SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id
SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3 5.0800
RFQ
ECAD 351 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb21 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 21A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 V ± 30V 2322 pf @ 100 V - 208W (TC)
SIHA14N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA14N60E-GE3 2.3700
RFQ
ECAD 6111 0,00000000 Vishay Siliconix E Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger 1 (illimité) 742-SIHA14N60E-GE3TR EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 13A (TC) 10V 309MOHM @ 7A, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 V ± 30V 1205 PF @ 100 V - 147W (TC)
SI3495DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3495DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7465 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3495 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 5.3A (TA) 1,5 V, 4,5 V 24MOHM @ 7A, 4,5 V 750 mV à 250µA 38 NC @ 4,5 V ± 5V - 1.1W (TA)
SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS606BDN-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 7649 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Sis606 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 9.4A (TA), 35,3A (TC) 7,5 V, 10V 17.4MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1470 pf @ 50 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60ET1-GE3 3 5600
RFQ
ECAD 9622 0,00000000 Vishay Siliconix E Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb22 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 21A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 100 V - 227W (TC)
2N4117A-2 Vishay Siliconix 2N4117A-2 -
RFQ
ECAD 6504 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206af, to-72-4 Metal Can 2N4117 300 MW To-206af (to-72) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 20 Canal n 3pf @ 10v 40 V 30 µA @ 10 V 600 mV @ 1 na
SIE836DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8315 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 10-Polarpak® (SH) Sie836 MOSFET (Oxyde Métallique) 10-Polarpak® (SH) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 18.3A (TC) 10V 130mohm @ 4.1a, 10v 4,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 100 V - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI1072X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1072X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7584 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 SI1072 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-89 (SOT-563F) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 1.3A (TA) 4,5 V, 10V 93MOHM @ 1.3A, 10V 3V à 250µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 15 V - 236MW (TA)
SIR5623DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5623DP-T1-RE3 1.7100
RFQ
ECAD 4432 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir5623 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 60 V 10.5a (TA), 37.1a (TC) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 10A, 10V 2,6 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V 1575 pf @ 30 V - 4.8W (TA), 59,5W (TC)
SI6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6473DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2730 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Si6473 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 6.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V 12,5MOHM @ 9,5A, 4,5 V 450 mV à 250 µA (min) 70 NC @ 5 V ± 8v - 1.08W (TA)
SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-E3 0,9200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4800 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 6.5A (TA) 4,5 V, 10V 18,5 mohm @ 9a, 10v 1,8 V à 250µA 13 NC @ 5 V ± 25V - 1.3W (TA)
SIDR220DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SiDR220DP-T1-GE3 2.8000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr220 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 25 V 87.7A (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10V 5,8MOHM @ 20A, 10V 2,1 V @ 250µA 200 NC @ 10 V + 16v, -12v 1085 PF @ 10 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIS436DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS436DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1531 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SIS436 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 25 V 16A (TC) 4,5 V, 10V 10,5 mohm @ 10a, 10v 2,3 V @ 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 855 PF @ 10 V - 3,5W (TA), 27,7W (TC)
SQJ844AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_GE3 1.2100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SQJ844 MOSFET (Oxyde Métallique) 48W PowerPak® SO-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 8a 16,6mohm @ 7,6a, 10v 2,5 V @ 250µA 26nc @ 10v 1161pf @ 15v -
SIHP4N80E-GE3 Vishay Siliconix SiHP4N80E-GE3 1.0201
RFQ
ECAD 5949 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 800 V 4.3A (TC) 10V 1.27OHM @ 2A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 30V 622 PF @ 100 V - 69W (TC)
IRFBC40APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBC40APBF-BE3 2.4900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfbc40 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-IRFBC40APBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 6.2a (TC) 1,2 ohm @ 3,7a, 10v 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1036 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRFU9214PBF Vishay Siliconix IRFU9214PBF 1 5500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU9214 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRFU9214PBF EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 250 V 2.7A (TC) 10V 3OHM @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 50W (TC)
SIHP085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP085N60EF-GE3 5.9900
RFQ
ECAD 4348 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp085 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIHP085N60EF-GE3 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 34A (TC) 10V 84MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ± 30V 2733 PF @ 100 V - 184W (TC)
SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Si6926Adq-T1-GE3 0,9700
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) SI6926 MOSFET (Oxyde Métallique) 830mw 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 4.1a 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V 1V @ 250µA 10.5nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_BE3 1 5500
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SQ4917 MOSFET (Oxyde Métallique) 5W (TC) 8-SOIC télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canal P (double) 60V 8A (TC) 48MOHM @ 4.3A, 10V 2,5 V @ 250µA 65nc @ 10v 1910pf @ 30v -
SUD50N10-18P-GE3 Vishay Siliconix Sud50n10-18p-ge3 -
RFQ
ECAD 8157 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 100 V 8.2A (TA), 50A (TC) 10V 18,5 mohm @ 15a, 10v 5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 50 V - 3W (TA), 136.4W (TC)
SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz342adt-t1-ge3 0,8600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Siz342 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-Power33 (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 15.7A (TA), 33,4A (TC) 9.4MOHM @ 10A, 10V 2,4 V @ 250µA 12.2nc @ 10v 580pf @ 15v -
SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5905BDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2661 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5905 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.1W 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 8v 4A 80MOHM @ 3,3A, 4,5 V 1V @ 250µA 11nc @ 8v 350pf @ 4v Porte de Niveau Logique
SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4848ADY-T1-GE3 0,6800
RFQ
ECAD 9550 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4848 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 150 V 5.5A (TC) 6v, 10v 84MOHM @ 3,9A, 10V 4V @ 250µA 9,5 NC @ 10 V ± 20V 335 PF @ 75 V - 5W (TC)
SI7848DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7848DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5191 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7848 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 10.4a (TA) 4,5 V, 10V 9MOHM @ 14A, 10V 3V à 250µA 28 NC @ 5 V ± 20V - 1.83W (TA)
SIHP186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SiHP186N60EF-GE3 1.8610
RFQ
ECAD 8796 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp186 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 193MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1081 PF @ 100 V - 156W (TC)
IRF520SPBF Vishay Siliconix IRF520SPBF 1.3600
RFQ
ECAD 750 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF520 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 9.2a (TC) 10V 270MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFZ34STRLPBF Vishay Siliconix Irfz34strlpbf 1.4682
RFQ
ECAD 4607 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfz34 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 30a (TC) 10V 50MOHM @ 18A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 88W (TC)
SUD25N04-25-T4-E3 Vishay Siliconix SUD25N04-25-T4-E3 -
RFQ
ECAD 6074 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 25a (TC) 4,5 V, 10V 25MOHM @ 25A, 10V 3V à 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 510 PF @ 25 V - 3W (TA), 33W (TC)
SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-E3 0,5100
RFQ
ECAD 4167 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1965 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.25W SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 12V 1.3a 390mohm @ 1A, 4,5 V 1V @ 250µA 4.2nc @ 8v 120pf @ 6v Porte de Niveau Logique
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock