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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIB4316EDK-T1-GE3 | 0,4300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-75-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5A (TA), 6A (TC) | 2,5 V, 10V | 57MOHM @ 4A, 10V | 1,4 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1.9W (TA), 10W (TC) | |||||||
![]() | SIR584DP-T1-RE3 | 1.5700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 24.7A (TA), 100A (TC) | 7,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 83,3W (TC) | ||||||
![]() | SI2372DS-T1-GE3 | - | ![]() | 7022 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2372 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4A (TA), 5.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 33MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 8,9 NC @ 10 V | ± 20V | 288 PF @ 15 V | - | 960MW (TA), 1,7W (TC) | ||||
![]() | SQD40N10-25-T4_GE3 | 0,6985 | ![]() | 7688 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQD40N10-25-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3380 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
![]() | SQSA84CENW-T1_GE3 | 0,6300 | ![]() | 1262 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8W | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||
![]() | Sihp16n50c-e3 | 5.8400 | ![]() | 963 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 16A (TC) | 10V | 380MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
![]() | Irfr010pbf | 1.4700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfr010pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
![]() | SQD40020EL_GE3 | 1.6500 | ![]() | 1060 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD40020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 165 NC @ 20 V | ± 20V | 8800 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
![]() | SIR140DP-T1-RE3 | 2.1700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir140 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 71,9A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,67MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 8150 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | Sup45p03-09-ge3 | - | ![]() | 2149 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal p | 30 V | 45A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,7MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 15 V | - | 73,5W (TC) | ||||||
![]() | Sihg73n60e-ge3 | 12.6600 | ![]() | 7443 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg73 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 73A (TC) | 10V | 39MOHM @ 36A, 10V | 4V @ 250µA | 362 NC @ 10 V | ± 30V | 7700 PF @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
![]() | SUD17N25-165-E3 | - | ![]() | 1751 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 250 V | 17A (TC) | 10V | 165MOHM @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 PF @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
![]() | Sis4604ldn-t1-ge3 | 0,9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS4604 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 15.1a (TA), 45,9a (TC) | 4,5 V, 10V | 8,9MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 33,7W (TC) | |||||
![]() | SQ4425EY-T1_BE3 | 1.9300 | ![]() | 639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4425 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQ4425EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 13A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 20V | 3630 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | |||||
![]() | SUM50020E-GE3 | 2.8900 | ![]() | 4159 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM50020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 7,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 11150 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | Siss66dn-t1-ge3 | 1.5100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss66 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 49.1a (TA), 178,3a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,38MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 85,5 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3327 PF @ 15 V | Diode Schottky (Corps) | 5.1W (TA), 65.8W (TC) | |||||
![]() | Sia950dj-t1-ge3 | - | ![]() | 3492 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | Sia950 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 7W | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 190v | 950m | 3,8 ohm @ 360mA, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 4.5nc @ 10v | 90pf @ 100v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI5975DC-T1-GE3 | - | ![]() | 1962 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5975 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 3.1a | 86MOHM @ 3.1A, 4,5 V | 450 MV @ 1MA (min) | 9NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SIHA155N60EF-GE3 | 3.6600 | ![]() | 8042 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha155 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA155N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 9A (TC) | 10V | 89MOHM @ 3,7A, 10V | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 PF @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
![]() | SQJ914EP-T1_BE3 | 1,3000 | ![]() | 2763 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ914EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 30a (TC) | 12MOHM @ 4.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 25nc @ 10v | 1110pf @ 15v | - | |||||||
![]() | SI7886ADP-T1-E3 | - | ![]() | 4383 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 60 NC @ 4,5 V | ± 12V | 6450 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||
![]() | SIHB186N60EF-GE3 | 2.9600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SIHB186 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHB186N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 193MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 PF @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
![]() | SQJ464EP-T1_GE3 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ464 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 7.1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2086 PF @ 30 V | - | 45W (TC) | ||||||
![]() | SIHF22N60E-E3 | 1.8728 | ![]() | 5341 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihf22n60ee3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | 1920 pf @ 100 V | - | ||||||||
![]() | SI7852ADP-T1-E3 | 2.7800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 30a (TC) | 8v, 10v | 17MOHM @ 10A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1825 PF @ 40 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
![]() | SISA16DN-T1-GE3 | 0.1995 | ![]() | 6070 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 6,8MOHM @ 15A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | 2060 PF @ 15 V | - | - | |||||||
![]() | Sud19p06-60-ge3 | 1.1800 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 18.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 3V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 PF @ 25 V | - | 2.3W (TA), 38,5W (TC) | |||||
![]() | SIR404DP-T1-GE3 | 2.0100 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 60a (TC) | 2,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 20a, 10v | 1,5 V @ 250µA | 97 NC @ 4,5 V | ± 12V | 8130 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | SI1315DL-T1-GE3 | - | ![]() | 6078 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | SI1315 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 900mA (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 336MOHM @ 800mA, 4,5 V | 800 mV à 250µA | 3,4 NC @ 4,5 V | ± 8v | 112 pf @ 4 V | - | 300mW (TA), 400 MW (TC) | ||||
![]() | SQ3418AEEV-T1_GE3 | 0,3929 | ![]() | 2137 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 8a | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 3,5 NC @ 4,5 V | ± 20V | 528 pf @ 25 V | - | 5W (TC) |
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