SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SQ4401CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4401CEY-T1_GE3 1.2300
RFQ
ECAD 8343 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger 1 (illimité) 742-SQ4401CEY-T1_GE3CT EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 40 V 17.3A (TC) 4,5 V, 10V 14MOHM @ 10.5A, 10V 2,5 V @ 250µA 115 NC @ 10 V ± 20V 4250 PF @ 20 V - 7.14W (TC)
SIS4604LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Sis4604ldn-t1-ge3 0,9300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SIS4604 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 15.1a (TA), 45,9a (TC) 4,5 V, 10V 8,9MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 30 V - 3.6W (TA), 33,7W (TC)
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF5300DT-T1-GE3 2.0700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 12-PowerPair ™ Sizf5300 MOSFET (Oxyde Métallique) 4.5W (TA), 56,8W (TC) Powerpair® 3x3fs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) couronne source 30V 35A (TA), 125A (TC) 2 43MOHM @ 10A, 10V 2V à 250µA 32nc @ 10v 1480pf @ 15v -
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK055N60EF-T1GE3 9.1100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerBsfn Sihk055 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerpak®10 x 12 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 40A (TC) 10V 58MOHM @ 16A, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ± 30V 3667 PF @ 100 V - 236W (TC)
SIDR5802EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SiDR5802EP-T1-RE3 2.8700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr5802 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 34.2a (TA), 153A (TC) 7,5 V, 10V 2,9MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3020 PF @ 40 V - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SiDR5102EP-T1-RE3 2.9900
RFQ
ECAD 4824 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr5102 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 28.2A (TA), 126A (TC) 7,5 V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 50 V - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIR184LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir184ldp-t1-re3 1.5300
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 21.5A (TA), 73A (TC) 4,5 V, 10V 5.4MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1950 PF @ 30 V - 5W (TA), 56,8W (TC)
SIJH5700E-T1-GE3 Vishay Siliconix Sijh5700e-t1-ge3 6.5400
RFQ
ECAD 8533 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 8 x 8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 150 V 17A (TA), 174A (TC) 7,5 V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ± 20V 7500 pf @ 75 V - 3.3W (TA), 333W (TC)
SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK105N60EF-T1GE3 5.8000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerBsfn MOSFET (Oxyde Métallique) Powerpak®10 x 12 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 24a (TC) 10V 105MOHM @ 10A, 10V 5V @ 250µA 51 NC @ 10 V ± 30V 2301 PF @ 100 V - 142W (TC)
SQS141ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS141ELNW-T1_GE3 1.0300
RFQ
ECAD 4391 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8SLW télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 40 V 101a (TC) 4,5 V, 10V 10MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 141 NC @ 10 V ± 20V 7458 PF @ 25 V - 192W (TC)
SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK045N60EF-T1GE3 10.4700
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerBsfn MOSFET (Oxyde Métallique) Powerpak®10 x 12 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 47a (TC) 10V 52MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ± 30V 4685 PF @ 100 V - 278W (TC)
SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz342adt-t1-ge3 0,8600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Siz342 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-Power33 (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 15.7A (TA), 33,4A (TC) 9.4MOHM @ 10A, 10V 2,4 V @ 250µA 12.2nc @ 10v 580pf @ 15v -
SIHB105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB105N60EF-GE3 3.8300
RFQ
ECAD 3134 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb105 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 29A (TC) 10V 102MOHM @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1804 PF @ 100 V - 208W (TC)
SIJ462ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sij462adp-t1-ge3 1.4600
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sij462 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIJ462ADP-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 15.8A (TA), 39,3A (TC) 4,5 V, 10V 7,2MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1235 pf @ 30 V - 3.6W (TA), 22,3W (TC)
SIDR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SiDR104Adp-T1-RE3 2.5600
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr104 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 18.8A (TA), 81A (TC) 7,5 V, 10V 6,1MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ± 20V 3250 pf @ 50 V - 5.4W (TA), 100W (TC)
SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz340adt-t1-ge3 1.1100
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Siz340 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) 8-Power33 (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIZ340ADT-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 15.7A (TA), 33,4A (TC), 25,4a (TA), 69,7a (TC) 9.4MOHM @ 10A, 10V, 4 29MOHM @ 20A, 10V 2,4 V @ 250µA 12.2NC @ 10V, 27.9NC @ 10V 580pf @ 15v, 1290pf @ 15v -
SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir680Adp-T1-RE3 2.3400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir680 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 30.7A (TA), 125A (TC) 7,5 V, 10V 2 88MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250µA 83 NC @ 10 V ± 20V 4415 PF @ 40 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz260dt-t1-ge3 1.2100
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Siz260 MOSFET (Oxyde Métallique) 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 80V 8.9A (TA), 24,7A (TC), 8.9A (TA), 24,6A (TC) 24.5MOHM @ 10A, 10V, 24.7MOHM @ 10A, 10V 2,4 V @ 250µA 27nc @ 10v 820pf @ 40V -
SISS94DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss94DN-T1-GE3 0,9100
RFQ
ECAD 7062 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss94 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 5.4A (TA), 19,5A (TC) 7,5 V, 10V 75MOHM @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 100 V - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss22ldn-t1-ge3 1.2100
RFQ
ECAD 8624 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss22 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-Siss22ldn-T1-Ge3tr EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 25,5a (TA), 92,5a (TC) 4,5 V, 10V 3 65 mohm @ 15a, 10v 2,5 V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2540 PF @ 30 V - 5W (TA), 65,7W (TC)
SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 0,5200
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN III Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Sisa35 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 10A (TA), 16A (TC) 4,5 V, 10V 19MOHM @ 9A, 10V 2,2 V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 24W (TC)
SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3 2.0200
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Sizf906 MOSFET (Oxyde Métallique) 4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) 8-PowerPair® (6x5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT EAR99 8541.29.0095 3 000 2 N-Canal (double), Schottky 30V 36A (TA), 105A (TC), 63A (TA), 257A (TC) 2,1MOHM @ 15A, 10V, 680µohm @ 20A, 10V 2,2 V @ 250µA 49nc @ 10v, 165nc @ 10v 1630pf @ 15v, 5550pf @ 15v -
SIHB24N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3 3 5600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb24 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger 1 (illimité) 742-SIHB24N80AE-GE3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 21A (TC) 184MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 V ± 30V 1836 PF @ 100 V - 208W (TC)
SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 1.1600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 18.4A (TA), 65A (TC) 7,4MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1915 PF @ 20 V - 5W (TA), 62,5W (TC)
IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFB9N60APBF-BE3 3.0800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfb9 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-IRFB9N60APBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 9.2a (TC) 750mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 170W (TC)
SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-BE3 0,5300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1403 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70-6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 1.4A (TA) 150 mohm @ 1,5a, 4,5 V 1,3 V à 250µA 4,5 NC @ 4,5 V ± 12V - 568mw (TA)
IRFR210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR210TRPBF-BE3 1.1700
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR210 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 200 V 2.6a (TC) 1,5 ohm @ 1,6a, 10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix Irfr110trlpbf-be3 1.3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR110 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 4.3A (TC) 540 mOhm @ 2,6a, 10v 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF9630PBF-BE3 Vishay Siliconix Irf9630pbf-be3 1.6400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF9630 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-irf9630pbf-be3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 6.5a (TC) 800mohm @ 3,9a, 10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 74W (TC)
IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix Irf510pbf-be3 1.1200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF510 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-IRF510PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 5.6a (TC) 540mohm @ 3,4a, 10v 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 43W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock