SIC
close

Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Gagner Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
RN4990FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 6683 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4990 100 MW ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz, 200 MHz 4,7 kohms -
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-Y, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3265 200 MW À 236 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 400 mV @ 20mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 120 MHz
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-GR, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 1MA, 10mA 200 @ 2MA, 6V 100 MHz
RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2801 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN2107 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4954 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2097 (TE16L1, NQ) 0,8000
RFQ
 ECAD 8947 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 2SA2097 1 W PW-Mold télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 50 V 5 a 100NA (ICBO) Pnp 270mV @ 53mA, 1.6a 200 @ 500mA, 2V -
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (Paio, F, M) -
RFQ
 ECAD 8587 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1837 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5 V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70 MHz
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7266 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN1967 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6Wnlf (J -
RFQ
 ECAD 2036 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SC5171,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Q (J -
RFQ
 ECAD 7250 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SC5171 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2 A 5µA (ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200 MHz
TTC004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC004B, Q 0,5300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 TTC004 10 W TO-126N télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 250 160 V 1,5 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100 MHz
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-101, SOT-883 RN2105 100 MW CST3 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2,2 kohms 47 kohms
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8211 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2968 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, netq (m -
RFQ
 ECAD 6462 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1931 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA (ICBO) Pnp 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60 MHz
RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1891 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN1104 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 10mA, 5V 47 kohms 47 kohms
RN1109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN1109 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
RFQ
 ECAD 8582 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC5233 100 MW USM - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10mA, 200mA 500 @ 10mA, 2V 130 MHz
RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1192 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
2SC2229-Y(MIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (MIT, F, M) -
RFQ
 ECAD 4110 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2229 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0 2900
RFQ
 ECAD 4597 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2413 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 47 kohms
RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107, LF (CT 0,2300
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2107 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
2SC5198-O(S1,E Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5198-O (S1, E -
RFQ
 ECAD 4257 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 2SC5198 100 W To-3p (n) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 2SC5198-O (S1E EAR99 8541.29.0075 25 140 V 10 a 5µA (ICBO) NPN 2V @ 700mA, 7A 55 @ 1A, 5V 30 MHz
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506 (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 RN2506 300mw SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3024 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6USNF (M -
RFQ
 ECAD 4600 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2108MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 3075 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2108 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 22 kohms 47 kohms
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8450 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-82A, SOT-343 2SC5088 100 MW USQ - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 18 dB 12V 80m NPN 80 @ 20mA, 10V 7 GHz 1 dB à 500 MHz
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, F (J -
RFQ
 ECAD 8296 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer