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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI3442CDV-T1-GE3 | - | ![]() | 6589 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 8A (TC) | 2,5 V, 10V | 27MOHM @ 6.5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 12V | 335 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
![]() | SI7898DP-T1-E3 | 1.8300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7898 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 3a (ta) | 6v, 10v | 85MOHM @ 3,5A, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | SI4804BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 9473 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.7A | 22MOHM @ 7.5A, 10V | 3V à 250µA | 11nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI4862DY-T1-GE3 | - | ![]() | 9308 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4862 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 16 V | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 3,3MOHM @ 25A, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 70 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.6W (TA) | ||||||
![]() | VQ1004P | - | ![]() | 4690 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | - | - | VQ1004 | - | - | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 830mA (TA) | 5v, 10v | - | - | ± 20V | - | - | |||||||
![]() | SI7116DN-T1-GE3 | 2.3500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7116 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 10.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 7,8mohm @ 16,4a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SI7143DP-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 173 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7143 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 10MOHM @ 16.1A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2230 pf @ 15 V | - | 4.2W (TA), 35,7W (TC) | |||||
![]() | IRLU024 | - | ![]() | 5183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRLU024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRLU024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 8,4a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | Irf730strl | - | ![]() | 1415 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF730 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 3,3A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
![]() | SQ2361EES-T1-GE3 | - | ![]() | 7750 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2.5a (TC) | 4,5 V, 10V | 150 mOhm @ 2,4a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 545 PF @ 30 V | - | 2W (TC) | ||||
![]() | SI2328DS-T1-GE3 | 0,8600 | ![]() | 5940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2328 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 1.15A (TA) | 10V | 250 mohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | - | 730mw (TA) | |||||
![]() | SiHP15N65E-GE3 | 3.3700 | ![]() | 4396 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 PF @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
IRF720 | - | ![]() | 4275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF720 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF720 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 3.3A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 410 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
![]() | SI6459BDQ-T1-E3 | - | ![]() | 9009 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6459 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 115MOHM @ 2,7A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1W (ta) | |||||
![]() | IRFR9014 | - | ![]() | 9841 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR9014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
![]() | Sud35n10-26p-t4ge3 | 0,9951 | ![]() | 1852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 35A (TC) | 7v, 10v | 26MOHM @ 12A, 10V | 4,4 V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 12 V | - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
![]() | SI4831BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 2412 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4831 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 625 PF @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 2W (TA), 3,3W (TC) | ||||
![]() | SI3457BDV-T1-E3 | - | ![]() | 1221 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 54MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
![]() | SI1056X-T1-GE3 | - | ![]() | 6579 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1056 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 1.32A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 89MOHM @ 1,32A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 8,7 NC @ 5 V | ± 8v | 400 pf @ 10 V | - | 236MW (TA) | ||||
![]() | Irf9z34strl | - | ![]() | 5321 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
![]() | Irfbc40aspbf | 4.4500 | ![]() | 464 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfbc40aspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
![]() | Irfr1n60atrlpbf | 1.4800 | ![]() | 99 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 10V | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
![]() | Irfu9110pbf | 1.5900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU9110PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
Irf820apbf | 1.7300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRF820APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
![]() | IRF640L | - | ![]() | 7480 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
![]() | Irfr214pbf | 0,6159 | ![]() | 7829 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfr214pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI4831DY-T1-E3 | - | ![]() | 7337 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4831 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 5A (TA) | 4,5 V, 10V | 45MOHM @ 5A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 20 nc @ 5 V | ± 20V | Diode Schottky (isolé) | 2W (ta) | |||||
![]() | SI4562DY-T1-E3 | - | ![]() | 3507 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4562 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 20V | - | 25MOHM @ 7.1A, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 50nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI4563DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2431 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 40V | 8a | 16MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 85nc @ 10v | 2390pf @ 20v | - | ||||||
![]() | SQJA76EP-T1_GE3 | 1.4600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJA76 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 2,4 mohm @ 10a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 25 V | - | 68W (TC) |
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