SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id
SIR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir622dp-T1-RE3 1.5600
RFQ
ECAD 890 0,00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir622 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 12.6A (TA), 51.6A (TC) 7,5 V, 10V 17.7MOHM @ 20A, 10V 4,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1516 pf @ 75 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI4484EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4484EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2659 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4484 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 4.8A (TA) 6v, 10v 34MOHM @ 6.9A, 10V 2V @ 250µA (min) 30 NC @ 10 V ± 20V - 1.8W (TA)
SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4062DY-T1-GE3 1.7500
RFQ
ECAD 7684 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4062 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 32.1a (TC) 4,5 V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2,6 V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3175 PF @ 30 V - 7.8W (TC)
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia429djt-t1-ge3 0,6200
RFQ
ECAD 5578 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Sia429 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 12A (TC) 1,5 V, 4,5 V 20,5 mohm @ 6a, 4,5 V 1V @ 250µA 62 NC @ 8 V ± 8v 1750 pf @ 10 V - 3,5W (TA), 19W (TC)
TP0610K-T1 Vishay Siliconix TP0610K-T1 -
RFQ
ECAD 4309 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0610 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 60 V 185mA (TA) 4,5 V, 10V 6OHM @ 500mA, 10V 3V à 250µA 1,7 NC @ 15 V ± 20V 23 pf @ 25 V - 350MW (TA)
SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir108dp-t1-re3 1.7100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir108 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 12.4A (TA), 45A (TC) 7,5 V, 10V 13,5MOHM @ 10A, 10V 3,6 V @ 250µA 41,5 NC @ 10 V ± 20V 2060 PF @ 50 V - 5W (TA), 65,7W (TC)
SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix SST4416-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4154 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4416 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 2.2pf @ 15v 30 V 5 ma @ 15 V 3 V @ 1 na
SISS5112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss5112dn-t1-ge3 1.5600
RFQ
ECAD 5441 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss5112 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 11A (TA), 40,7A (TC) 7,5 V, 10V 14.9MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 50 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI3433CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3433CDV-T1-E3 0,5100
RFQ
ECAD 7915 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3433 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 6A (TC) 1,8 V, 4,5 V 38MOHM @ 5.2A, 4,5 V 1V @ 250µA 45 NC @ 8 V ± 8v 1300 pf @ 10 V - 3.3W (TC)
SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_GE3 0 7600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SQ3410 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 8A (TC) 4,5 V, 10V 17,5 mohm @ 5a, 10v 2,5 V @ 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1005 pf @ 15 V - 5W (TC)
SQJ409EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ409EP-T1_BE3 1.4900
RFQ
ECAD 1565 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) 742-SQJ409EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 40 V 60a (TC) 4,5 V, 10V 7MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 260 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 25 V - 68W (TC)
SI3473DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1770 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 5.9A (TA) 1,8 V, 4,5 V 23MOHM @ 7.9A, 4,5 V 1V @ 250µA 33 NC @ 4,5 V ± 8v - 1.1W (TA)
SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix Sijh800e-T1-Ge3 4.8400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 8 x 8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 80 V 29A (TA), 299A (TC) 7,5 V, 10V 1 55 mohm @ 20a, 10v 4V @ 250µA 210 NC @ 10 V ± 20V 10230 pf @ 40 V - 3.3W (TA), 333W (TC)
SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7431DP-T1-GE3 4.0900
RFQ
ECAD 1015 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Si7431 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 200 V 2.2a (TA) 6v, 10v 174MOHM @ 3,8A, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SI2306BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-BE3 0,5500
RFQ
ECAD 4754 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger 1 (illimité) 742-SI2306BDS-T1-BE3TR EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 3.16A (TA) 4,5 V, 10V 47MOHM @ 3,5A, 10V 3V à 250µA 4,5 NC @ 5 V ± 20V 305 PF @ 15 V - 750MW (TA)
SIHB22N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N65E-T1-GE3 4.8100
RFQ
ECAD 797 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger 1 (illimité) 742-SIHB22N65E-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 650 V 22A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2415 PF @ 100 V - 227W (TC)
SI7270DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7270DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2475 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SI7270 MOSFET (Oxyde Métallique) 17.8W PowerPak® SO-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 8a 21MOHM @ 8A, 10V 2,8 V @ 250µA 21nc @ 10v 900pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4835DDY-T1-E3 1.2300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4835 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 13A (TC) 4,5 V, 10V 18MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 65 NC @ 10 V ± 25V 1960 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 5.6W (TC)
SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8466EDB-T2-E1 0,5100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-ufbga, wlcsp Si8466 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 Microfoot télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 8 V 3.6A (TA) 1,2 V, 4,5 V 43MOHM @ 2A, 4,5 V 700 mV à 250µa 13 NC @ 4,5 V ± 5V 710 PF @ 4 V - 780mw (TA), 1,8W (TC)
SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR188DP-T1-RE3 1 5000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir188 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 25,5A (TA), 60A (TC) 7,5 V, 10V 3 85MOHM @ 10A, 10V 3,6 V @ 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1920 pf @ 30 V - 5W (TA), 65,7W (TC)
SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG018N60E-GE3 17.2100
RFQ
ECAD 288 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sihg018 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 99a (TC) 10V 23MOHM @ 25A, 10V 5V @ 250µA 228 NC @ 10 V ± 30V 7612 PF @ 100 V - 524W (TC)
SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA24DN-T1-GE3 0,9600
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Sisa24 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 25 V 60a (TC) 4,5 V, 10V 1,4 mohm @ 15a, 10v 2,1 V @ 250µA 26 NC @ 4,5 V + 20V, -16V 2650 pf @ 10 V - 52W (TC)
SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix Sup40010el-ge3 2.9700
RFQ
ECAD 117 0,00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup40010 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 120A (TC) 4,5 V, 10V 1,8MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 230 NC @ 10 V ± 20V 11155 PF @ 30 V - 375W (TC)
SI4829DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4829DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7105 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4829 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 2A (TC) 2,5 V, 4,5 V 215MOHM @ 2,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 8 NC @ 10 V ± 12V 210 PF @ 10 V Diode Schottky (isolé) 2W (TA), 3.1W (TC)
SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1427EDH-T1-GE3 0,4300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1427 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 2A (TC) 1,5 V, 4,5 V 64MOHM @ 3A, 4,5 V 1V @ 250µA 21 NC @ 8 V ± 8v - 1 56W (TA), 2,8W (TC)
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7186 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4505 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.2W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n et p 30v, 8v 6a, 3.8a 18MOHM @ 7.8A, 10V 1,8 V à 250µA 20nc @ 5v - Porte de Niveau Logique
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-GE3 1.2600
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SIRC16 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 25 V 60a (TC) 4,5 V, 10V 0,96MOHM @ 15A, 10V 2,4 V @ 250µA 48 NC @ 4,5 V + 20V, -16V 5150 pf @ 10 V - 54,3w (TC)
SI4684DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4684DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8102 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4684 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 16A (TC) 4,5 V, 10V 9.4MOHM @ 16A, 10V 1,5 V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 12V 2080 PF @ 15 V - 2,5W (TA), 4 45W (TC)
SI5922DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3 0,5400
RFQ
ECAD 4629 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® Chipfet Dual SI5922 MOSFET (Oxyde Métallique) 10.4w PowerPak® Chipfet Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 6A (TC) 19.2MOHM @ 5A, 10V 2,2 V @ 250µA 7.1nc @ 4,5 V 765pf @ 15v -
IRFR120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix Irfr120trlpbf-be3 1.5900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger 1 (illimité) 742-irfr120trlpbf-be3tr EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 7.7a (TC) 270MOHM @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock