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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQP120N06-3M5L_GE3 | - | ![]() | 1739 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 14700 PF @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | Si8435DB-T1-E1 | - | ![]() | 2179 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 10A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 41MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 35 NC @ 5 V | ± 5V | 1600 pf @ 10 V | - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | ||||
![]() | Irf9630strr | - | ![]() | 2811 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3,9a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
![]() | SI1967DH-T1-E3 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | IRF9640 | - | ![]() | 2788 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9640 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||
SiHP30N60E-GE3 | 5.9800 | ![]() | 7039 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 125MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
![]() | SI7840BDP-T1-E3 | - | ![]() | 4615 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 16,5a, 10v | 3V à 250µA | 21 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | Irfp460npbf | - | ![]() | 2523 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfp460npbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 500 V | 20A (TC) | 10V | 240mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250µA | 124 NC @ 10 V | ± 30V | 3540 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
![]() | SI4390DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4455 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4390 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 8.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9,5MOHM @ 12,5A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
![]() | SI2319CDS-T1-GE3 | 0,5700 | ![]() | 4055 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 4.4a (TC) | 4,5 V, 10V | 77MOHM @ 3.1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 595 PF @ 20 V | - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
![]() | SI7430DP-T1-GE3 | 2.9200 | ![]() | 6268 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Si7430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 26A (TC) | 8v, 10v | 45MOHM @ 5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1735 PF @ 50 V | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | |||||
![]() | SI6983DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 3757 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6983 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.6a | 24MOHM @ 5.4A, 4,5 V | 1V @ 400µA | 30nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
IRL510PBF | 1.3500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRL510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRL510PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540 mOhm @ 3,4a, 5v | 2V à 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||||
![]() | Irfr9020tr | - | ![]() | 6211 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
![]() | Irfsl9n60a | - | ![]() | 4670 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irfsl9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
![]() | Siss5708dn-T1-Ge3 | 1.8100 | ![]() | 2593 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 9.3A (TA), 33,8A (TC) | 7,5 V, 10V | 23MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 975 PF @ 75 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
![]() | SQM100P10-19L_GE3 | 3.4300 | ![]() | 3547 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 100 V | 93a (TC) | 4,5 V, 10V | 19MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 350 NC @ 10 V | ± 20V | 14100 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | Irfr9020pbf | 1.8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
![]() | Irfi9530gpbf | 2.3000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi9530gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
![]() | SIR5110DP-T1-RE3 | 1.8900 | ![]() | 7290 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SIR5110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 13,5a (TA), 47,6a (TC) | 7,5 V, 10V | 6MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 920 PF @ 50 V | - | 4.8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||
![]() | Siss12DN-T1-GE3 | 1.1700 | ![]() | 9706 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 37,5A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 1 98MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 4270 PF @ 20 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
![]() | IRL630S | - | ![]() | 7528 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL630S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5v | 2V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
![]() | SiHF520STRL-GE3 | 0,5608 | ![]() | 3677 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihf520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHF520STRL-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
Irfz34 | - | ![]() | 6877 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfz34 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 10V | 50MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
![]() | Irfp064pbf | 5.3400 | ![]() | 452 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp064 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp064pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 60 V | 70A (TC) | 10V | 9MOHM @ 78A, 10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||
![]() | Irfu320pbf | 1.5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU320 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU320PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 400 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | SI8417DB-T2-E1 | - | ![]() | 6508 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 micro Pieds®csp | SI8417 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 Micro Foot ™ (1,5x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 14.5A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 21MOHM @ 1A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 57 NC @ 5 V | ± 8v | 2220 pf @ 6 V | - | 2.9W (TA), 6 57W (TC) | ||||
![]() | SIR586DP-T1-RE3 | 1.4100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 20,7a (TA), 78,4a (TC) | 7,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1905 PF @ 40 V | - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||||
![]() | Irfr9214pbf | 1 5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFR9214PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 250 V | 2.7A (TC) | 10V | 3OHM @ 1.7A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
![]() | Irfp140pbf | 4.1400 | ![]() | 458 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP140 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp140pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 100 V | 31A (TC) | 10V | 77MOHM @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 180W (TC) |
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