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Transistors (5716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
Irfbg20pbf	1.8300	RFQ	3338	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfbg20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfbg20pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	1000 V	1.4A (TC)	10V	11OHM @ 840mA, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	500 pf @ 25 V	-	54W (TC)
Siss30Adn-T1-Ge3	1.3500	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss30	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	15.9A (TA), 54,7a (TC)	7,5 V, 10V	8,9MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1295 PF @ 40 V	-	4.8W (TA), 57W (TC)
TP0610K-T1-GE3	0.4900	RFQ	227	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0610	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	60 V	185mA (TA)	4,5 V, 10V	6OHM @ 500mA, 10V	3V à 250µA	1,7 NC @ 15 V	± 20V	23 pf @ 25 V	-	350MW (TA)
Irfib5n50lpbf	-	RFQ	6961	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfib5	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfib5n50lpbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	4.7A (TC)	10V	800mohm @ 2,4a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	42W (TC)
Irfr9010tr	-	RFQ	6264	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9010	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	50 V	5.3A (TC)	10V	500MOHM @ 2,8A, 10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SI3430DV-T1-E3	1.2500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3430	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	1.8A (TA)	6v, 10v	170MOHM @ 2,4A, 10V	2V @ 250µA (min)	6,6 NC @ 10 V	± 20V		-	1.14W (TA)
Irfz44rstrr	-	RFQ	7617	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz44	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	50A (TC)	10V	28MOHM @ 31A, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI7272DP-T1-GE3	1.4900	RFQ	4163	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SI7272	MOSFET (Oxyde Métallique)	22W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		30V	25A		9.3MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	26nc @ 10v		1100pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SIHH14N65EF-T1-GE3	5.4100	RFQ	3783	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Sihh14	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	650 V	15A (TC)	10V	271MOHM @ 7A, 10V	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 30V	1749 PF @ 100 V	-	156W (TC)
Irfb11n50a	-	RFQ	4577	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfb11	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFB11N50A	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	11a (TC)	10V	520 MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1423 PF @ 25 V	-	170W (TC)
IRF840	-	RFQ	4727	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF840	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF840	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
Sihl620strl-ge3	0,9000	RFQ	788	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	200 V	5.2a (TC)	4V, 10V	800MOHM @ 3.1A, 10V	2V à 250µA	16 NC @ 5 V	± 10V	360 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 50W (TC)
Irf820apbf	1.7300	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF820	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* IRF820APBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	2.5a (TC)	10V	3OHM @ 1,5A, 10V	4,5 V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	340 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Sihfr430atrl-ge3	0,4263	RFQ	5203	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sihfr430	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHFR430ATRL-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	500 V	5A (TC)	10V	1,7 ohm @ 3a, 10v	4,5 V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 25 V	-	110W (TC)
SI2342DS-T1-GE3	0,5100	RFQ	4234	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2342	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	8 V	6A (TC)	1,2 V, 4,5 V	17MOHM @ 7.2A, 4,5 V	800 mV à 250µA	15,8 NC @ 4,5 V	± 5V	1070 PF @ 4 V	-	2,5W (TC)
Irfbc30pbf	1.7300	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfbc30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfbc30pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	3.6A (TC)	10V	2,2 ohm @ 2,2a, 10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 25 V	-	74W (TC)
SI4804BDY-T1-GE3	-	RFQ	9473	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4804	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	5.7A		22MOHM @ 7.5A, 10V	3V à 250µA	11nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
VQ1004P	-	RFQ	4690	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		-		830mA (TA)	5v, 10v	-	-		± 20V		-	-
IRFZ34S	-	RFQ	8353	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFZ34S	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	60 V	30a (TC)	10V	50MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI1303EDL-T1-E3	-	RFQ	7121	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	Si1303	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	20 V	670mA (TA)	2,5 V, 4,5 V	430MOHM @ 1A, 4,5 V	600 mV à 250 µA (min)	2,5 NC @ 4,5 V	± 12V		-	290MW (TA)
SIR422DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	9	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir422	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	6,6MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1785 PF @ 20 V	-	5W (TA), 34,7W (TC)
SI7540DP-T1-E3	-	RFQ	9589	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SI7540	MOSFET (Oxyde Métallique)	1,4 W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		12V	7.6a, 5.7a		17MOHM @ 11.8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Irfbc30al	-	RFQ	2824	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Irfbc30	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfbc30al	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	3.6A (TC)	10V	2,2 ohm @ 2,2a, 10v	4,5 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 30V	510 PF @ 25 V	-	74W (TC)
IRFI840G	-	RFQ	4585	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi840	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFI840G	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	4.6a (TC)	10V	850mohm @ 2,8a, 10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IRFBE20PBF-BE3	1.5700	RFQ	985	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfbe20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-irfbe20pbf-be3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	800 V	1.8A (TC)		6,5 ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	530 pf @ 25 V	-	54W (TC)
IRF9510L	-	RFQ	9119	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF9510	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		* IRF9510L	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	100 V	4A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,4a, 10v	4V @ 250µA	8,7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	-
IRl640Strl	-	RFQ	7857	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL640	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	200 V	17A (TC)	4V, 5V	180mohm @ 10a, 5v	2V à 250µA	66 NC @ 5 V	± 10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
Irf614spbf	1.7300	RFQ	193	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF614	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	250 V	2.7A (TC)	10V	2OHM @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 36W (TC)
Sup75p03-07-e3	-	RFQ	4637	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup75	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		Sup75p0307e3	EAR99	8541.29.0095	500		Canal p	30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 30A, 10V	3V à 250µA	240 NC @ 10 V	± 20V	9000 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 187W (TC)
SIE844DF-T1-E3	-	RFQ	7044	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (U)	Sie844	MOSFET (Oxyde Métallique)		10-Polarpak® (U)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	44,5a (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 12.1A, 10V	3V à 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2150 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 25W (TC)

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