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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHB21N65EF-GE3 | 5.0800 | ![]() | 351 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ± 30V | 2322 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||
![]() | SIHA14N60E-GE3 | 2.3700 | ![]() | 6111 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA14N60E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 309MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||||
![]() | SI3495DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7465 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3495 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 24MOHM @ 7A, 4,5 V | 750 mV à 250µA | 38 NC @ 4,5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | ||||||||
![]() | SIS606BDN-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 7649 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sis606 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 9.4A (TA), 35,3A (TC) | 7,5 V, 10V | 17.4MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
![]() | SIHB22N60ET1-GE3 | 3 5600 | ![]() | 9622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||||
2N4117A-2 | - | ![]() | 6504 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-206af, to-72-4 Metal Can | 2N4117 | 300 MW | To-206af (to-72) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | Canal n | 3pf @ 10v | 40 V | 30 µA @ 10 V | 600 mV @ 1 na | ||||||||||||||
![]() | SIE836DF-T1-E3 | - | ![]() | 8315 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (SH) | Sie836 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (SH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 18.3A (TC) | 10V | 130mohm @ 4.1a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 100 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||||
![]() | SI1072X-T1-E3 | - | ![]() | 7584 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1072 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 1.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 93MOHM @ 1.3A, 10V | 3V à 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | |||||||
![]() | SIR5623DP-T1-RE3 | 1.7100 | ![]() | 4432 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir5623 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 10.5a (TA), 37.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 24MOHM @ 10A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1575 pf @ 30 V | - | 4.8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||||
![]() | SI6473DQ-T1-E3 | - | ![]() | 2730 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6473 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 12,5MOHM @ 9,5A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 70 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.08W (TA) | ||||||||
![]() | SI4800BDY-T1-E3 | 0,9200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 6.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 18,5 mohm @ 9a, 10v | 1,8 V à 250µA | 13 NC @ 5 V | ± 25V | - | 1.3W (TA) | |||||||||
![]() | SiDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sidr220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 87.7A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | + 16v, -12v | 1085 PF @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
![]() | SIS436DN-T1-GE3 | - | ![]() | 1531 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS436 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 10,5 mohm @ 10a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 855 PF @ 10 V | - | 3,5W (TA), 27,7W (TC) | ||||||||
SQJ844AEP-T1_GE3 | 1.2100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ844 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 16,6mohm @ 7,6a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 26nc @ 10v | 1161pf @ 15v | - | |||||||||||
SiHP4N80E-GE3 | 1.0201 | ![]() | 5949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 4.3A (TC) | 10V | 1.27OHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 PF @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||||||
![]() | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||
![]() | IRFU9214PBF | 1 5500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU9214PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 250 V | 2.7A (TC) | 10V | 3OHM @ 1.7A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
![]() | SIHP085N60EF-GE3 | 5.9900 | ![]() | 4348 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp085 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHP085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 34A (TC) | 10V | 84MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 PF @ 100 V | - | 184W (TC) | |||||||
![]() | Si6926Adq-T1-GE3 | 0,9700 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6926 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4.1a | 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||
![]() | SQ4917EY-T1_BE3 | 1 5500 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4917 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5W (TC) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 60V | 8A (TC) | 48MOHM @ 4.3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 65nc @ 10v | 1910pf @ 30v | - | |||||||||||
![]() | Sud50n10-18p-ge3 | - | ![]() | 8157 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 8.2A (TA), 50A (TC) | 10V | 18,5 mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 136.4W (TC) | |||||||
![]() | Siz342adt-t1-ge3 | 0,8600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz342 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.7W (TA), 16.7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 15.7A (TA), 33,4A (TC) | 9.4MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 12.2nc @ 10v | 580pf @ 15v | - | |||||||||
![]() | SI5905BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 2661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5905 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 8v | 4A | 80MOHM @ 3,3A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11nc @ 8v | 350pf @ 4v | Porte de Niveau Logique | |||||||||
![]() | SI4848ADY-T1-GE3 | 0,6800 | ![]() | 9550 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4848 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 5.5A (TC) | 6v, 10v | 84MOHM @ 3,9A, 10V | 4V @ 250µA | 9,5 NC @ 10 V | ± 20V | 335 PF @ 75 V | - | 5W (TC) | ||||||||
![]() | SI7848DP-T1-E3 | - | ![]() | 5191 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 10.4a (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.83W (TA) | ||||||||
![]() | SiHP186N60EF-GE3 | 1.8610 | ![]() | 8796 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp186 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 18A (TC) | 10V | 193MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 PF @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||||
![]() | IRF520SPBF | 1.3600 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||||||
![]() | Irfz34strlpbf | 1.4682 | ![]() | 4607 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 10V | 50MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||||||
![]() | SUD25N04-25-T4-E3 | - | ![]() | 6074 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 510 PF @ 25 V | - | 3W (TA), 33W (TC) | |||||||
![]() | SI1965DH-T1-E3 | 0,5100 | ![]() | 4167 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1965 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 1.3a | 390mohm @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4.2nc @ 8v | 120pf @ 6v | Porte de Niveau Logique |
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