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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | V30419-T1-GE3 | - |  | 4403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | V30419 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||
 | SI7112DN-T1-GE3 | 1.7500 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7112 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 17,8a, 10v | 1,5 V @ 250µA | 27 NC @ 4,5 V | ± 12V | 2610 PF @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI4116DY-T1-GE3 | 1.2500 | | 2837 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4116 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 18A (TC) | 2,5 V, 10V | 8,6MOHM @ 10A, 10V | 1,4 V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 12V | 1925 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | Irfz14strlpbf | 0,9500 | | 9473 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 10V | 200 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI1553DL-T1-GE3 | - | | 7147 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 270MW | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 660mA, 410mA | 385MOHM @ 660mA, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 1.2NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irfr430apbf | 1 9000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,7 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
| SI4090DY-T1-GE3 | 1 5000 | | 4820 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 19.7A (TC) | 6v, 10v | 10MOHM @ 15A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 PF @ 50 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | Sup70060e-ge3 | 2.0800 | | 4366 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup70060 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 131a (TC) | 7,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3330 pf @ 50 V | - | 200W (TC) | |||||
| Irfr9024trpbf | 1.2900 | | 16 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 8.8A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI7892BDP-T1-GE3 | 1 9000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7892 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 40 NC @ 4,5 V | ± 20V | 3775 PF @ 15 V | - | 1.8W (TA) | |||||
 | Irfd420pbf | 1.8600 | | 8782 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Irfd420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfd420pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 370mA (TA) | 10V | 3OHM @ 220mA, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | ||||
| SI4914BDY-T1-E3 | - | | 6821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.7W, 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 8.4A, 8A | 21MOHM @ 8A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 10.5nc @ 4,5 V | - | - | |||||||
 | Irfp244pbf | 5.3100 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP244 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp244pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 250 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| Irfd9220pbf | 2.7600 | | 2009 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal p | 200 V | 560mA (TA) | 10V | 1,5 ohm @ 340mA, 10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | |||||
 | Irfi9520gpbf | 2 5000 | | 7933 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi9520gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
 | SI5509DC-T1-E3 | - | | 6333 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4,5 W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 6.1a, 4.8a | 52MOHM @ 5A, 4,5 V | 2V à 250µA | 6.6nc @ 5v | 455pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI3456BDV-T1-E3 | - | | 1200 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 6A, 10V | 3V à 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | SQJ208EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 9567 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ208 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W (TC), 48W (TC) | PowerPak® SO-8 Double asymétrique | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 20A (TC), 60A (TC) | 9.4MOHM @ 6A, 10V, 3,9MOHM @ 10A, 10V | 2,3 V @ 250µA, 2,4 V @ 250µA | 33nc @ 10v, 75nc @ 10v | 1700pf @ 25v, 3900pf @ 25V | - | |||||||
| Irfpc50lc | - | | 9050 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpc50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPC50LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2300 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
 | SQJ481EP-T1_GE3 | 1 0000 | | 3253 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 80 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 80MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | SUM110N06-3M4L-E3 | - | | 9202 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 110a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,4MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 12900 pf @ 25 V | - | 3 75W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SQJ418EP-T1_GE3 | 1.1800 | | 25 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 48A (TC) | 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SI5933CDC-T1-GE3 | - | | 9300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5933 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,8 W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.7a | 144MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 6.8nc @ 5v | 276pf @ 10v | - | ||||||
 | Irfbc40astrr | - | | 7947 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| IRFR210 | - | | 8250 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | IRF530L | - | | 2765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF530L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 14A (TC) | 10V | 160MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | - | ||||
| SI7366DP-T1-E3 | - | | 4870 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7366 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 25 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.7W (TA) | |||||
 | SIHP15N60E-E3 | 1 5582 | | 7050 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | SiHP15N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | ||||
| SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 19.8a | 4,6MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 45nc @ 10v | 2110pf @ 10v | - | |||||||
| IRF740LCS | - | | 6821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF740 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF740LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | - |
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Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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