100 V - 391W (TC)
PTFA092211FLV4R250XTMA1 Infineon Technologies Ptfa092211flv4r250xtma1 -
RFQ
ECAD 3074 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Support de surface 2-flatpack, nageoirs en ête, à mariée 920 MHz ~ 960 MHz LDMOS H-34288-2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000688950 5A991G 8541.29.0095 250 - 1,75 a 50W 18 dB - 30 V
64-4123PBF Infineon Technologies 64-4123pbf -
RFQ
ECAD 5514 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Obsolète télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001518380 OBSOLÈTE 0000.00.0000 3 000
SPI11N65C3HKSA1 Infineon Technologies SPI11N65C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 8488 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa SPI11N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000014526 EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 11a (TC) 10V 380MOHM @ 7A, 10V 3,9 V @ 500µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
IDC73D120T6MX1SA2 Infineon Technologies IDC73D120T6MX1SA2 -
RFQ
ECAD 8525 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Abandonné à sic Support de surface Mourir Idc73d120 Standard Scion sur le papier d'Aluminium télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000374980 EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 2.05 V @ 150 A 26 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 150a -
SIDC81D120H8X1SA3 Infineon Technologies SIDC81D120H8X1SA3 -
RFQ
ECAD 2633 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Actif Sidc81d Standard télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 2.15 V @ 150 A 27 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 150a -
IRD3CH16DD6 Infineon Technologies IRD3CH16DD6 -
RFQ
ECAD 6632 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Obsolète IRD3CH16 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1
IDW15S120FKSA1 Infineon Technologies IDW15S120FKSA1 -
RFQ
ECAD 7722 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ + Tube Obsolète Par le trou À 247-3 IDW15S120 Sic (Carbure de Silicium) Schottky PG à247-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 240 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 15 A 0 ns 305 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 870pf @ 1v, 1MHz
SPD04N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD04N60S5BTMA1 -
RFQ
ECAD 6862 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 SPD04N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000313946 EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 4.5a (TC) 10V 950mohm @ 2,8a, 10v 5,5 V @ 200µA 22,9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPI100N04S303MATMA1 Infineon Technologies IPI100N04S303MATMA1 -
RFQ
ECAD 8664 0,00000000 Infineon Technologies * Ruban Adhésif (tr) Actif IPI100 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000381620 0000.00.0000 1 000
IPP80P04P405AKSA1 Infineon Technologies Ipp80p04p405aksa1 -
RFQ
ECAD 1111 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp80p MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000652622 EAR99 8541.29.0095 500 Canal p 40 V 80A (TC) 10V 5.2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 151 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 125W (TC)
94-4849PBF Infineon Technologies 94-4849pbf -
RFQ
ECAD 2029 0,00000000 Infineon Technologies - Tube Obsolète télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté OBSOLÈTE 0000.00.0000 75 -
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2 4.3600
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) IPB180 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 263-7 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 180a (TC) 10V 1,7MOHM @ 100A, 10V 4V @ 200µA 270 NC @ 10 V ± 20V 21900 pf @ 25 V - 250W (TC)
IPI80N06S407AKSA2 Infineon Technologies IPI80N06S407AKSA2 2 0000
RFQ
ECAD 500 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IPI80N06 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à262-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 60 V 80A (TC) 10V 7,4MOHM @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 79W (TC)
IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Ikd03n60rfatma1 1.0300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ikd03n60 Standard 53,6 W PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400 V, 2,5A, 68OHM, 15V 31 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 6.5 A 7.5 A 2,5 V @ 15V, 2,5A 50µJ (ON), 40µJ (OFF) 17.1 NC 10ns / 128ns
IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Ikd10n60ratma1 1.6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ikd10n Standard 150 W PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400V, 10A, 23OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 600 V 20 a 30 A 2.1V @ 15V, 10A 210 µJ (ON), 380µJ (OFF) 64 NC 14NS / 192NS
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RATMA1 1.9600
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IKD15N60 Standard 250 W PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400V, 15A, 15OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 600 V 30 A 45 A 2.1V @ 15V, 15A 370 µJ (ON), 530 µJ (OFF) 90 NC 16NS / 183NS
IGW40N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGW40N60TPXKSA1 3.2500
RFQ
ECAD 480 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IGW40N60 Standard 246 W PG à247-3 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40A, 10,1 ohms, 15v Arête du Champ de Tranché 600 V 67 A 120 A 1,8 V @ 15V, 40A 1 06MJ (ON), 610µJ (OFF) 177 NC 18NS / 222NS
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies IKW30N60DTPXKSA1 3.0500
RFQ
ECAD 740 0,00000000 Infineon Technologies TRENCHSTOP ™ Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IKW30N60 Standard 200 W PG à247-3 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10,5 ohms, 15v 76 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 53 A 90 A 1,8 V @ 15V, 30A 710 µJ (ON), 420µJ (OFF) 130 NC 15NS / 179NS
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies Ipa80r1k4cexksa2 1.6600
RFQ
ECAD 490 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa80r1 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-FP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 3.9A (TC) 10V 1,4 ohm @ 2,3a, 10v 3,9 V @ 240µA 23 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 100 V - 31W (TC)
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies Ipan65r650cexksa1 1.4200
RFQ
ECAD 9218 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipan65 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-FP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 10.1a (TC) 10V 650mohm @ 2.1a, 10v 3,5 V @ 210µA 23 NC @ 10 V ± 20V 440 PF @ 100 V - 28W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock