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Transistors (5716)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix Si8435DB-T1-E1 -
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA Si8435 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 Microfoot télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 10A (TC) 1,5 V, 4,5 V 41MOHM @ 1A, 4,5 V 1V @ 250µA 35 NC @ 5 V ± 5V 1600 pf @ 10 V - 2,78W (TA), 6,25W (TC)
SI6983DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3757 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) SI6983 MOSFET (Oxyde Métallique) 830mw 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4.6a 24MOHM @ 5.4A, 4,5 V 1V @ 400µA 30nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
SUD19P06-60L-E3 Vishay Siliconix Sud19p06-60l-e3 1.3200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud19 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 60 V 19A (TC) 4,5 V, 10V 60mohm @ 10a, 10v 3V à 250µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1710 PF @ 25 V - 2.7W (TA), 46W (TC)
SIHP35N60EF-GE3 Vishay Siliconix Sihp35n60ef-ge3 6.3500
RFQ
 ECAD 6869 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp35 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 32A (TC) 10V 97MOHM @ 17A, 10V 4V @ 250µA 134 NC @ 10 V ± 30V 2568 pf @ 100 V - 250W (TC)
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz790dt-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 6718 0,00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-PowerPair ™ Siz790 MOSFET (Oxyde Métallique) 27W, 48W 6-PowerPair ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 N-Canal (Demi-pont) 30V 16a, 35a 9.3MOHM @ 15A, 10V 2,2 V @ 250µA 24 NC @ 10V 830pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SIHU7N60E-E3 Vishay Siliconix Sihu7n60e-e3 0,9441
RFQ
 ECAD 1371 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Sihu7 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 600 V 7a (TC) 10V 600 mOhm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 40 NC @ 10 V ± 30V 680 PF @ 100 V - 78W (TC)
IRFU9110 Vishay Siliconix IRFU9110 -
RFQ
 ECAD 5198 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU9 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFU9110 EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 100 V 3.1A (TC) 10V 1,2 ohm @ 1,9a, 10v 4V @ 250µA 8,7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF830S Vishay Siliconix IRF830 -
RFQ
 ECAD 6092 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF830 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRF830 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 4.5a (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,7a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 610 PF @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1031R-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8647 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 SI1031 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-75A télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 140mA (TA) 1,5 V, 4,5 V 8OHM @ 150mA, 4,5 V 1,2 V à 250µA 1,5 NC @ 4,5 V ± 6V - 250mw (TA)
IRFS11N50ATRRP Vishay Siliconix Irfs11n50atrrp 2.9400
RFQ
 ECAD 9583 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRFS11 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 500 V 11a (TC) 10V 520 MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1423 PF @ 25 V - 170W (TC)
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
 ECAD 6268 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Si7430 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 26A (TC) 8v, 10v 45MOHM @ 5A, 10V 4,5 V @ 250µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1735 PF @ 50 V - 5.2W (TA), 64W (TC)
IRF9630STRR Vishay Siliconix Irf9630strr -
RFQ
 ECAD 2811 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9630 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 200 V 6.5a (TC) 10V 800mohm @ 3,9a, 10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3W (TA), 74W (TC)
IRF9640S Vishay Siliconix IRF9640 -
RFQ
 ECAD 2788 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9640 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRF9640 EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 11a (TC) 10V 500MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3W (TA), 125W (TC)
SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss26dn-t1-ge3 1.6800
RFQ
 ECAD 2735 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss26 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 60a (TC) 6v, 10v 4,5 mohm @ 15a, 10v 3,6 V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1710 PF @ 30 V - 57W (TC)
IRFZ44STRL Vishay Siliconix Irfz44strl -
RFQ
 ECAD 2206 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfz44 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 50A (TC) 10V 28MOHM @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix Irliz24gpbf 0,4772
RFQ
 ECAD 8689 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Irliz24 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 14A (TC) 4V, 5V 100 mohm @ 8,4a, 5v 2V à 250µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 37W (TC)
SI1433DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1433DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3705 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1433 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 30 V 1.9A (TA) 4,5 V, 10V 150 MOHM @ 2.2A, 10V 3V @ 100µA 5 NC @ 4,5 V ± 20V - 950MW (TA)
SIHF12N60E-E3 Vishay Siliconix SIHF12N60E-E3 2.8200
RFQ
 ECAD 8175 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Sihf12 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Sihf12n60ee3 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 12A (TC) 10V 380MOHM @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ± 30V 937 pf @ 100 V - 33W (TC)
SIHP30N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHP30N60E-GE3 5.9800
RFQ
 ECAD 7039 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp30 MOSFET (Oxyde Métallique) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 29A (TC) 10V 125MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 100 V - 250W (TC)
IRFPC40PBF Vishay Siliconix Irfpc40pbf 3.6800
RFQ
 ECAD 493 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irfpc40 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfpc40pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 6.8A (TC) 10V 1,2 ohm @ 4.1a, 10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRFR120 Vishay Siliconix IRFR120 -
RFQ
 ECAD 8110 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR120 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 100 V 7.7a (TC) 10V 270MOHM @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia923aedj-t1-ge3 0,6500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Double Sia923 MOSFET (Oxyde Métallique) 7.8w PowerPak® SC-70-6 Double télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4.5a 54MOHM @ 3,8A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 25nc @ 8v 770pf @ 10v Porte de Niveau Logique
IRFP460NPBF Vishay Siliconix Irfp460npbf -
RFQ
 ECAD 2523 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP460 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfp460npbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10v 5V @ 250µA 124 NC @ 10 V ± 30V 3540 pf @ 25 V - 280W (TC)
SI4390DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4455 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4390 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 8.5A (TA) 4,5 V, 10V 9,5MOHM @ 12,5A, 10V 2,8 V @ 250µA 15 NC @ 4,5 V ± 20V - 1.4W (TA)
SQP120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3 -
RFQ
 ECAD 1739 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SQP120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 120A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 30a, 10v 2,5 V @ 250µA 330 NC @ 10 V ± 20V 14700 PF @ 25 V - 250W (TC)
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-GE3 0,5700
RFQ
 ECAD 4055 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 40 V 4.4a (TC) 4,5 V, 10V 77MOHM @ 3.1A, 10V 2,5 V @ 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 595 PF @ 20 V - 1,25W (TA), 2,5W (TC)
SIHG28N60EF-GE3 Vishay Siliconix Sihg28n60ef-ge3 6.6200
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sihg28 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 600 V 28a (TC) 10V 123MOHM @ 14A, 10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 30V 2714 PF @ 100 V - 250W (TC)
IRFPS29N60LPBF Vishay Siliconix Irfps29n60lpbf -
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 274aa Irfps29 MOSFET (Oxyde Métallique) Super-247 ™ (à 274aa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfps29n60lpbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 29A (TC) 10V 210MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 220 NC @ 10 V ± 30V 6160 PF @ 25 V - 480W (TC)
SI1488DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1488DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2035 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1488 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 6.1a (TC) 1,8 V, 4,5 V 49MOHM @ 4.6A, 4,5 V 950 mV à 250µA 10 nc @ 5 V ± 8v 530 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 2,8W (TC)
IRFU224 Vishay Siliconix IRFU224 -
RFQ
 ECAD 2961 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFU224 EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 250 V 3.8A (TC) 10V 1,1 ohm @ 2,3a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    Unité de produit standard

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