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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S17020B | - | ![]() | 7595 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S17020B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1700 V | 24a (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S06505C | - | ![]() | 6424 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06505C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22.5A | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S12008D | - | ![]() | 2939 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12008D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 26.1A | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S12005D | - | ![]() | 7521 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12005D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34a | 475pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S12010D | - | ![]() | 7559 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 33.2a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S17005C | - | ![]() | 5575 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S17005C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1700 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27A | 780pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06508B | - | ![]() | 7094 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06508B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 14A (DC) | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S12015H | - | ![]() | 9480 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S12015H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 21A | 1700pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06502H | - | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S06502H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9A | 123pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G4S12020 | - | ![]() | 9894 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S12020 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64,5a | 2600pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | GAS06520P | - | ![]() | 6670 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-GAS06520P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 66,5a | 1390pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S12030B | - | ![]() | 4934 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12030B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 42A (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S12005A | - | ![]() | 4686 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12005A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20.5a | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06503A | - | ![]() | 1550 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06503A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06510A | - | ![]() | 4908 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06510A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 35a | 690pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S12010B | - | ![]() | 1370 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 39A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S12030BM | - | ![]() | 9456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12030BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 55A (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S06506DT | - | ![]() | 9863 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06506DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S06510QT | - | ![]() | 2093 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 4-DFN (8x8) | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510QT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12040PP | - | ![]() | 5820 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12040PP | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 1200 V | 115A (DC) | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S12010C | - | ![]() | 4786 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 33.2a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06510D | - | ![]() | 2278 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06510D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34a | 690pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06510QT | - | ![]() | 7248 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 4-DFN (8x8) | Vendeur indéfini | 4436-G4S06510QT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 44.9a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06520A | - | ![]() | 1139 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06520A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 56,5a | 1170pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S06510PT | - | ![]() | 4718 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510PT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 39a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G4S06508CT | - | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G4S06508CT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S12040BM | - | ![]() | 1055 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S12040BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 64,5a (DC) | 1,6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S06530P | - | ![]() | 5082 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06530P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 30 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 95a | 2150pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06516BT | - | ![]() | 5550 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S06516BT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 25,9A (DC) | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S12015L | - | ![]() | 7402 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015L | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 55A | 1370pf @ 0v, 1MHz |
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