SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SQP120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3 -
RFQ
ECAD 1739 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SQP120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 120A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 30a, 10v 2,5 V @ 250µA 330 NC @ 10 V ± 20V 14700 PF @ 25 V - 250W (TC)
SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix Si8435DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 2179 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA Si8435 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 Microfoot télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 10A (TC) 1,5 V, 4,5 V 41MOHM @ 1A, 4,5 V 1V @ 250µA 35 NC @ 5 V ± 5V 1600 pf @ 10 V - 2,78W (TA), 6,25W (TC)
IRF9630STRR Vishay Siliconix Irf9630strr -
RFQ
ECAD 2811 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9630 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 200 V 6.5a (TC) 10V 800mohm @ 3,9a, 10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3W (TA), 74W (TC)
SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-E3 0,4100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1967 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.25W SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 1.3a 490MOHM @ 910mA, 4,5 V 1V @ 250µA 4nc @ 8v 110pf @ 10v Porte de Niveau Logique
IRF9640S Vishay Siliconix IRF9640 -
RFQ
ECAD 2788 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9640 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRF9640 EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 11a (TC) 10V 500MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3W (TA), 125W (TC)
SIHP30N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHP30N60E-GE3 5.9800
RFQ
ECAD 7039 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp30 MOSFET (Oxyde Métallique) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 29A (TC) 10V 125MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 100 V - 250W (TC)
SI7840BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7840BDP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4615 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7840 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 4,5 V, 10V 8,5 mohm @ 16,5a, 10v 3V à 250µA 21 NC @ 4,5 V ± 20V - 1.8W (TA)
IRFP460NPBF Vishay Siliconix Irfp460npbf -
RFQ
ECAD 2523 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP460 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfp460npbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10v 5V @ 250µA 124 NC @ 10 V ± 30V 3540 pf @ 25 V - 280W (TC)
SI4390DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4455 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4390 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 8.5A (TA) 4,5 V, 10V 9,5MOHM @ 12,5A, 10V 2,8 V @ 250µA 15 NC @ 4,5 V ± 20V - 1.4W (TA)
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-GE3 0,5700
RFQ
ECAD 4055 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 40 V 4.4a (TC) 4,5 V, 10V 77MOHM @ 3.1A, 10V 2,5 V @ 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 595 PF @ 20 V - 1,25W (TA), 2,5W (TC)
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 6268 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Si7430 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 26A (TC) 8v, 10v 45MOHM @ 5A, 10V 4,5 V @ 250µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1735 PF @ 50 V - 5.2W (TA), 64W (TC)
SI6983DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3757 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) SI6983 MOSFET (Oxyde Métallique) 830mw 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4.6a 24MOHM @ 5.4A, 4,5 V 1V @ 400µA 30nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
IRL510PBF Vishay Siliconix IRL510PBF 1.3500
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRL510 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRL510PBF EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 5.6a (TC) 4V, 5V 540 mOhm @ 3,4a, 5v 2V à 250µA 6.1 NC @ 5 V ± 10V 250 pf @ 25 V - 43W (TC)
IRFR9020TR Vishay Siliconix Irfr9020tr -
RFQ
ECAD 6211 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9020 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 50 V 9.9a (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRFSL9N60A Vishay Siliconix Irfsl9n60a -
RFQ
ECAD 4670 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Irfsl9 MOSFET (Oxyde Métallique) À 262-3 - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 9.2a (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 170W (TC)
SISS5708DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss5708dn-T1-Ge3 1.8100
RFQ
ECAD 2593 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 9.3A (TA), 33,8A (TC) 7,5 V, 10V 23MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 975 PF @ 75 V - 5W (TA), 65,7W (TC)
SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix SQM100P10-19L_GE3 3.4300
RFQ
ECAD 3547 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SQM100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 100 V 93a (TC) 4,5 V, 10V 19MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 350 NC @ 10 V ± 20V 14100 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRFR9020PBF Vishay Siliconix Irfr9020pbf 1.8700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9020 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 50 V 9.9a (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRFI9530GPBF Vishay Siliconix Irfi9530gpbf 2.3000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfi9530 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfi9530gpbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 100 V 7.7a (TC) 10V 300mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 42W (TC)
SIR5110DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5110DP-T1-RE3 1.8900
RFQ
ECAD 7290 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SIR5110 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 13,5a (TA), 47,6a (TC) 7,5 V, 10V 6MOHM @ 35A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 920 PF @ 50 V - 4.8W (TA), 59,5W (TC)
SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss12DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
ECAD 9706 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss12 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 37,5A (TA), 60A (TC) 4,5 V, 10V 1 98MOHM @ 10A, 10V 2,4 V @ 250µA 89 NC @ 10 V + 20V, -16V 4270 PF @ 20 V - 5W (TA), 65,7W (TC)
IRL630S Vishay Siliconix IRL630S -
RFQ
ECAD 7528 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRL630 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRL630S EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5v 2V à 250µA 40 NC @ 10 V ± 10V 1100 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SIHF520STRL-GE3 Vishay Siliconix SiHF520STRL-GE3 0,5608
RFQ
ECAD 3677 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihf520 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIHF520STRL-GE3TR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 9.2a (TC) 10V 270MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFZ34 Vishay Siliconix Irfz34 -
RFQ
ECAD 6877 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfz34 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfz34 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 30a (TC) 10V 50MOHM @ 18A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 88W (TC)
IRFP064PBF Vishay Siliconix Irfp064pbf 5.3400
RFQ
ECAD 452 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irfp064 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfp064pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 60 V 70A (TC) 10V 9MOHM @ 78A, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFU320PBF Vishay Siliconix Irfu320pbf 1.5100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU320 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRFU320PBF EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 400 V 3.1A (TC) 10V 1,8 ohm @ 1,9a, 10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI8417DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8417DB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 6508 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6 micro Pieds®csp SI8417 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 Micro Foot ™ (1,5x1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 14.5A (TC) 1,8 V, 4,5 V 21MOHM @ 1A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 57 NC @ 5 V ± 8v 2220 pf @ 6 V - 2.9W (TA), 6 57W (TC)
SIR586DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR586DP-T1-RE3 1.4100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 20,7a (TA), 78,4a (TC) 7,5 V, 10V 5,8MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1905 PF @ 40 V - 5W (TA), 71,4W (TC)
IRFR9214PBF Vishay Siliconix Irfr9214pbf 1 5500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9214 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRFR9214PBF EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 250 V 2.7A (TC) 10V 3OHM @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRFP140PBF Vishay Siliconix Irfp140pbf 4.1400
RFQ
ECAD 458 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP140 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfp140pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 100 V 31A (TC) 10V 77MOHM @ 19A, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 180W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

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