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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sud50p04-13l-e3 | - |  | 2282 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 13MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3120 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 93,7W (TC) | ||||
 | Irf630pbf | 1.5300 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf630pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10v | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SI7848DP-T1-E3 | - | | 5191 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 10.4a (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.83W (TA) | |||||
 | Si6926Adq-T1-GE3 | 0,9700 | | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6926 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4.1a | 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Sup85n03-04p-e3 | - | | 2868 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 30 V | 85a (TC) | 4,5 V, 10V | 4,3MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 166W (TC) | ||||
 | SUM50020E-GE3 | 2.8900 | | 4159 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM50020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 7,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 11150 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SiHG21N60EF-GE3 | 4.4700 | | 6532 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 176MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2030 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | SI5913DC-T1-GE3 | - | | 5112 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5913 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4A (TC) | 2,5 V, 10V | 84MOHM @ 3,7A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.7W (TA), 3.1W (TC) | ||||
| SUD25N04-25-T4-E3 | - | | 6074 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 510 PF @ 25 V | - | 3W (TA), 33W (TC) | ||||
 | SQA470EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 8742 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | SQA470 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 2.25A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 65MOHM @ 3A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6 NC @ 4,5 V | ± 12V | 440 PF @ 20 V | - | 13.6W (TC) | |||||
 | Irfr010pbf | 1.4700 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfr010pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
| IRFB13N50APBF | 3,5000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRFB13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 14A (TC) | 10V | 450mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ± 30V | 1910 PF @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Siss10Adn-T1-Ge3 | 0,9600 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 31.7A (TA), 109A (TC) | 4,5 V, 10V | 2 65 mohm @ 15a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3030 PF @ 20 V | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | |||||
 | VQ1006P-E3 | - | | 2870 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | - | VQ1006 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 14 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 N-Canal | 90V | 400mA | 4,5 ohm @ 1a, 10v | 2,5 V @ 1MA | - | 60pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | 1.4600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir164 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,5 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 123 NC @ 10 V | ± 20V | 3950 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
| SI7452DP-T1-GE3 | - | | 4778 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7452 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 11.5A (TA) | 10V | 8,3MOHM @ 19,3A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | Irfibe20gpbf | 2.9500 | | 38 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IrFibe20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 1.4A (TC) | 10V | 6,5 ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||
| Irfi9z24gpbf | 2.6600 | | 1536 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi9z24gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 60 V | 8.5A (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.1A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| SI7491DP-T1-GE3 | - | | 5586 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7491 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 85 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
| SQJ401EP-T2_GE3 | 0,9356 | | 3922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJ401EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 32A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 6MOHM @ 15A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 164 NC @ 4,5 V | ± 8v | 10015 pf @ 6 V | - | 83W (TC) | ||||
 | Sum110p08-11-e3 | - | | 5642 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 80 V | 110a (TC) | 10V | 11.1MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 11500 pf @ 40 V | - | 13.6W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SI7113ADN-T1-GE3 | 0,6600 | | 4156 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7113 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 100 V | 10.8a (TC) | 4,5 V, 10V | 132MOHM @ 3,8A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 20V | 515 pf @ 50 V | - | 27.8W (TC) | |||||
| Siss64dn-t1-ge3 | 1.3800 | | 2142 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss64 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2.1MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3420 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||||
 | SQJ152EP-T1_GE3 | 0,9400 | | 5309 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 114a (TC) | 10V | 5.1MOHM @ 15A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||
 | Irf510strrpbf | 1.4900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 540mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SQ2361ES-T1_GE3 | 0,6300 | | 7852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2.8A (TC) | 10V | 177MOHM @ 2,4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 2W (TC) | ||||||
 | SQ4920EY-T1_GE3 | 1.6600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4920 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4.4W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 14,5 mohm @ 6a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 30nc @ 10v | 1465pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||
| SQM10250E_GE3 | 3.2100 | | 8409 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM10250 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 65A (TC) | 7,5 V, 10V | 30 mohm @ 15a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4050 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SQP90P06-07L_GE3 | - | | 6256 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal p | 60 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,7MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 14280 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||
 | Sua70090e-e3 | - | | 4789 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sua70090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 42.8a (TC) | 7,5 V, 10V | 9.3MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 PF @ 50 V | - | 35,7W (TC) |
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