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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf9z10 | - |  | 4700 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF9Z10 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 60 V | 6.7A (TC) | 10V | 500MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
 | Irfps37n50apbf | - | | 8060 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Irfps37 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFPS37N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 500 V | 36a (TC) | 10V | 130 mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5579 PF @ 25 V | - | 446W (TC) | |||
| Irf520pbf | 1.1900 | | 6891 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf520pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
 | Irlu024pbf | 1,7000 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRLU024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irlu024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 8,4a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | Irfd210pbf | 1.3900 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Irfd210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfd210pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 600mA (TA) | 10V | 1,5 ohm @ 360mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | |||
| Irfd320pbf | 1.8600 | | 469 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD320 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfd320pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal n | 400 V | 490mA (TA) | 10V | 1,8 ohm @ 210mA, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 410 PF @ 25 V | - | 1W (ta) | |||
| IRl540pbf | 2.5100 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRL540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRL540PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 17A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Irfiz34gpbf | 2.8500 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfiz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfiz34gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 10V | 50MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
 | SQ2325ES-T1_GE3 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2325 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 840mA (TC) | 10V | 1 77 ohm @ 500mA, 10V | 3,5 V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 50 V | - | 3W (TC) | ||||
 | SQJ465EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 784 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ465 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 85MOHM @ 3,5A, 10V, 1,17MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1140 PF @ 30 V | - | 45W (TC) | ||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 6300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 4.4MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 10700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SIRC10DP-T1-GE3 | 0,8700 | | 5369 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SIRC10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 10a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 1873 PF @ 15 V | Diode Schottky (Corps) | 43W (TC) | ||||
 | SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | | 742 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | SQM50028 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-7 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 11900 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SQP90142E_GE3 | - | | 4880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP90142 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 78,5a (TC) | 10V | 15.3MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 PF @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SQSA80ENW-T1_GE3 | 1.1100 | | 516 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SQSA80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1358 PF @ 40 V | - | 62,5W (TC) | ||||
 | SUM90142E-GE3 | 3.2700 | | 8011 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum90142 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 90a (TC) | 7,5 V, 10V | 15MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 3120 pf @ 100 V | - | 375W (TC) | ||||
| Sup50020e-ge3 | 2.9300 | | 4691 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup50020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 7,5 V, 10V | 2,4 mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | - | 375W (TC) | |||||
 | SIHA17N80E-E3 | 4.8600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2408 PF @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
 | SiHP11N80E-GE3 | 3 5300 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 12A (TC) | 10V | 440mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 PF @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
 | SI4058DY-T1-GE3 | 0,6200 | | 3764 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4058 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 10.3a (TC) | 4,5 V, 10V | 26MOHM @ 10A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 50 V | - | 5.6W (TC) | |||||
| SIS698DN-T1-GE3 | 0,3045 | | 2231 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sis698 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 6.9a (TC) | 6v, 10v | 195MOHM @ 2,5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 50 V | - | 19.8W (TC) | |||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | 0 7600 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SQ1539 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 30V | 850mA (TC) | 280MOHM @ 1A, 10V, 940MOHM @ 500mA, 10V | 2,6 V @ 250µA | 1.4NC @ 4.5 V, 1.6NC @ 4.5 V | 48pf @ 15v, 50pf @ 15v | - | ||||||
 | SQ3457EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 735 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 6.8A (TC) | 4,5 V, 10V | 65MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 705 PF @ 15 V | - | 5W (TC) | |||||
 | SQD100N04-3M6_GE3 | 1.6100 | | 5859 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3,6MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 6700 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| SQD100N04-3M6L_GE3 | 1.6100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3,6MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 6700 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| SQD50N04-5M6L_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,6MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||
| SQJ401EP-T1_GE3 | 2.0200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 32A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 6MOHM @ 15A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 164 NC @ 4,5 V | ± 8v | 10015 pf @ 6 V | - | 83W (TC) | |||||
 | SQJ403EP-T1_GE3 | 1.5700 | | 819 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 10a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 109 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 15 V | - | 68W (TC) | ||||
| SQJ464EP-T1_GE3 | 1.0100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ464 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 7.1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2086 PF @ 30 V | - | 45W (TC) | |||||
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