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Transistors (100539)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FMMT493ATA	0.4400	RFQ	107	Les diodes incorporent	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT493				500 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																					60 V	1 a							100NA	NPN	500 MV à 100MA, 1A	300 @ 250mA, 10V	150 MHz
KSD261YTA	-	RFQ	3821	onsemi	-	Tape & Box (TB)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSD261				500 MW	To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																					20 V	500 mA							100NA (ICBO)	NPN	400 mV à 50ma, 500mA	120 @ 100mA, 1V	-
Cmpt4403 tr pbfree	1.0500	RFQ	18	Centre des semi-conduurs Centraux	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT4403				350 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000																					40 V	600 mA							-	Pnp	750 MV @ 50mA, 500mA	100 @ 10mA, 1V	200 MHz
TIG030TS-TL-E	0,2700	RFQ	57	onsemi	-	En gros	Obsolète			Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	TIG030	Standard				8-TSSOP	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	3 000				-																-	400 V		150 a	5.4V @ 4V, 150A	-		-
Jantxv2n2906aubc / tr	26.2050	RFQ	3641	Technologie des micropuces	Mil-prf-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	3 mm, pas de plomb					500 MW	UBC	-				150-jantxv2n2906aubc / tr			100																					60 V	600 mA							50na	Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 500mA, 10V	-
Jans2n2920u / tr	153.9408	RFQ	6239	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N2920				350mw	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jans2n2920u / tr	EAR99	8541.21.0095	1																					60V	30m							10µA (ICBO)	2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
Auirgp66524d0	-	RFQ	4191	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Auirgp66524	Standard			214 W	À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	400				400V, 24A, 10 ohms, 15v															176 ns	-	600 V	60 a	72 A	1,9 V @ 15V, 24A	915µJ (ON), 280µJ (OFF)	80 NC	30ns / 75ns
NTB60N06LG	-	RFQ	7930	onsemi	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	NTB60			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						60 V	60a (TA)	5V	16MOHM @ 30A, 5V	2V à 250µA	65 NC @ 5 V	± 15V	3075 PF @ 25 V	-	2.4W (TA), 150W (TJ)
2SA1832-gr-tp	-	RFQ	5286	Micro Commercial Co	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-523	2SA1832				100 MW	SOT-523	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		353-2SA1832-gr-tptr			3 000																					50 V	150 mA							100NA (ICBO)		300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 1MA, 6V	80 MHz
DMN3300U-7-52	0,1148	RFQ	1805	Les diodes incorporent	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN3300			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger				31-DMN3300U-7-52	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						30 V	1.5A (TA)	1,5 V, 4,5 V	150 mohm @ 4,5a, 4,5 V	1V @ 250µA		± 12V	193 PF @ 10 V	-	700mw
2N3765	21.0938	RFQ	9365	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut	2N3765				500 MW	To-46	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																					60 V	1,5 A							100NA	Pnp	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1,5a, 5v	-
TT8J2TR	0,9800	RFQ	10	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	TT8			MOSFET (Oxyde Métallique)	1.25W	8 TS	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)							30V	2.5a		84MOHM @ 2,5A, 10V	2,5 V @ 1MA	4.8nc @ 5v		460pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
PMBT3946YPN-QH	0,0678	RFQ	6633	Nexperia USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363					350mw	6-TSSOP	-	Rohs3 conforme			1727-PMBT3946YPN-QHTR			3 000																					40V	200m							50NA (ICBO)	Npn, pnp	300 mV à 5MA, 50mA / 400mV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300 MHz, 250 MHz
Fdz7064as	0,8500	RFQ	34	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	30-WFBGA				MOSFET (Oxyde Métallique)		30-BGA (4x3,5)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						30 V	13.5A (TA)	4,5 V, 10V	5,6MOHM @ 13,5A, 10V	3V @ 1MA	51 NC @ 10 V	± 20V	1960 PF @ 15 V	-	2.2W (TA)
2SK3978-TL-E	0,2500	RFQ	30	onsemi	-	En gros	Obsolète		150 ° C	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		Tp	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2156-2SK3978-TL-E	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	4a (ta)	4V, 10V	550mohm @ 2a, 10v	2.6V @ 1MA	21 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 20 V	-	1W (TA), 20W (TC)
Ech8604-tl-e	-	RFQ	1868	Sanyo	-	En gros	Obsolète		150 ° C	Support de surface	8 mm, plombes plombes				MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W (TA)	8 échange	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-ECH8604-TL-E-600057			1	2 N-Canal							20V	6a (ta)		30mohm @ 3a, 4v	1,3 V @ 1MA	23nc @ 10v		700pf @ 10v	-
Nth4L020N090SC1	39.8000	RFQ	405	onsemi	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	Nth4l02			Sicfet (carbure de silicium)		À 247-4L	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	488-nth4L020N090SC1	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						900 V	116a (TC)	15V, 18V	28MOHM @ 60A, 15V	4.3 V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+ 22V, -8V	4415 PF @ 450 V	-	484W (TC)
DMP3036SFVQ-7	0 2223	RFQ	8272	Les diodes incorporent	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	DMP3036			MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerDi3333-8 (Type UX)	télécharger				31-DMP3036SFVQ-7	EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal p						30 V	8.7A (TA), 30A (TC)	5v, 10v	20 mohm @ 8a, 10v	2,5 V @ 250µA	16,5 NC @ 10 V	± 25V	1931 PF @ 15 V	-	900mw (TA)
STW7N95K3	6.7000	RFQ	600	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW7N95			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						950 V	7.2a (TC)	10V	1,35 ohm @ 3,6a, 10v	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	± 30V	1031 PF @ 100 V	-	150W (TC)
IXTH130N10T	6.4200	RFQ	6324	Ixys	Tranché	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth130			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						100 V	130a (TC)	10V	9.1MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 250µA	104 NC @ 10 V	± 20V	5080 PF @ 25 V	-	360W (TC)
SI4946BEY-T1-E3	1.4800	RFQ	27	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4946			MOSFET (Oxyde Métallique)	3.7W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)							60V	6.5a		41MOHM @ 5.3A, 10V	3V à 250µA	25nc @ 10v		840pf @ 30v	Porte de Niveau Logique
Ixfn80n48	-	RFQ	7269	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn80			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-227B	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n						480 V	80A (TC)	10V	45MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	± 20V	9890 pf @ 25 V	-	700W (TC)
Nvtys029n08htwg	0,3818	RFQ	6625	onsemi	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1205, 8-LFPAK56				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-lfpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	488-nvtys029n08htwgtr	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						80 V	6.4A (TA), 21A (TC)	10V	32.4MOHM @ 5A, 10V	4V @ 20µA	6.3 NC @ 10 V	± 20V	369 PF @ 40 V	-	3.1W (TA), 33W (TC)
NE34018-A	-	RFQ	7334	Celoir	-	En gros	Obsolète	4 V		Support de surface	SC-82A, SOT-343	NE340		2 GHz	Gaas HJ-Fet		SOT-343	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.21.0075	1			120mA		5 mA	12dbm	16 dB											0,6 dB										2 V
Irf7413qtrpbf	-	RFQ	8449	Infineon Technologies	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète			Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal n						30 V	13a (ta)		11MOHM @ 7.3A, 10V	3V à 250µA	79 NC @ 10 V		1800 pf @ 25 V	-
Ntmts0d7n04ctxg	7.6500	RFQ	5375	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Ntmts0			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFNW (8.3x8.4)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						40 V	65A (TA), 420A (TC)	10V	0,67MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	9230 pf @ 25 V	-	4.9W (TA), 205W (TC)
Auxybfp3306	-	RFQ	7658	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète		-	-	-	Auxybfp			-		-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		25		-							-	-	-	-		-		-	-
Ixtm67n10	-	RFQ	6579	Ixys	Gigamos ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae	Ixtm67			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-204ae	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20		Canal n						100 V	67a (TC)	10V	25MOHM @ 33.5A, 10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	300W (TC)
2C5880	37.0050	RFQ	6524	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2c5880			1
Ipi47n10sl26aksa1	1.4573	RFQ	3586	Infineon Technologies	Sipmos®	Tube	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Ipi47n10			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 262-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						100 V	47a (TC)	4,5 V, 10V	26MOHM @ 33A, 10V	2v @ 2mA	135 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	175W (TC)

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