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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Irfl9110tr | - | ![]() | 7383 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 100 V | 1.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 660mA, 10V | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
![]() | SQ1922EEH-T1_GE3 | 0.4900 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1922 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 840mA (TC) | 350mohm @ 400mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | 50pf @ 10v | - | |||||||
![]() | IRFD9010 | - | ![]() | 2341 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRFD9010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 50 V | 1.1A (TC) | 10V | 500 MOHM @ 580MA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||
![]() | SI2334DS-T1-GE3 | - | ![]() | 6788 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2334 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 44MOHM @ 4.2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 634 PF @ 15 V | - | 1.3W (TA), 1,7W (TC) | ||||
![]() | Irc644pbf | - | ![]() | 7967 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | IRC644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRC644PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | Détection de Courant | 125W (TC) | |||
![]() | Sir690dp-T1-RE3 | 0,7316 | ![]() | 3012 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir690 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 34.4a (TC) | 7,5 V, 10V | 35MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1935 PF @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||
![]() | SQ4182EY-T1_GE3 | 1.6500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4182 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 15 V | - | 7.1w (TC) | ||||||
![]() | IRF9540 | - | ![]() | 3034 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9540 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 19A (TC) | 10V | 200 mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
![]() | Sia413adj-t1-ge3 | 0,9200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Single | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 12A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 29MOHM @ 6.7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 57 NC @ 8 V | ± 8v | 1800 pf @ 10 V | - | 19W (TC) | ||||||
![]() | SI3460DDV-T1-BE3 | 0.4400 | ![]() | 8960 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI3460DDV-T1-BE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6.2a (TA), 7.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 28MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 18 NC @ 8 V | ± 8v | 666 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | ||||||
![]() | 2N5547JTXV01 | - | ![]() | 3922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-71-6 | 2N5547 | To-71 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SIHH100N60E-T1-GE3 | 3.6787 | ![]() | 1880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 28a (TC) | 10V | 100MOHM @ 13,5A, 10V | 5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 100 V | - | 174W (TC) | |||||
![]() | SI6562CDQ-T1-BE3 | 1.0200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6562 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W (TA), 1,6W (TC), 1,2W (TA), 1,7W (TC) | 8-TSSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI6562CDQ-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 5.7A (TA), 6.7A (TC), 5.1A (TA), 6.1A (TC) | 22MOHM @ 5.7A, 4,5 V, 30MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 23nc @ 10v, 51nc @ 10v | 850pf @ 10v, 1200pf @ 10v | - | |||||||
![]() | Sum33n20-60p-e3 | - | ![]() | 2669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 33A (TC) | 10v, 15v | 59MOHM @ 20A, 15V | 4,5 V @ 250µA | 113 NC @ 15 V | ± 25V | 2735 PF @ 25 V | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
![]() | Sihw73n60e-ge3 | 6.6456 | ![]() | 1202 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihw73 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | Canal n | 600 V | 73A (TC) | 10V | 39MOHM @ 36A, 10V | 4V @ 250µA | 362 NC @ 10 V | ± 20V | 7700 PF @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
SIHP17N60D-GE3 | 1.7493 | ![]() | 7824 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 17A (TC) | 10V | 340MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||||
![]() | Irf644nspbf | - | ![]() | 5575 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf644nspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
![]() | Sira14dp-t1-ge3 | 0,6900 | ![]() | 8431 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 1450 pf @ 15 V | - | 3.6W (TA), 31.2W (TC) | |||||
![]() | Irf830astrl | - | ![]() | 6793 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
![]() | SI4886DY-T1-E3 | - | ![]() | 5268 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4886 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 9.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 10MOHM @ 13A, 10V | 800 mV à 250µa (min) | 20 nc @ 5 V | ± 20V | - | 1 56W (TA) | |||||
![]() | Irfi9634gpbf | 3.0900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi9634gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 250 V | 4.1a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | Irfi610g | - | ![]() | 4436 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | - | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * Irfi610g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 2.6A (TA) | - | - | - | - | ||||||||
![]() | Irfu9020pbf | 1.8900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU9020PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
![]() | Irfpc40 | - | ![]() | 8904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPC40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 6.8A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4.1a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
![]() | SI1967DH-T1-E3 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI7840BDP-T1-E3 | - | ![]() | 4615 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 16,5a, 10v | 3V à 250µA | 21 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | SI7111EDN-T1-GE3 | 0,6300 | ![]() | 3693 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7111 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 60a (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 8,55 mohm @ 15a, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 46 NC @ 2,5 V | ± 12V | 5860 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||
![]() | SI5481DU-T1-E3 | - | ![]() | 5913 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 22MOHM @ 6.5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 50 nc @ 8 V | ± 8v | 1610 PF @ 10 V | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
![]() | Sup40012el-ge3 | 2.3400 | ![]() | 7391 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup40012 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 150a (TC) | 4,5 V, 10V | 1 79MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 10930 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||
![]() | SI4922BDY-T1-E3 | 1,6000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4922 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 16MOHM @ 5A, 10V | 1,8 V à 250µA | 62nc @ 10v | 2070pf @ 15v | - |
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