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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sup70n03-09bp-e3 | - |  | 2489 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 30 V | 70A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 30A, 10V | 2V à 250µA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | |||||
 | SI7904DN-T1-GE3 | - | | 7903 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 5.3a | 30 mohm @ 7,7a, 4,5 V | 1V @ 935µA | 15nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI7135DP-T1-GE3 | 2.2300 | | 3236 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7135 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 8650 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| Sir664dp-T1-Ge3 | 1.1400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir664 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 6MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | 1750 pf @ 30 V | - | |||||||||
 | SI6983DQ-T1-E3 | - | | 8098 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6983 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.6a | 24MOHM @ 5.4A, 4,5 V | 1V @ 400µA | 30nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Sia913adj-t1-ge3 | 0,6200 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | Sia913 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6,5 W | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 4.5a | 61mohm @ 3,6a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 20nc @ 8v | 590pf @ 6v | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | SI1411DH-T1-GE3 | 0,9000 | | 9266 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1411 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 420mA (TA) | 10V | 2,6 ohm @ 500mA, 10v | 4,5 V @ 100µA | 6.3 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1W (ta) | |||||
 | Sira52dp-t1-re3 | 0,5600 | | 2336 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira52 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | ||||||
| SQ1912AEEH-T1_GE3 | 0.4900 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1912 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | SC-70-6 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 800mA (TC) | 280MOHM @ 1.2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.25nc @ 4,5 V | 27pf @ 10v | - | ||||||||
 | Sia469dj-T1-GE3 | 0 4700 | | 198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia469 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 26,5MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1020 pf @ 15 V | - | 15.6W (TC) | |||||
| SI7911DN-T1-E3 | - | | 9645 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | Si7911 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.2a | 51MOHM @ 5.7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | Sir186ldp-t1-re3 | 1 0000 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIR186LDP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 23.8A (TA), 80,3A (TC) | 4,5 V, 10V | 4.4MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1980 PF @ 30 V | - | 5W (TA), 57W (TC) | |||||
 | IRFR1N60APBF-BE3 | 1 5500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | 742-IRFR1N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||
| Irf720pbf | 1.2900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF720 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf720pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 3.3A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 410 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | IRFD9024 | - | | 5952 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFD9024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 1.6A (TA) | 10V | 280MOHM @ 960mA, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |||
 | Si4463bdy-t1-e3 | 1,6000 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4463 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 9.8A (TA) | 2,5 V, 10V | 11MOHM @ 13.7A, 10V | 1,4 V @ 250µA | 56 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | 2.2500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 10.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 13a, 10v | 3V à 250µA | 95 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI1470DH-T1-E3 | - | | 9308 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1470 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 66MOHM @ 3,8A, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 7,5 NC @ 5 V | ± 12V | 510 PF @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2,8W (TC) | ||||
| SI7454CDP-T1-GE3 | - | | 2262 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 30,5 mohm @ 10a, 10v | 2,8 V @ 250µA | 19,5 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 50 V | - | 4.1W (TA), 29,7W (TC) | ||||
| SI4336DY-T1-E3 | - | | 8821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4336 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 17a (ta) | 4,5 V, 10V | 3,25 mohm @ 25a, 10v | 3V à 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 20V | 5600 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | ||||
 | SI1028X-T1-GE3 | - | | 3803 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1028 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 220mw | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | - | 650mohm @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | 2NC @ 10V | 16pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Sud50p04-08-e3 | - | | 2195 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Sud50 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | Irf730aspbf | 2.2900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF730 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf730aspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 3,3A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| Sia429djt-t1-ge3 | 0,6200 | | 5578 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia429 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 20,5 mohm @ 6a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 62 NC @ 8 V | ± 8v | 1750 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQJ962EP-T1-GE3 | - | | 1684 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ962 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 25W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 8a | 60 mohm @ 4.3a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 14nc @ 10v | 475pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | |||||||
| SI7858ADP-T1-GE3 | 2.7500 | | 5811 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 20A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 2,6MOHM @ 29A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 80 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5700 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SI7358ADP-T1-E3 | - | | 3708 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7358 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 14A (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 23A, 10V | 3V à 250µA | 40 NC @ 4,5 V | ± 20V | 4650 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||
 | SI3407DV-T1-GE3 | 0,5100 | | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 8A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 12V | 1670 PF @ 10 V | - | 4.2W (TC) | |||||
| SQR100N04-3M8R_GE3 | 0,6791 | | 2349 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | - | - | SQR100 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQR100N04-3M8R_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
| IRl640pbf | 2.4800 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRL640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRl640pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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