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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sir622dp-T1-RE3 | 1.5600 | ![]() | 890 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir622 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 12.6A (TA), 51.6A (TC) | 7,5 V, 10V | 17.7MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1516 pf @ 75 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
![]() | SI4484EY-T1-GE3 | - | ![]() | 2659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4484 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 4.8A (TA) | 6v, 10v | 34MOHM @ 6.9A, 10V | 2V @ 250µA (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||||
![]() | SI4062DY-T1-GE3 | 1.7500 | ![]() | 7684 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4062 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 32.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3175 PF @ 30 V | - | 7.8W (TC) | |||||||||
![]() | Sia429djt-t1-ge3 | 0,6200 | ![]() | 5578 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia429 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 20,5 mohm @ 6a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 62 NC @ 8 V | ± 8v | 1750 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
![]() | TP0610K-T1 | - | ![]() | 4309 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 185mA (TA) | 4,5 V, 10V | 6OHM @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1,7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | |||||||
![]() | Sir108dp-t1-re3 | 1.7100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir108 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 12.4A (TA), 45A (TC) | 7,5 V, 10V | 13,5MOHM @ 10A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 41,5 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 PF @ 50 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
![]() | SST4416-T1-E3 | - | ![]() | 4154 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 2.2pf @ 15v | 30 V | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | |||||||||||||
![]() | Siss5112dn-t1-ge3 | 1.5600 | ![]() | 5441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss5112 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 11A (TA), 40,7A (TC) | 7,5 V, 10V | 14.9MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
![]() | SI3433CDV-T1-E3 | 0,5100 | ![]() | 7915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3433 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 38MOHM @ 5.2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 45 NC @ 8 V | ± 8v | 1300 pf @ 10 V | - | 3.3W (TC) | ||||||||
![]() | SQ3410EV-T1_GE3 | 0 7600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 17,5 mohm @ 5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1005 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | ||||||||
![]() | SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | ![]() | 1565 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ409EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
![]() | SI3473DV-T1-E3 | - | ![]() | 1770 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.9A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 23MOHM @ 7.9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.1W (TA) | ||||||||
![]() | Sijh800e-T1-Ge3 | 4.8400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 80 V | 29A (TA), 299A (TC) | 7,5 V, 10V | 1 55 mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 10230 pf @ 40 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | |||||||||
![]() | SI7431DP-T1-GE3 | 4.0900 | ![]() | 1015 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Si7431 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 2.2a (TA) | 6v, 10v | 174MOHM @ 3,8A, 10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
![]() | SI2306BDS-T1-BE3 | 0,5500 | ![]() | 4754 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2306BDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 3.16A (TA) | 4,5 V, 10V | 47MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 4,5 NC @ 5 V | ± 20V | 305 PF @ 15 V | - | 750MW (TA) | |||||||||
![]() | SIHB22N65E-T1-GE3 | 4.8100 | ![]() | 797 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHB22N65E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 650 V | 22A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||||
![]() | SI7270DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7270 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 17.8W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 21MOHM @ 8A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 21nc @ 10v | 900pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
![]() | SI4835DDY-T1-E3 | 1.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4835 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 13A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 25V | 1960 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.6W (TC) | ||||||||
![]() | SI8466EDB-T2-E1 | 0,5100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, wlcsp | Si8466 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 8 V | 3.6A (TA) | 1,2 V, 4,5 V | 43MOHM @ 2A, 4,5 V | 700 mV à 250µa | 13 NC @ 4,5 V | ± 5V | 710 PF @ 4 V | - | 780mw (TA), 1,8W (TC) | |||||||
![]() | SIR188DP-T1-RE3 | 1 5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir188 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 25,5A (TA), 60A (TC) | 7,5 V, 10V | 3 85MOHM @ 10A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1920 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
![]() | SIHG018N60E-GE3 | 17.2100 | ![]() | 288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg018 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 99a (TC) | 10V | 23MOHM @ 25A, 10V | 5V @ 250µA | 228 NC @ 10 V | ± 30V | 7612 PF @ 100 V | - | 524W (TC) | ||||||||
![]() | SISA24DN-T1-GE3 | 0,9600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 15a, 10v | 2,1 V @ 250µA | 26 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 2650 pf @ 10 V | - | 52W (TC) | ||||||||
Sup40010el-ge3 | 2.9700 | ![]() | 117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup40010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,8MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 11155 PF @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||||||
![]() | SI4829DY-T1-E3 | - | ![]() | 7105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4829 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 2A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 215MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 12V | 210 PF @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||||
![]() | SI1427EDH-T1-GE3 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1427 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 64MOHM @ 3A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 21 NC @ 8 V | ± 8v | - | 1 56W (TA), 2,8W (TC) | ||||||||
![]() | SI4505DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7186 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4505 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30v, 8v | 6a, 3.8a | 18MOHM @ 7.8A, 10V | 1,8 V à 250µA | 20nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
![]() | SIRC16DP-T1-GE3 | 1.2600 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SIRC16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 0,96MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 48 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 5150 pf @ 10 V | - | 54,3w (TC) | ||||||||
![]() | SI4684DY-T1-E3 | - | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4684 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.4MOHM @ 16A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 12V | 2080 PF @ 15 V | - | 2,5W (TA), 4 45W (TC) | |||||||
![]() | SI5922DU-T1-GE3 | 0,5400 | ![]() | 4629 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet Dual | SI5922 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10.4w | PowerPak® Chipfet Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 6A (TC) | 19.2MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 7.1nc @ 4,5 V | 765pf @ 15v | - | ||||||||||
![]() | Irfr120trlpbf-be3 | 1.5900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | 742-irfr120trlpbf-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 270MOHM @ 4.6A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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