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Transistors (100539)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C
2N4860JTXL02	-	RFQ	7180	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N4860				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40		-									-
2N4860JTXV02	-	RFQ	2023	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N4860				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40		-									-
2N4861JTXL02	-	RFQ	1981	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N4861				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40		-									-
2N4861JTXV02	-	RFQ	1214	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N4861				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40		-									-
2N5114Jan02	-	RFQ	1721	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5114				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	40		-									-
2N5114JTX02	-	RFQ	3462	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5114				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-									-
2N5114JTXV02	-	RFQ	9281	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5114				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-									-
2N5115	-	RFQ	4657	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5115				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	200		-									-
2N5115JTVL02	-	RFQ	4741	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5115				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-									-
2N5116JAN02	-	RFQ	1064	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5116				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-									-
2N5116JTVL02	-	RFQ	1489	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5116				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-									-
2N5116JTXL02	-	RFQ	4372	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5116				To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-									-
2N6661Jan02	-	RFQ	3321	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N6661		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20		Canal n		90 V	860mA (TC)	5v, 10v	4OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	725MW (TA), 6,25W (TC)
3N163-E3	-	RFQ	5647	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	3N163		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-72	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	200		Canal p		40 V	50mA (TA)	20V	250 ohm à 100 µA, 20V	5V @ 10µA		± 30V	3,5 pf @ 15 V	-	375mw (TA)
3N164	-	RFQ	4665	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	-		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	200		Canal p		30 V	50mA (TA)	20V	300 ohm @ 100µA, 20V	5V @ 10µA		± 30V	3,5 pf @ 15 V	-	375mw (TA)
NGTB20N120HRWG	5.8200	RFQ	68	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	NGTB20	Standard		384 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 20A, 10OHM, 15V												Arête du Champ de Tranché	1200 V	40 A	120 A	2.45V @ 15V, 20A	450 µJ (off)	225 NC	- / 235ns
Ngtb30n120l2wg	8.3800	RFQ	9	onsemi	*	Tube	Actif				NGTB30					télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30
NGTB30N135IHRWG	-	RFQ	9323	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	NGTB30	Standard		394 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 30A, 10OHM, 15V												Arête du Champ de Tranché	1350 V	60 a	120 A	2,65 V @ 15V, 30A	850 µJ (off)	234 NC	- / 250ns
Ngtb40n120fl2wg	-	RFQ	1936	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	NGTB40	Standard		535 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600v, 40a, 10hm, 15v											240 ns	Arête du Champ de Tranché	1200 V	80 A	200 A	2,4 V @ 15V, 40A	3,4mj (on), 1,1mj (off)	313 NC	116ns / 286ns
Ngtb40n60flwg	-	RFQ	6710	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	NGTB40	Standard		257 W	À 247	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 40A, 10 ohms, 15v											77 ns	Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	160 A	2.1V @ 15V, 40A	890 µJ (ON), 440µJ (OFF)	171 NC	85NS / 174NS
Ngtb50n120fl2wg	-	RFQ	2539	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	NGTB50	Standard		535 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	NGTB50N120FL2WGOS	EAR99	8541.29.0095	30			600V, 50A, 10OHM, 15V											256 ns	Arête du Champ de Tranché	1200 V	100 A	200 A	2.2 V @ 15V, 50A	4.4MJ (ON), 1,4MJ (OFF)	311 NC	118NS / 282NS
Ngtg30n60flwg	-	RFQ	7494	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ngtg30	Standard		250 W	À 247-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 30A, 10OHM, 15V												Arête du Champ de Tranché	600 V	60 a	120 A	1,9 V @ 15V, 30A	700 µJ (ON), 280µJ (OFF)	170 NC	83ns / 170ns
Stdled623	-	RFQ	9026	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Stdled623		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		620 V	3A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1.1a, 10v	4,5 V @ 50µA	15,5 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 50 V	-	45W (TC)
RJP5001APP-M0 # T2	-	RFQ	6375	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	RJP5001	Standard		45 W	À 220fl	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			300 V, 300A, 30OHM, 12V												-	500 V		300 A	10V @ 12V, 300A	-		100ns / 200 ns
DMHC4035LSD-13	0,8700	RFQ	62	Les diodes incorporent	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	DMHC4035		MOSFET (Oxyde Métallique)	1,5 w	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 n et 2 Canaux P (Demi-pont)			40V	4.5a, 3.7a		45MOHM @ 3,9A, 10V	3V à 250µA	12.5nc @ 10v		574pf @ 20v	Porte de Niveau Logique
Irf830bpbf	1.1200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF830		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		500 V	5.3A (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,5a, 10v	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	325 pf @ 100 V	-	104W (TC)
UPA2631T1R-E2-AX	-	RFQ	2085	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WFDFN	UPA2631		MOSFET (Oxyde Métallique)		6-Huson (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p		20 V	6a (ta)	1,8 V, 4,5 V	62MOHM @ 3A, 1,8 V	-	12,5 NC @ 4,5 V	± 8v	1240 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
UPA2766T1A-E1-AY	-	RFQ	6042	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	UPA2766		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-HVSON (5x5.4)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n		30 V	130a (TA)	4,5 V, 10V	1,82MOHM @ 39A, 4,5 V	-	257 NC @ 10 V	± 20V	10850 pf @ 10 V	-	1.5W (TA), 83W (TC)
Stgwt60h60dlfb	-	RFQ	6845	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	STGWT60	Standard		375 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 60A, 5OHM, 15V												Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	240 A	2V @ 15V, 60A	626µj (off)	306 NC	- / 160ns
Stgwt80h65dfb	5.1703	RFQ	9575	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	STGWT80	Standard		469 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 80A, 10OHM, 15V											85 ns	Arête du Champ de Tranché	650 V	120 A	240 A	2v @ 15v, 80a	2,1mj (on), 1,5mj (off)	414 NC	84ns / 280ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (100539)

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