SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Type de Montage Package / ÉTUI Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Statt de Portée Noms Autres Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f
G3S17020B Global Power Technology Co. Ltd G3S17020B -
RFQ
ECAD 7595 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G3S17020B 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1700 V 24a (DC) 1,7 V @ 10 A 0 ns 100 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06505C Global Power Technology Co. Ltd G3S06505C -
RFQ
ECAD 6424 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 Vendeur indéfini 4436-G3S06505C 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 22.5A 424pf @ 0v, 1MHz
G5S12008D Global Power Technology Co. Ltd G5S12008D -
RFQ
ECAD 2939 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 Vendeur indéfini 4436-G5S12008D 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 26.1A 550pf @ 0v, 1MHz
G3S12005D Global Power Technology Co. Ltd G3S12005D -
RFQ
ECAD 7521 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 Vendeur indéfini 4436-G3S12005D 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 34a 475pf @ 0v, 1mhz
G3S12010D Global Power Technology Co. Ltd G3S12010D -
RFQ
ECAD 7559 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 Vendeur indéfini 4436-G3S12010D 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 33.2a 765pf @ 0v, 1mhz
G3S17005C Global Power Technology Co. Ltd G3S17005C -
RFQ
ECAD 5575 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 Vendeur indéfini 4436-G3S17005C 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1700 V 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 27A 780pf @ 0v, 1mhz
G3S06508B Global Power Technology Co. Ltd G3S06508B -
RFQ
ECAD 7094 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G3S06508B 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 14A (DC) 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S12015H Global Power Technology Co. Ltd G3S12015H -
RFQ
ECAD 9480 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f Vendeur indéfini 4436-G3S12015H 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A 1700pf @ 0v, 1mhz
G3S06502H Global Power Technology Co. Ltd G3S06502H -
RFQ
ECAD 7415 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f Vendeur indéfini 4436-G3S06502H 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 9A 123pf @ 0v, 1mhz
G4S12020PM Global Power Technology Co. Ltd G4S12020 -
RFQ
ECAD 9894 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC Vendeur indéfini 4436-G4S12020 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 20 A 0 ns 30 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 64,5a 2600pf @ 0v, 1mhz
GAS06520P Global Power Technology Co. Ltd GAS06520P -
RFQ
ECAD 6670 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC Vendeur indéfini 4436-GAS06520P 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 66,5a 1390pf @ 0v, 1MHz
G3S12030B Global Power Technology Co. Ltd G3S12030B -
RFQ
ECAD 4934 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G3S12030B 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 42A (DC) 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12005A Global Power Technology Co. Ltd G5S12005A -
RFQ
ECAD 4686 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC Vendeur indéfini 4436-G5S12005A 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20.5a 424pf @ 0v, 1MHz
G3S06503A Global Power Technology Co. Ltd G3S06503A -
RFQ
ECAD 1550 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC Vendeur indéfini 4436-G3S06503A 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 11.5a 181pf @ 0v, 1mhz
G3S06510A Global Power Technology Co. Ltd G3S06510A -
RFQ
ECAD 4908 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC Vendeur indéfini 4436-G3S06510A 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 35a 690pf @ 0v, 1MHz
G3S12010B Global Power Technology Co. Ltd G3S12010B -
RFQ
ECAD 1370 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G3S12010B 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 39A (DC) 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12030BM Global Power Technology Co. Ltd G5S12030BM -
RFQ
ECAD 9456 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G5S12030BM 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 55A (DC) 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S06506DT Global Power Technology Co. Ltd G5S06506DT -
RFQ
ECAD 9863 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 Vendeur indéfini 4436-G5S06506DT 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 24a 395pf @ 0v, 1MHz
G5S06510QT Global Power Technology Co. Ltd G5S06510QT -
RFQ
ECAD 2093 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface 4 Powertsfn Sic (Carbure de Silicium) Schottky 4-DFN (8x8) Vendeur indéfini 4436-G5S06510QT 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 53a 645pf @ 0v, 1mhz
G5S12040PP Global Power Technology Co. Ltd G5S12040PP -
RFQ
ECAD 5820 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC Vendeur indéfini 4436-G5S12040PP 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire Commune d'anode 1200 V 115A (DC) 1,7 V @ 40 A 0 ns 100 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S12010C Global Power Technology Co. Ltd G3S12010C -
RFQ
ECAD 4786 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 Vendeur indéfini 4436-G3S12010C 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 33.2a 765pf @ 0v, 1mhz
G3S06510D Global Power Technology Co. Ltd G3S06510D -
RFQ
ECAD 2278 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 Vendeur indéfini 4436-G3S06510D 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 34a 690pf @ 0v, 1MHz
G4S06510QT Global Power Technology Co. Ltd G4S06510QT -
RFQ
ECAD 7248 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface 4 Powertsfn Sic (Carbure de Silicium) Schottky 4-DFN (8x8) Vendeur indéfini 4436-G4S06510QT 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 44.9a 550pf @ 0v, 1MHz
G3S06520A Global Power Technology Co. Ltd G3S06520A -
RFQ
ECAD 1139 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC Vendeur indéfini 4436-G3S06520A 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 56,5a 1170pf @ 0v, 1MHz
G5S06510PT Global Power Technology Co. Ltd G5S06510PT -
RFQ
ECAD 4718 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC Vendeur indéfini 4436-G5S06510PT 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 39a 645pf @ 0v, 1mhz
G4S06508CT Global Power Technology Co. Ltd G4S06508CT -
RFQ
ECAD 2406 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 Vendeur indéfini 4436-G4S06508CT 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 24a 395pf @ 0v, 1MHz
G4S12040BM Global Power Technology Co. Ltd G4S12040BM -
RFQ
ECAD 1055 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G4S12040BM 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 64,5a (DC) 1,6 V @ 20 A 0 ns 30 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06530P Global Power Technology Co. Ltd G3S06530P -
RFQ
ECAD 5082 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC Vendeur indéfini 4436-G3S06530P 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 30 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 95a 2150pf @ 0v, 1MHz
G4S06516BT Global Power Technology Co. Ltd G4S06516BT -
RFQ
ECAD 5550 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G4S06516BT 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 25,9A (DC) 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12015L Global Power Technology Co. Ltd G5S12015L -
RFQ
ECAD 7402 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - En gros Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab Vendeur indéfini 4436-G5S12015L 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1370pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock