SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA01DN-T1-GE3 0,9300
RFQ
ECAD 4089 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Sisa01 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 22.4A (TA), 60A (TC) 4,5 V, 10V 4,9MOHM @ 15A, 10V 2,2 V @ 250µA 84 NC @ 10 V + 16v, -20V 3490 PF @ 15 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI3410DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3410DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7865 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3410 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 8A (TC) 4,5 V, 10V 19,5 mohm @ 5a, 10v 3V à 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V 1295 PF @ 15 V - 2W (TA), 4.1W (TC)
SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR178DP-T1-RE3 1.7200
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir178 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIR178DP-T1-RE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 100A (TA), 430A (TC) 2,5 V, 10V 0,4MOHM @ 30A, 10V 1,5 V @ 250µA 310 NC @ 10 V + 12V, -8V 12430 pf @ 10 V - 6.3W (TA), 104W (TC)
IRF820S Vishay Siliconix IRF820 -
RFQ
ECAD 8597 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF820 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRF820 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 2.5a (TC) 10V 3OHM @ 1,5A, 10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI5486DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5486DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5361 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® Chipfet ™ Single SI5486 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® Chipfet ™ Single télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 12A (TC) 1,8 V, 4,5 V 15MOHM @ 7.7A, 4,5 V 1V @ 250µA 54 NC @ 8 V ± 8v 2100 PF @ 10 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
IRFP254PBF Vishay Siliconix Irfp254pbf 4.2200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP254 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfp254pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 250 V 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 190W (TC)
SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3 0,5200
RFQ
ECAD 127 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (Oxyde Métallique) 270MW SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 660mA 385MOHM @ 660mA, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 1.2NC @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
IRF9510SPBF Vishay Siliconix IRF9510SPBF 2.0400
RFQ
ECAD 996 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9510 MOSFET (Oxyde Métallique) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal p 100 V 4A (TC) 10V 1,2 ohm @ 2,4a, 10v 4V @ 250µA 8,7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 43W (TC)
IRC740PBF Vishay Siliconix Irc740pbf -
RFQ
ECAD 2473 0,00000000 Vishay Siliconix Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-5 IRC740 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-5 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRC740PBF EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 400 V 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V Détection de Courant 125W (TC)
IRF530PBF Vishay Siliconix Irf530pbf 1 4000
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF530 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf530pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 14A (TC) 10V 160MOHM @ 8,4A, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 670 pf @ 25 V - 88W (TC)
IRFZ34 Vishay Siliconix Irfz34 -
RFQ
ECAD 6877 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfz34 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfz34 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 30a (TC) 10V 50MOHM @ 18A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 88W (TC)
SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2336DS-T1-GE3 0,5100
RFQ
ECAD 5756 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2336 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 5.2a (TC) 1,8 V, 4,5 V 42MOHM @ 3,8A, 4,5 V 1V @ 250µA 15 NC @ 8 V ± 8v 560 pf @ 15 V - 1,25W (TA), 1,8W (TC)
IRFR9310TRR Vishay Siliconix Irfr9310trr -
RFQ
ECAD 7590 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9310 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 400 V 1.8A (TC) 10V 7OHM @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 50W (TC)
SIHH21N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3 6.4800
RFQ
ECAD 675 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN Sihh21 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 650 V 19.8A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 102 NC @ 10 V ± 30V 2396 pf @ 100 V - 156W (TC)
SI3446ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3446ADV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4627 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3446 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 6A (TC) 2,5 V, 4,5 V 37MOHM @ 5.8A, 4,5 V 1,8 V à 250µA 20 nc @ 10 V ± 12V 640 PF @ 10 V - 2W (TA), 3,2W (TC)
IRFR9014TRR Vishay Siliconix Irfr9014trr -
RFQ
ECAD 5215 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9014 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 60 V 5.1a (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10v 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock