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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SISA01DN-T1-GE3 | 0,9300 | ![]() | 4089 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa01 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 22.4A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,9MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | + 16v, -20V | 3490 PF @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SI3410DV-T1-E3 | - | ![]() | 7865 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 19,5 mohm @ 5a, 10v | 3V à 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1295 PF @ 15 V | - | 2W (TA), 4.1W (TC) | ||||
![]() | SIR178DP-T1-RE3 | 1.7200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir178 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIR178DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 100A (TA), 430A (TC) | 2,5 V, 10V | 0,4MOHM @ 30A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 310 NC @ 10 V | + 12V, -8V | 12430 pf @ 10 V | - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||
![]() | IRF820 | - | ![]() | 8597 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF820 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
![]() | SI5486DU-T1-GE3 | - | ![]() | 5361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5486 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 12A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 15MOHM @ 7.7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 54 NC @ 8 V | ± 8v | 2100 PF @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
![]() | Irfp254pbf | 4.2200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP254 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp254pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 250 V | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
![]() | SI1902DL-T1-GE3 | 0,5200 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 270MW | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 660mA | 385MOHM @ 660mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | IRF9510SPBF | 2.0400 | ![]() | 996 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,4a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
Irc740pbf | - | ![]() | 2473 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | IRC740 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRC740PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | Détection de Courant | 125W (TC) | ||||
Irf530pbf | 1 4000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf530pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 14A (TC) | 10V | 160MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||
Irfz34 | - | ![]() | 6877 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfz34 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 10V | 50MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
![]() | SI2336DS-T1-GE3 | 0,5100 | ![]() | 5756 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2336 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5.2a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 42MOHM @ 3,8A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15 NC @ 8 V | ± 8v | 560 pf @ 15 V | - | 1,25W (TA), 1,8W (TC) | ||||
![]() | Irfr9310trr | - | ![]() | 7590 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
![]() | SIHH21N65EF-T1-GE3 | 6.4800 | ![]() | 675 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 19.8A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 30V | 2396 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
![]() | SI3446ADV-T1-GE3 | - | ![]() | 4627 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 37MOHM @ 5.8A, 4,5 V | 1,8 V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 12V | 640 PF @ 10 V | - | 2W (TA), 3,2W (TC) | ||||
![]() | Irfr9014trr | - | ![]() | 5215 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
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