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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sum33n20-60p-e3 | - |  | 2669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 33A (TC) | 10v, 15v | 59MOHM @ 20A, 15V | 4,5 V @ 250µA | 113 NC @ 15 V | ± 25V | 2735 PF @ 25 V | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
| SQM40081EL_GE3 | 1.7900 | | 8318 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40081 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 25A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 9950 PF @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | SIB412DK-T1-E3 | - | | 7233 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6 | SIB412 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-75-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 9A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 34MOHM @ 6.6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8v | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | Sira52dp-t1-ge3 | 1.3900 | | 9699 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira52 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
 | Sia439edj-t1-ge3 | - | | 8077 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia439 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 28a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 16,5 mohm @ 5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 69 NC @ 8 V | ± 8v | 2410 PF @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | IRF737LCS | - | | 5183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF737 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF737LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||
 | Irfr010trpbf | 0,6218 | | 4260 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
 | SI2343DS-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 10V | 53MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SQJ560EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ560 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 60V | 30A (TC), 18A (TC) | 12MOHM @ 10A, 10V, 52.6MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 30nc @ 10v, 45nc @ 10v | 1650pf @ 25v | - | |||||||
 | Irfp360lc | - | | 3655 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp360 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfp360lc | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 400 V | 23A (TC) | 10V | 200 mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
 | SI4563DY-T1-E3 | - | | 6498 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 40V | 8a | 16MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 85nc @ 10v | 2390pf @ 20v | - | ||||||
| SI4425BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4425 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 8.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 11.4A, 10V | 3V à 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SQM120N04-1M9_GE3 | 2.1090 | | 2922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 1,9MOHM @ 30A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 8790 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
 | SQ7415AENW-T1_GE3 | - | | 3682 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SQ7415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 65MOHM @ 5.7A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||
 | Irfiz24gpbf | 1.7900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfiz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfiz24gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 10V | 100MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| Irfbc30as | - | | 5193 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbc30as | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 3.6A (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 2,2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 PF @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | SIE864DF-T1-GE3 | - | | 3559 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (U) | Sie864 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (U) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 45A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,6MOHM @ 20A, 10V | 2V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 PF @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | |||||
| SI4322DY-T1-E3 | - | | 7011 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4322 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 15a, 10v | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | 0,9100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ946 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 15A (TC) | 33MOHM @ 7A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 20nc @ 10v | 600pf @ 25v | - | |||||||
 | IRF734 | - | | 1421 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF734 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF734 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SI2309CDS-T1-GE3 | 0,5500 | | 83 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 1.6A (TC) | 4,5 V, 10V | 345mohm @ 1 25a, 10v | 3V à 250µA | 4.1 NC @ 4,5 V | ± 20V | 210 pf @ 30 V | - | 1W (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | IRF734L | - | | 3534 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF734 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF734L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | - | ||||
| SIHG47N60E-E3 | 9.7500 | | 485 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg47 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihg47n60ee3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64MOHM @ 24A, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 30V | 9620 PF @ 100 V | - | 357W (TC) | ||||
 | SIHK155N60E-T1-GE3 | 5.3300 | | 6952 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerBsfn | Sihk155 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerpak®10 x 12 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 19A (TC) | 10V | 155MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||
 | Irfu024pbf | 1.7500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU024PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 10V | 100MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SIR462DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 2837 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir462 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1155 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SQJ952EP-T1_BE3 | 1.1400 | | 9816 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ952 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 25W (TC) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ952EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 23A (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 30nc @ 10v | 1800pf @ 30v | - | |||||||
| Irfr9214pbf | 1 5500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFR9214PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 250 V | 2.7A (TC) | 10V | 3OHM @ 1.7A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
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