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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 5431 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1837 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5 V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70 MHz
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1308 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C Support de surface 8 powervdfn TPCC8093 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme TPCC8093L1Q EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 20 V 21A (TA) 2,5 V, 4,5 V 5,8MOHM @ 10.5A, 4,5 V 1,2 V @ 500µA 16 NC @ 5 V ± 12V 1860 PF @ 10 V - 1.9W (TA), 30W (TC)
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (M -
RFQ
 ECAD 9931 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SD2695 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 1MA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100 MHz
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, YHF (J -
RFQ
 ECAD 3098 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1837 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5 V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70 MHz
2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-Y, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 1595 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100 µA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 RN2507 300mw SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA (STA4, Q, M) 1.6400
RFQ
 ECAD 6704 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif - Par le trou À 220-3 EXCHET TK8A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 7.5a (TC) - - - -
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0,8900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPN4R303 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 4.3MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 200µA 14.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 700MW (TA), 34W (TC)
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH4R50 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 60a (TC) 10V 4,5 mohm @ 30a, 10v 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 50 V - 1.6W (TA), 78W (TC)
TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8001-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4160 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosv-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 8-VDFN TPCC8001 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.3x3.3) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 22a (ta) 4,5 V, 10V 8,3MOHM @ 11A, 10V 2,5 V @ 1MA 27 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266 (TE24R, Q) -
RFQ
 ECAD 2638 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 2SK2266 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 MSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 45A (TA) 4V, 10V 30 mohm @ 25a, 10v 2v @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 10 V - 65W (TC)
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J328R, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS SSM3J328 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 6a (ta) 1,5 V, 4,5 V 29.8MOHM @ 3A, 4,5 V 1v @ 1MA 12,8 NC @ 4,5 V ± 8v 840 pf @ 10 V - 1W (ta)
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087YTE85LF -
RFQ
 ECAD 9624 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-61AA 2SC5087 150mw Smq - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 13db 12V 80m NPN 120 @ 20mA, 10V 7 GHz 1,1 dB à 1Hz
TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8003-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5379 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 8-VDFN TPCC8003 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.3x3.3) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 13a (ta) 4,5 V, 10V 16,9MOHM @ 6.5A, 10V 2,3 V @ 200µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 10 V - 700MW (TA), 22W (TC)
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage Hn1b04fu-y (T5L, F, T -
RFQ
 ECAD 1894 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 150m 100NA (ICBO) Npn, pnp 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 150 MHz
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN111TACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 3758 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-101, SOT-883 RN1111 100 MW CST3 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 10 kohms
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 (Q) -
RFQ
 ECAD 9064 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK55D10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 (w) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 55A (TA) 4,5 V, 10V 10,5 mohm @ 27a, 10v 2.3V @ 1mA 110 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 10 V - 140W (TC)
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1423TE85LF 0,4200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1423 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 800 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 250 MV @ 1MA, 50MA 70 @ 100mA, 1v 300 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, nq -
RFQ
 ECAD 6481 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TK10S04 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak + télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 10A (TA) 6v, 10v 28MOHM @ 5A, 10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 410 PF @ 10 V - 25W (TC)
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LXHF (CT 0,0624
RFQ
 ECAD 9359 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2112 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 22 kohms
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y, F (J -
RFQ
 ECAD 5348 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2229 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6SHRP, FM -
RFQ
 ECAD 5283 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 6817 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4907 100 MW ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10 kohms 47 kohms
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4,7 kohms
RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1644 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms -
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ttc1949-gr, lf 0,3100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 MW S-mini télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400 mV à 50ma, 500mA 180 @ 100mA, 1V 100 MHz
RN2902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface SC-75, SOT-416 120 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80 MHz
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    Volume de RFQ moyen quotidien

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    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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