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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI9630G | - |  | 2507 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI9630G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 200 V | 4.3A (TC) | 10V | 800mohm @ 2,6a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||
 | SQM200N04-1M7L_GE3 | 3.3700 | | 3819 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | SQM200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-7 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 291 NC @ 10 V | ± 20V | 11168 PF @ 20 V | - | 375W (TC) | ||||||||
 | IRF9520 | - | | 4694 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9520 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 6.8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||||
 | SI2399DS-T1-GE3 | 0,5100 | | 4257 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2399 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6A (TC) | 2,5 V, 10V | 34MOHM @ 5.1A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 20 NC @ 4,5 V | ± 12V | 835 PF @ 10 V | - | 2,5W (TC) | |||||||
 | SI5440DC-T1-GE3 | - | | 4577 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5440 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 6A (TC) | 4,5 V, 10V | 19MOHM @ 9.1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 6,3W (TC) | |||||||
 | SIS9446DN-T1-GE3 | 1.2800 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.6W (TA), 23W (TC) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal | 40V | 11.3A (TA), 34A (TC) | 1,2MOHM @ 10A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 16nc @ 10v | 720pf @ 20v | Standard | |||||||||||
 | SIHFR9310-GE3 | 0,3091 | | 3932 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihfr9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHFR9310-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
 | SIS407DN-T1-GE3 | 1 0000 | | 60 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 9.5MOHM @ 15.3A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 93,8 NC @ 8 V | ± 8v | 2760 PF @ 10 V | - | 3.6W (TA), 33W (TC) | ||||||||
 | SI4134DY-T1-GE3 | 0,7900 | | 3775 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4134 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 846 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||||||
 | 2N6661JTXL02 | - | | 8572 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 2N6661 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-39 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal n | 90 V | 860mA (TC) | 5v, 10v | 4OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||
| SI7802DN-T1-E3 | - | | 3425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7802 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 250 V | 1.24A (TA) | 6v, 10v | 435MOHM @ 1 95A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
| Irf624strr | - | | 3611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF624 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,6a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | SQS460ENW-T1_GE3 | 0,8900 | | 5409 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 36MOHM @ 5.3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 755 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||
 | SUM25P10-138-E3 | - | | 5340 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 16.7A (TC) | 6v, 10v | 13.8MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2110 PF @ 25 V | - | 3 75W (TA), 88,2W (TC) | ||||||||
 | SUM90330E-GE3 | 1.7200 | | 9823 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum90330 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 35.1a (TC) | 7,5 V, 10V | 37,5MOHM @ 12.2A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 PF @ 100 V | - | 125W (TC) | ||||||||
 | Sia106dj-t1-ge3 | 0,8800 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia106 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 10A (TA), 12A (TC) | 7,5 V, 10V | 18,5 mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 13,5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 PF @ 30 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | Sup57n20-33-e3 | 4.6700 | | 45 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup57 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sup57n2033e3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 57a (TC) | 10V | 33MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 300W (TC) | |||||||
 | Irfr214trr | - | | 5918 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||
 | Siss04DN-T1-GE3 | 1.5400 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss04 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 50,5A (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 15a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 93 NC @ 10 V | + 16v, -12v | 4460 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
| SI9434BDY-T1-E3 | - | | 9597 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9434 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 40 mohm @ 6,3a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.3W (TA) | ||||||||
 | SIB457EDK-T1-GE3 | 0,5500 | | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6 | SIB457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-75-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 9A (TC) | 4,5 V | 35MOHM @ 4.8A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 44 NC @ 8 V | ± 8v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||||||
 | Sir826ldp-t1-re3 | 1.6400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 21.3A (TA), 86A (TC) | 10V | 5MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 40 V | - | 5W (TA), 83W (TC) | |||||||
| 2N4339-E3 | - | | 8037 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4339 | 300 MW | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | Canal n | 7pf @ 15v | 50 V | 500 µA à 15 V | 600 mV @ 100 na | |||||||||||||
| SQM40020E_GE3 | 2.4400 | | 5592 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2 33MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||
| IRl620Strl | - | | 4869 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800MOHM @ 3.1A, 10V | 2V à 250µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||
| Sup60n10-16l-e3 | - | | 9230 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3820 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||
| Irfps38n60l | - | | 1105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Irfps38 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 38A (TC) | 10V | 150mohm @ 23A, 10V | 5V @ 250µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 PF @ 25 V | - | 540W (TC) | |||||||
| Sud35n05-26l-e3 | - | | 6918 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 55 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 885 pf @ 25 V | - | 7.5W (TA), 50W (TC) | |||||||
 | Irfr420pbf-be3 | 0,7513 | | 1006 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 742-IRFR420PBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||
| SI9933BDY-T1-E3 | - | | 3154 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9933 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.6a | 60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 9NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique |
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