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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | RÉSISTANCE - RDS (ON) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4462DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4462 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 1.15A (TA) | 6v, 10v | 480MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||||||
![]() | SI7386DP-T1-GE3 | 1.6200 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7386 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TA) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 19A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||||||
![]() | SI8819EDB-T2-E1 | 0,4300 | ![]() | 6815 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA | SI8819 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-Micro Food® (0,8x0,8) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 2.9A (TA) | 1,5 V, 3,7 V | 80MOHM @ 1,5A, 3,7 V | 900 mV à 250 µA | 17 NC @ 8 V | ± 8v | 650 pf @ 6 V | - | 900mw (TA) | |||||||||
![]() | SIHH14N60E-T1-GE3 | 3,5000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 16A (TC) | 10V | 255MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1416 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||||
![]() | Siss67dn-t1-ge3 | 1.1000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss67 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 111 NC @ 10 V | ± 25V | 4380 pf @ 15 V | - | 65.8W (TC) | |||||||||
![]() | SI4816DY-T1-E3 | - | ![]() | 6633 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4816 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W, 1,25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 5.3A, 7.7A | 22MOHM @ 6.3A, 10V | 2V à 250µA | 12nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
![]() | SiHP18N60E-GE3 | 1.6464 | ![]() | 9170 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 18A (TC) | 10V | 202MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 PF @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||||||
![]() | SI4920DY-T1-GE3 | - | ![]() | 3157 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4920 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | - | 25MOHM @ 6.9A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 23nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
![]() | SI4965DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6333 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4965 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 8v | - | 21MOHM @ 8A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 55nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
![]() | SIHH26N60E-T1-GE3 | 5.6100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh26 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 135MOHM @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 V | ± 30V | 2815 PF @ 100 V | - | 202W (TC) | |||||||||
![]() | SI7858ADP-T1-E3 | 2.7500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 20A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 2,6MOHM @ 29A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 80 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5700 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
![]() | IRFC430 | - | ![]() | 8663 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | - | - | IRFC430 | - | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||
![]() | SI4943CDY-T1-E3 | 1,7000 | ![]() | 8274 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4943 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 20V | 8a | 19.2MOHM @ 8.3A, 10V | 3V à 250µA | 62nc @ 10v | 1945pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||
![]() | Irfr9020trlpbf | 0,8803 | ![]() | 1998 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||
![]() | SI3467DV-T1-E3 | - | ![]() | 3502 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 54MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||||||
![]() | Sihp6n65e-ge3 | 1.0658 | ![]() | 6099 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||||||
![]() | SI4160DY-T1-GE3 | 1.3500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4160 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 25.4a (TC) | 4,5 V, 10V | 4,9MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2071 PF @ 15 V | - | 2,5W (TA), 5,7W (TC) | |||||||||
![]() | SIHFR430ATR-GE3 | 0,4263 | ![]() | 2827 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihfr430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHFR430ATR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,7 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||
![]() | SIR846DP-T1-GE3 | 2.5100 | ![]() | 8527 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 60a (TC) | 7,5 V, 10V | 7,8MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2870 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||
SiHP24N65EF-GE3 | 3.0870 | ![]() | 8831 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 2656 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||
![]() | SI7123DN-T1-GE3 | - | ![]() | 6245 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7123 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 10.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 10,6MOHM @ 15A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 90 NC @ 4,5 V | ± 8v | 3729 PF @ 10 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
![]() | SIHB21N60EF-GE3 | 4.1800 | ![]() | 346 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 176MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2030 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||||
![]() | Irfr9010trpbf | 1.0600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 50 V | 5.3A (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||
![]() | SI7994DP-T1-GE3 | 3,7000 | ![]() | 1087 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7994 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 46W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 60A | 5,6MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 80nc @ 10v | 3500pf @ 15v | - | |||||||||||
![]() | 2N4858Jan02 | - | ![]() | 5655 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4858 | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | Irfz34pbf-be3 | 1.8800 | ![]() | 904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-irfz34pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 50MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||||
![]() | SQ1922AEEH-T1_GE3 | 0 4600 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1922 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 W (TC) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 850mA (TC) | 300mohm @ 400mA, 4,5 V | 2,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | 60pf @ 10v | - | |||||||||||
![]() | 2N4392 | - | ![]() | 1307 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4392 | 1,8 W | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2N4392VSI | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | Canal n | 14pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 ohms | ||||||||||||
![]() | SI1405DL-T1-E3 | - | ![]() | 5210 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1405 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 1.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 125 mohm @ 1,8a, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 7 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 568mw (TA) | |||||||||
![]() | U291 | - | ![]() | 7340 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-206AC, to-52-3 Métal Peut | U291 | 500 MW | To-206ac (to-52) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | Canal n | 160pf @ 0v | 30 V | 200 Ma @ 10 V | 1,5 V @ 3 na | 7 ohms |
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