SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BCX6916E6327 Infineon Technologies BCX6916E6327 0,1100
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ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Automobile, AEC-Q101 En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 3 W PG-Sot89-4-2 télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 20 V 1 a 100NA (ICBO) 500 MV à 100MA, 1A 100 @ 500mA, 1V 100 MHz
JANTXV2N2432AUB/TR Microchip Technology Jantxv2n2432aub / tr -
RFQ
ECAD 3878 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 360 MW Ub - Atteindre non affecté 150-Jantxv2n2432AUB / TR 100 45 V 100 mA 10na NPN 150 mV à 500 µA, 10mA 80 @ 1MA, 5V -
BSS123K-13 Diodes Incorporated BSS123K-13 0.1266
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ECAD 3802 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 31-BSS123K-13TR EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 100 V 230mA (TA) 4,5 V, 10V 6OHM @ 170mA, 10V 2v @ 1MA 1.3 NC @ 10 V ± 20V 38 PF @ 50 V - 500mw (TA)
MCH3360-TL-E Sanyo MCH3360-TL-E 1 0000
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ECAD 3173 0,00000000 Sanyo * En gros Actif MCH3360 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini 3 000 -
KSH41CTF onsemi Ksh41ctf -
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ECAD 3629 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ksh41 1,75 W D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 100 V 6 A 50 µA NPN 1,5 V @ 600mA, 6A 15 @ 3A, 4V 3 MHz
PCFC041N60EW onsemi PCFC041N60EW -
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ECAD 7465 0,00000000 onsemi * Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 488-PCFC041N60EWTR OBSOLÈTE 3 000
ZXTN5551GTA Diodes Incorporated ZXTN5551GTA 0.4400
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ECAD 1508 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa Zxxn5551 2 W SOT-223-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 mV @ 5mA, 50mA 80 @ 10mA, 5V 130 MHz
IPA60R450E6XKSA1 Infineon Technologies Ipa60r450e6xksa1 -
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ECAD 2039 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa60r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-FP télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 600 V 9.2a (TC) 10V 450 mohm @ 3,4a, 10v 3,5 V @ 280µA 28 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 100 V - 30W (TC)
BUK9Y40-55B/C3,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y40-55B / C3,115 -
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ECAD 6309 0,00000000 Nexperia USA Inc. * En gros Actif - 0000.00.0000 1
RM25N30DN Rectron USA RM25N30DN 0.1400
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ECAD 8606 0,00000000 Rectron USA - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) 8-DFN-EP (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2516-RM25N30DNTR 8541.10.0080 25 000 Canal n 30 V 25a (TC) 4,5 V, 10V 10MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA ± 20V 1530 pf @ 15 V - 25W (TC)
HS54095-01-E Renesas Electronics America Inc HS54095-01-E 0,3700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 812
MRF6S9130HSR3 Freescale Semiconductor MRF6S9130HSR3 72.8200
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ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur libre - En gros Actif 68 V Ni-780 MRF6 880 MHz LDMOS Ni-780 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 0000.00.0000 250 - 950 mA 27W 19.2 dB - 28 V
MRF8P20165WHSR5 Freescale Semiconductor MRF8P20165WHSR5 117.6600
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ECAD 39 0,00000000 Semi-conducteur libre - En gros Obsolète 65 V Soutenir de châssis NI-780S-4 1,88 GHz ~ 2 025 GHz LDMOS NI-780S-4 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0075 50 Double 10 µA 550 mA 37w 14,8 dB - 28 V
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Ipd60r1k5ceauma1 0,7200
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ECAD 18 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ ce Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd60r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 5A (TC) 10V 1,5 ohm @ 1,1a, 10v 3,5 V @ 90µA 9.4 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 100 V - 49W (TC)
FMMT493ATA Diodes Incorporated FMMT493ATA 0.4400
RFQ
ECAD 107 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT493 500 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 60 V 1 a 100NA NPN 500 MV à 100MA, 1A 300 @ 250mA, 10V 150 MHz
2SA1774EBTLS Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLS 0,0683
RFQ
ECAD 2250 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 150 ° C (TJ) Support de surface SC-89, SOT-490 2SA1774 150 MW EMT3F (SOT-416FL) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 5mA, 50mA 120 @ 1MA, 6V 140 MHz
FDFMA2P859T Fairchild Semiconductor FDFMA2P859T 0,2700
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-UDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Microfet 2x2 hide télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 3a (ta) 1,8 V, 4,5 V 120 mohm @ 3a, 4,5 V 1,3 V à 250µA 6 NC @ 4,5 V ± 8v 435 PF @ 10 V Diode Schottky (isolé) 1.4W (TA)
NVTYS029N08HTWG onsemi Nvtys029n08htwg 0,3818
RFQ
ECAD 6625 0,00000000 onsemi Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-lfpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 488-nvtys029n08htwgtr EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 6.4A (TA), 21A (TC) 10V 32.4MOHM @ 5A, 10V 4V @ 20µA 6.3 NC @ 10 V ± 20V 369 PF @ 40 V - 3.1W (TA), 33W (TC)
NE34018-A CEL NE34018-A -
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ECAD 7334 0,00000000 Celoir - En gros Obsolète 4 V Support de surface SC-82A, SOT-343 NE340 2 GHz Gaas HJ-Fet SOT-343 télécharger 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.21.0075 1 120mA 5 mA 12dbm 16 dB 0,6 dB 2 V
KSD261YTA onsemi KSD261YTA -
RFQ
ECAD 3821 0,00000000 onsemi - Tape & Box (TB) Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes KSD261 500 MW To-92-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400 mV à 50ma, 500mA 120 @ 100mA, 1V -
JANTXV2N2906AUBC/TR Microchip Technology Jantxv2n2906aubc / tr 26.2050
RFQ
ECAD 3641 0,00000000 Technologie des micropuces Mil-prf-19500/291 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C Support de surface 3 mm, pas de plomb 500 MW UBC - 150-jantxv2n2906aubc / tr 100 60 V 600 mA 50na Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 40 @ 500mA, 10V -
APTMC120TAM34CT3AG Microchip Technology APTMC120TAM34CT3AG -
RFQ
ECAD 4034 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module APTMC120 Carbure de silicium (sic) 375W SP3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phases Pont 3) 1200V (1,2 kV) 74a (TC) 34MOHM @ 50A, 20V 4V @ 15mA 161nc @ 5v 2788pf @ 1000v -
IXFN80N48 IXYS Ixfn80n48 -
RFQ
ECAD 7269 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn80 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 480 V 80A (TC) 10V 45MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 380 NC @ 10 V ± 20V 9890 pf @ 25 V - 700W (TC)
FDZ7064AS Fairchild Semiconductor Fdz7064as 0,8500
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ECAD 34 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 30-WFBGA MOSFET (Oxyde Métallique) 30-BGA (4x3,5) télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 13.5A (TA) 4,5 V, 10V 5,6MOHM @ 13,5A, 10V 3V @ 1MA 51 NC @ 10 V ± 20V 1960 PF @ 15 V - 2.2W (TA)
CMPT4403 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Cmpt4403 tr pbfree 1.0500
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ECAD 18 0,00000000 Centre des semi-conduurs Centraux - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPT4403 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 600 mA - Pnp 750 MV @ 50mA, 500mA 100 @ 10mA, 1V 200 MHz
IXTM67N10 IXYS Ixtm67n10 -
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ECAD 6579 0,00000000 Ixys Gigamos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204ae Ixtm67 MOSFET (Oxyde Métallique) To-204ae télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 100 V 67a (TC) 10V 25MOHM @ 33.5A, 10V 4V @ 4mA 260 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 300W (TC)
FDMS7606 onsemi FDMS7606 -
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ECAD 2258 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 8-POWERWDFN FDMS76 MOSFET (Oxyde Métallique) 1W Power56 - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 11.5A, 12A 11.4MOHM @ 11.5A, 10V 3V à 250µA 22nc @ 10v 1400pf @ 15v Porte de Niveau Logique
PN4209 Central Semiconductor Corp PN4209 -
RFQ
ECAD 4398 0,00000000 Centre des semi-conduurs Centraux - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger Atteindre non affecté 1514-PN4209 EAR99 8541.21.0075 1 15 V 200 mA 10na Pnp 600 MV à 5MA, 50mA 50 @ 10mA, 300 mV 850 MHz
NSS1C200MZ4T1G onsemi NSS1C200MZ4T1G 0,6400
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ECAD 3 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa NSS1C200 800 MW SOT-223 (à 261) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 1 000 100 V 2 A 100NA (ICBO) Pnp 220mV @ 200mA, 2A 120 @ 500mA, 2V 120 MHz
TIG030TS-TL-E onsemi TIG030TS-TL-E 0,2700
RFQ
ECAD 57 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TIG030 Standard 8-TSSOP télécharger Non applicable EAR99 8541.29.0095 3 000 - - 400 V 150 a 5.4V @ 4V, 150A - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock