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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1967DH-T1-E3 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI7840BDP-T1-E3 | - | ![]() | 4615 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 16,5a, 10v | 3V à 250µA | 21 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | SI7111EDN-T1-GE3 | 0,6300 | ![]() | 3693 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7111 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 60a (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 8,55 mohm @ 15a, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 46 NC @ 2,5 V | ± 12V | 5860 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||
![]() | SI5481DU-T1-E3 | - | ![]() | 5913 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 22MOHM @ 6.5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 50 nc @ 8 V | ± 8v | 1610 PF @ 10 V | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
![]() | Sup40012el-ge3 | 2.3400 | ![]() | 7391 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup40012 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 150a (TC) | 4,5 V, 10V | 1 79MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 10930 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||
![]() | SI4922BDY-T1-E3 | 1,6000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4922 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 16MOHM @ 5A, 10V | 1,8 V à 250µA | 62nc @ 10v | 2070pf @ 15v | - | |||||||
![]() | SQM50N04-4M0L_GE3 | 1.5475 | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
![]() | Irfp340 | - | ![]() | 1379 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp340 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfp340 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 400 V | 11a (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
![]() | Irfi644gpbf | 2.9500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi644gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
![]() | SIE832DF-T1-GE3 | - | ![]() | 5622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (s) | Sie832 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (s) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 14a, 10v | 3V à 250µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 PF @ 20 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | IRL510STRR | - | ![]() | 4949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540 mOhm @ 3,4a, 5v | 2V à 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
![]() | SI7120DN-T1-GE3 | - | ![]() | 1466 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 6.3A (TA) | 19MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | - | |||||||||
![]() | Irfp354pbf | - | ![]() | 8209 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP354 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfp354pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 450 V | 14A (TC) | 10V | 350mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
![]() | SQJ868EP-T1_GE3 | 0,9800 | ![]() | 8598 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ868 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 58A (TC) | 10V | 7,35 mohm @ 14a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 2450 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
![]() | Irfbc30l | - | ![]() | 9673 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irfbc30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbc30l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 3.6A (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
![]() | SI3983DV-T1-E3 | - | ![]() | 5709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3983 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.1a | 110MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 7.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI7452DP-T1-E3 | - | ![]() | 2169 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7452 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 11.5A (TA) | 10V | 8,3MOHM @ 19,3A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | SI4752DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8028 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4752 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 10a, 10v | 2.2v @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | Diode Schottky (Corps) | 3W (TA), 6.25W (TC) | |||||
![]() | SI7674DP-T1-GE3 | - | ![]() | 9853 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7674 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,3MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 5910 PF @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
![]() | Irfp23n50lpbf | 7.5100 | ![]() | 164 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp23 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp23n50lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 500 V | 23A (TC) | 10V | 235MOHM @ 14A, 10V | 5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | ||||
![]() | SI5473DC-T1-E3 | - | ![]() | 8297 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5473 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.9A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 5.9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | Irfr010tr | - | ![]() | 3899 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
![]() | Irfib7n50lpbf | - | ![]() | 5820 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfib7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfib7n50lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 6.8A (TC) | 10V | 380mohm @ 4.1a, 10v | 5V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 2220 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||
Sihp7n60e-ge3 | 2.0900 | ![]() | 4958 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihp7n60ege3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 mOhm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 PF @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
![]() | Irf740strr | - | ![]() | 2707 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF740 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | SQD40031EL_GE3 | 1.6500 | ![]() | 3668 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD40031 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 15000 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
![]() | SQ9407EY-T1_GE3 | 1.1800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ9407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 85MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1140 PF @ 30 V | - | 3,75W (TC) | |||||
![]() | Si6954Adq-T1-GE3 | 0,8800 | ![]() | 3618 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6954 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 3.1a | 53MOHM @ 3,4A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 16nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | Irfl014trpbf | 0,9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 2.7A (TC) | 10V | 200 mohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | SQJQ100EL-T1_GE3 | 3.0300 | ![]() | 2552 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 150W (TC) |
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