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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7392ADP-T1-E3 | - |  | 7249 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 12,5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 27,5W (TC) | ||||
 | SI4426DY-T1-E3 | 0,6468 | | 8632 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4426 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 6.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 25MOHM @ 8.5A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI3481DV-T1-E3 | - | | 6926 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4a (ta) | 4,5 V, 10V | 48MOHM @ 5.3A, 10V | 3V à 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | Irfib5n50lpbf | - | | 6961 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfib5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfib5n50lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 4.7A (TC) | 10V | 800mohm @ 2,4a, 10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
 | Irfb17n50lpbf | 6.0100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRFB17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFB17N50LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 16A (TC) | 10V | 320 mOhm @ 9,9a, 10v | 5V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | ||||
 | Irfr9310trl | - | | 4144 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
| SI4451DY-T1-E3 | 1.3041 | | 8046 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4451 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 12 V | 10A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 8,25 mOhm @ 14a, 4,5 V | 800 mV à 850µA | 120 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI5443DC-T1-GE3 | - | | 5288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5443 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.6A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 65MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 14 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
| Irf644npbf | - | | 6534 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf644npbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SQJ200EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W, 48W | PowerPak® SO-8 Double asymétrique | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 20A, 60A | 8,8MOHM @ 16A, 10V | 2V à 250µA | 18nc @ 10v | 975pf @ 10v | - | |||||||
 | Irfl9014trpbf-be3 | 0,9300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | SQJ858EP-T1_GE3 | 0,5821 | | 5999 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ858 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 20 V | - | 68W (TC) | ||||||
| Irf9z10pbf | 1.6300 | | 958 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irf9z10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf9z10pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 60 V | 6.7A (TC) | 10V | 500MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
| Irfr024trl | - | | 6591 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 10V | 100MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRF737LCS | - | | 5183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF737 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF737LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||
| SI4408DY-T1-E3 | 2.7500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4408 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 14A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 21a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 32 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||||
| SIHB22N60E-E3 | 2.1756 | | 7945 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihb22n60ee3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
 | SIHH21N65EF-T1-GE3 | 6.4800 | | 675 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 19.8A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 30V | 2396 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
| IRF9Z14 | - | | 3487 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9Z14 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 60 V | 6.7A (TC) | 10V | 500MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
 | Irfpg30pbf | 3.5400 | | 161 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpg30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfpg30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 1000 V | 3.1A (TC) | 10V | 5OHM @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 980 PF @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| Irf9z24strr | - | | 4600 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | IRF9540L | - | | 5581 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF9540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF9540L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 19A (TC) | 10V | 200 mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | - | ||||
| SI4972DY-T1-E3 | - | | 3785 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4972 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W, 2,5W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14,5 mohm @ 6a, 10v | 3V à 250µA | 28nc @ 10v | 1080pf @ 15v | - | ||||||
| SI4890DY-T1-GE3 | - | | 6613 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4890 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 11A, 10V | 800 mV à 250µa (min) | 20 nc @ 5 V | ± 25V | - | 2.5W (TA) | ||||||
| IRF734 | - | | 1421 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF734 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF734 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| Irf9z14strl | - | | 1946 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 6.7A (TC) | 10V | 500MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| Irfp260pbf | 6.5100 | | 949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp260pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 200 V | 46A (TC) | 10V | 55MOHM @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
| Irfiz48gpbf | 3.0500 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfiz48 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfiz48gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 37a (TC) | 10V | 18MOHM @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
| IRF640 | - | | 6507 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
| Irfz24strl | - | | 2509 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 17A (TC) | 10V | 100MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) |
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