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Transistors (195)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
VS-FC220SA20	-	RFQ	8471	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	FC220	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSFC220SA20	EAR99	8541.29.0095	160		Canal n	200 V	220A (TC)	10V	7MOHM @ 150A, 10V	5,1 V @ 500µA	350 NC @ 10 V	± 30V	21000 pf @ 50 V	-	789W (TC)
50mt060wh	-	RFQ	2289	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 12-mtp	50mt060		658 W	Standard	12 MTP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Demi-pont												Pt	600 V	114 A	3,2 V @ 15V, 100A	400 µA	Non	7.1 NF @ 30 V
19mt050xf	-	RFQ	7178	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Hexfet®	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 16-mtp	19mt050	MOSFET (Oxyde Métallique)	1140W		16 MTP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* 19mt050xf	EAR99	8541.29.0095	15	4 N-Canal (Demi-pont)		500 V	31A		220mohm @ 19a, 10v	6V @ 250µA	160nc @ 10v		7210pf @ 25v	-
Vs-fc80na20	-	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	FC80	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160		Canal n	200 V	108a (TC)	10V	14MOHM @ 80A, 10V	5,5 V @ 250µA	161 NC @ 10 V	± 30V	10720 PF @ 50 V	-	405W (TC)
CPV362M4U	-	RFQ	7618	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV362		23 W	Standard	IMS-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Onduleur Triphasé												-	600 V	7.2 A	1,95 V @ 15V, 7.2A	250 µA	Non	530 pf @ 30 V
GA200SA60	-	RFQ	2692	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GA200		630 W	Standard	SOT-227B	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire												-	600 V	200 A	1,3 V @ 15V, 100A	1 mA	Non	16.25 NF @ 30 V
50mt060uls	-	RFQ	7149	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	10 MTP	50mt060		445 W	Standard	10 MTP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Célibataire												-	600 V	100 A	2 55 V @ 15V, 100A	250 µA	Non	14,7 nf @ 30 V
Vs-100mt060wsp	-	RFQ	8105	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	Module 12-mtp	100mt060		403 W	Réception de Pont Monophasé	MTP	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	105	Célibataire												-	600 V	107 A	2.49V @ 15V, 60A	100 µA	Oui	9,5 nf @ 30 V
Vs-gt400th60n	-	RFQ	4516	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 8)	GT400		1600 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGT400TH60N	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												Tranché	600 V	530 A	2.05V @ 15V, 400A	5 mA	Non	30,8 nf @ 30 V
VS-ETF075Y60U	102.1755	RFQ	2016	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Emipak-2b	ETF075		294 W	Standard	Emipak-2b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	60	Onduleur à trois niveaux												Tranché	600 V	100 A	1,93 V @ 15V, 75A	100 µA	Oui	4.44 NF @ 30 V
VS-ETL015Y120H	-	RFQ	2877	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Emipak-2b	ETL015		89 W	Standard	Emipak-2b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	56													Tranché	1200 V	22 A	3.03V @ 15V, 15A	75 µA	Oui	1.07 NF @ 30 V
VS-GA100TS120UPBF	-	RFQ	8337	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak	GA100		520 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		VSGA100TS120UPBF	EAR99	8541.29.0095	15	Demi-pont												-	1200 V	182 A	3V @ 15V, 100A	1 mA	Non	18,67 nf @ 30 V
VS-GA300TD60S	-	RFQ	9566	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 8)	GA300		1136 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGA300TD60S	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	600 V	530 A	1 45 V @ 15V, 300A	750 µA	Non
VS-GB100LP120N	-	RFQ	7295	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak	GB100		658 W	Standard	Int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB100LP120N	EAR99	8541.29.0095	24	Célibataire												-	1200 V	200 A	1,8 V @ 15V, 100A (TYP)	1 mA	Non	7,43 nf @ 25 V
Vs-gb100th120n	-	RFQ	9228	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB100		833 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB100TH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	1200 V	200 A	2,35 V @ 15V, 100A	5 mA	Non	8,58 nf @ 25 V
VS-GB100TP120U	-	RFQ	8769	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Int-a-pak	GB100		735 W	Standard	Int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB100TP120U	EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												-	1200 V	150 A	3,9 V @ 15V, 100A	2 mA	Non	4.3 NF @ 25 V
VS-GB100TS60NPBF	-	RFQ	6585	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak	GB100		390 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB100TS60NPBF	EAR99	8541.29.0095	15	Demi-pont												NPT	600 V	108 A	2,85 V @ 15V, 100A	100 µA	Non
VS-GB150LH120N	-	RFQ	4950	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB150		1389 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB150LH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Célibataire												-	1200 V	300 A	1,87 V @ 15V, 150A (TYP)	1 mA	Non	10.6 NF @ 25 V
VS-GB200LH120N	-	RFQ	4720	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB 200		1562 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB200LH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Célibataire												-	1200 V	370 A	2.07V @ 15V, 200A (TYP)	100 Na	Non	18 NF @ 25 V
VS-GB200TS60NPBF	-	RFQ	7396	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GB 200		781 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB200TS60NPBF	EAR99	8541.29.0095	15	Demi-pont												NPT	600 V	209 A	2,84 V @ 15V, 200A	200 µA	Non
Vs-gb300th120n	-	RFQ	7750	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB 300		1645 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB300TH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	1200 V	500 A	2,45 V @ 15V, 300A	5 mA	Non	21.2 NF @ 25 V
Vs-gb300th120u	-	RFQ	8038	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB 300		2119 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB300TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	1200 V	530 A	3,6 V @ 15V, 300A	5 mA	Non	25,3 nf @ 30 V
VS-GB400AH120N	-	RFQ	4488	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (5)	GB 400		2500 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB400AH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Célibataire												-	1200 V	650 A	1,9 V @ 15V, 400A (TYP)	5 mA	Non	30 nf @ 25 V
VS-GB50LA120UX	-	RFQ	6363	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GB50		431 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		VSGB50LA120UX	EAR99	8541.29.0095	180	Célibataire												NPT	1200 V	84 A	2,8 V @ 15V, 50A	50 µA	Non
VS-GB50NA120UX	-	RFQ	3846	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GB50		431 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		VSGB50NA120UX	EAR99	8541.29.0095	180	Célibataire												NPT	1200 V	84 A	2,8 V @ 15V, 50A	50 µA	Non
VS-GB50TP120N	-	RFQ	8378	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GB50		446 W	Standard	Int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB50TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												-	1200 V	100 A	2.15 V @ 15V, 50A	5 mA	Non	4.29 NF @ 25 V
VS-GB50YF120N	-	RFQ	8066	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	GB50		330 W	Standard	Econo2 4pack	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB50YF120N	EAR99	8541.29.0095	12													-	1200 V	66 A	4,5 V @ 15V, 75A	250 µA	Non
Vs-gb75da120up	-	RFQ	1823	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GB75		658 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		VSGB75DA120UP	EAR99	8541.29.0095	180	Célibataire												NPT	1200 V		3,8 V @ 15V, 75A	250 µA	Non
Vs-gb75lp120n	-	RFQ	9601	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GB75		658 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB75LP120N	EAR99	8541.29.0095	24	Célibataire												-	1200 V	170 A	1,82 V @ 15V, 75A (TYP)	1 mA	Non	5,52 nf @ 25 V
VS-GB75TP120N	-	RFQ	2743	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GB75		543 W	Standard	Int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB75TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												-	1200 V	150 A	2,35 V @ 15V, 75A	5 mA	Non	5,52 nf @ 25 V

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