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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2343DS-T1 | - |  | 6118 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 4,5 V, 10V | 53MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | |||
 | SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 20a, 10v | 2,8 V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI4532ADY-T1-GE3 | - | | 8584 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.13W, 1.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30V | 3.7A, 3A | 53MOHM @ 4.9A, 10V | 1V @ 250µA | 16nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SIHB24N65ET5-GE3 | 3.7126 | | 2444 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2740 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| SI7852ADP-T1-E3 | 2.7800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 30a (TC) | 8v, 10v | 17MOHM @ 10A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1825 PF @ 40 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | ||||
| Irf740strrpbf | 1.8357 | | 5444 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF740 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI8425DB-T1-E1 | 0,5900 | | 1239 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, wlcsp | Si8425 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-WLCSP (1.6x1.6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.9A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 23MOHM @ 2A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 10V | 2800 pf @ 10 V | - | 1.1W (TA), 2,7W (TC) | |||
| SI4688DY-T1-E3 | - | | 3004 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4688 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 8.9a (TA) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 12A, 10V | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||
| SI4858DY-T1-E3 | - | | 1496 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4858 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 5.25MOHM @ 20A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 40 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||
| SI4880DY-T1-E3 | - | | 8371 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4880 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 13a, 10v | 1,8 V à 250µA | 25 NC @ 5 V | ± 25V | - | 2.5W (TA) | ||||
| SI4830CDY-T1-E3 | - | | 5772 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.9W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 8a | 20 mohm @ 8a, 10v | 3V @ 1MA | 25nc @ 10v | 950pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Irf730astrrpbf | - | | 1299 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF730 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 3,3A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | Sihu3n50d-ge3 | 0,3532 | | 7013 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Sihu3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3,2 ohm @ 2,5a, 10v | 5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 PF @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| SI4654DY-T1-E3 | - | | 1503 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4654 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 28.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 16V | 3770 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5,9W (TC) | |||
| SI4864DY-T1-E3 | 2.1227 | | 3338 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4864 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 3,5 mohm @ 25a, 4,5 V | 2V à 250µA | 70 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI1972DH-T1-E3 | - | | 3650 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1972 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1,3a, 10v | 2,8 V @ 250µA | 2.8nc @ 10v | 75pf @ 15v | - | |||||
| SI4818DY-T1-E3 | - | | 7266 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4818 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W, 1,25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.3A, 7A | 22MOHM @ 6.3A, 10V | 800 mV à 250µa (min) | 12nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | |||||
 | SQJQ140E-T1_GE3 | 3.4200 | | 215 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 701A (TC) | 10V | 0,53MOHM @ 20A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 288 NC @ 10 V | ± 20V | 17000 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | |||||
 | Irfr320trl | - | | 3616 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 400 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SiHP22N65E-GE3 | 2.4402 | | 1004 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 22A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
| SI7668ADP-T1-GE3 | - | | 2483 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7668 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 1,8 V à 250µA | 170 NC @ 10 V | ± 12V | 8820 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||
 | SI3850ADV-T1-GE3 | - | | 3328 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3850 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.08W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | N et p canal, draine commun | 20V | 1.4a, 960mA | 300mohm @ 500mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.4NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
| Irfz44spbf | 2.7800 | | 8486 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| SI3454ADV-T1-E3 | - | | 5088 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 3.4A (TA) | 4,5 V, 10V | 60 mohm @ 4.5a, 10v | 3V à 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||
 | SIS468DN-T1-GE3 | 1.3200 | | 8633 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS468 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 19,5 mohm @ 10a, 10v | 3V à 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 780 PF @ 40 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SUM70030E-GE3 | 3.6700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum70030 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 150a (TC) | 7,5 V, 10V | 2 88MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 214 NC @ 10 V | ± 20V | 10870 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||
| SI7414DN-T1-GE3 | 1 5500 | | 7568 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7414 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 5.6A (TA) | 4,5 V, 10V | 25 mohm @ 8,7a, 10v | 3V à 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SUP28N15-52-E3 | - | | 3391 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup28 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 150 V | 28a (TC) | 6v, 10v | 52MOHM @ 5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1725 PF @ 25 V | - | 3,75W (TA), 120W (TC) | |||
 | SI7946DP-T1-E3 | - | | 1178 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 150V | 2.1a | 150 mohm @ 3,3a, 10v | 4V @ 250µA | 20nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||
 | Siud412ed-T1-Ge3 | 0,5100 | | 137 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 0806 | Siud412 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 0806 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 500mA (TC) | 1,2 V, 4,5 V | 340 MOHM @ 500mA, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 0,71 NC @ 4,5 V | ± 5V | 21 pf @ 6 V | - | 1.25W (TA) |
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