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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test |
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![]() | Ipl65r310e6auma1 | - | ![]() | 7003 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ E6 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 Powertsfn | IPL65R | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-VSON-4 | télécharger | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 13.1a (TC) | 10V | 310MOHM @ 4.4A, 10V | 3,5 V @ 400µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipp020n08n5aksa1 | 6.2400 | ![]() | 494 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 6v, 10v | 2MOHM @ 100A, 10V | 3,8 V @ 280µA | 223 NC @ 10 V | ± 20V | 16900 PF @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipp120n08s403aksa1 | 5.9900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 223µA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 11550 pf @ 25 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipp120n08s404aksa1 | - | ![]() | 7519 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 10V | 4.4MOHM @ 100A, 10V | 4V à 120µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6450 pf @ 25 V | - | 179W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipp65r095c7xksa1 | 6.4700 | ![]() | 484 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp65r095 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 24a (TC) | 10V | 95MOHM @ 11.8A, 10V | 4V @ 590µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2140 PF @ 400 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipp65r660cfdaaksa1 | - | ![]() | 6607 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp65r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000875802 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 650 V | 6A (TC) | 10V | 660mohm @ 3.2a, 10v | 4,5 V @ 200µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 543 PF @ 100 V | - | 62,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW65R190C7XKSA1 | 4.8400 | ![]() | 8939 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ipw65r190 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 13A (TC) | 10V | 190mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 290µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 400 V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPZ40N04S55R4ATMA1 | 1.0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ -5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | Ipz40n04 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-TSDSON-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 40 V | 40A (TC) | 7v, 10v | 5,4MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 17µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | 0,9500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ -5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | Ipz40n04 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-TSDSON-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 40 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,4MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 10µA | 17 NC @ 10 V | ± 16V | 920 PF @ 25 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
Ipz60r070p6fksa1 | 6.9163 | ![]() | 3676 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | Ipz60r070 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | Canal n | 600 V | 53,5a (TC) | 10V | 70MOHM @ 20.6A, 10V | 4,5 V @ 1,72 mA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4750 PF @ 100 V | - | 391W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ptfa092211flv4r250xtma1 | - | ![]() | 3074 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | 2-flatpack, nageoirs en ête, à mariée | 920 MHz ~ 960 MHz | LDMOS | H-34288-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000688950 | 5A991G | 8541.29.0095 | 250 | - | 1,75 a | 50W | 18 dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-4123pbf | - | ![]() | 5514 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001518380 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI11N65C3HKSA1 | - | ![]() | 8488 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | SPI11N | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à262-3-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000014526 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 10V | 380MOHM @ 7A, 10V | 3,9 V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDC73D120T6MX1SA2 | - | ![]() | 8525 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Idc73d120 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000374980 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 150 A | 26 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC81D120H8X1SA3 | - | ![]() | 2633 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Sidc81d | Standard | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.15 V @ 150 A | 27 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRD3CH16DD6 | - | ![]() | 6632 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | IRD3CH16 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDW15S120FKSA1 | - | ![]() | 7722 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-3 | IDW15S120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 15 A | 0 ns | 305 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | 870pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD04N60S5BTMA1 | - | ![]() | 6862 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SPD04N | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000313946 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 4.5a (TC) | 10V | 950mohm @ 2,8a, 10v | 5,5 V @ 200µA | 22,9 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI100N04S303MATMA1 | - | ![]() | 8664 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | IPI100 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000381620 | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipp80p04p405aksa1 | - | ![]() | 1111 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp80p | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000652622 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal p | 40 V | 80A (TC) | 10V | 5.2MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 151 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-4849pbf | - | ![]() | 2029 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 75 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB180N06S4H1ATMA2 | 4.3600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | IPB180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 263-7 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 180a (TC) | 10V | 1,7MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 200µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 21900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI80N06S407AKSA2 | 2 0000 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IPI80N06 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à262-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 60 V | 80A (TC) | 10V | 7,4MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 40µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ikd03n60rfatma1 | 1.0300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ikd03n60 | Standard | 53,6 W | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 400 V, 2,5A, 68OHM, 15V | 31 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 6.5 A | 7.5 A | 2,5 V @ 15V, 2,5A | 50µJ (ON), 40µJ (OFF) | 17.1 NC | 10ns / 128ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ikd10n60ratma1 | 1.6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ikd10n | Standard | 150 W | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 400V, 10A, 23OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 20 a | 30 A | 2.1V @ 15V, 10A | 210 µJ (ON), 380µJ (OFF) | 64 NC | 14NS / 192NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD15N60RATMA1 | 1.9600 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IKD15N60 | Standard | 250 W | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 400V, 15A, 15OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 30 A | 45 A | 2.1V @ 15V, 15A | 370 µJ (ON), 530 µJ (OFF) | 90 NC | 16NS / 183NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
IGW40N60TPXKSA1 | 3.2500 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IGW40N60 | Standard | 246 W | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40A, 10,1 ohms, 15v | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 67 A | 120 A | 1,8 V @ 15V, 40A | 1 06MJ (ON), 610µJ (OFF) | 177 NC | 18NS / 222NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | 3.0500 | ![]() | 740 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IKW30N60 | Standard | 200 W | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 10,5 ohms, 15v | 76 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 53 A | 90 A | 1,8 V @ 15V, 30A | 710 µJ (ON), 420µJ (OFF) | 130 NC | 15NS / 179NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipa80r1k4cexksa2 | 1.6600 | ![]() | 490 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Ipa80r1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-FP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 3.9A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 2,3a, 10v | 3,9 V @ 240µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ipan65r650cexksa1 | 1.4200 | ![]() | 9218 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Ipan65 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-FP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 650 V | 10.1a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.1a, 10v | 3,5 V @ 210µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 28W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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