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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D (STA4, Q, M) 2.4700
RFQ
 ECAD 9513 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK13A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 13a (ta) 10V 460mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7438 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 2SC6026 100 MW CST3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 60 MHz
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y, RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TK290P65 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 650 V 11.5A (TC) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 100W (TC)
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3C télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 30 V 100mA (TA) 2,5 V, 4V 3,6 ohm @ 10mA, 4V 1,5 V à 100 µA ± 20V 13,5 pf @ 3 V - 500mw (TA)
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 (TE12L, Q, M -
RFQ
 ECAD 5105 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8105 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 6a (ta) 1,8 V, 4,5 V 33MOHM @ 3A, 4,5 V 1,2 V @ 200µA 18 NC @ 5 V ± 8v 1600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 20W (TC)
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y (F) -
RFQ
 ECAD 9090 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SD2406 25 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 30 µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8 MHz
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 9297 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8010 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 5.5A (TA) 10V 450 mohm @ 2,7a, 10v 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74, SOT-457 RN2607 300mw SM6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1, RQ (S -
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk20p04 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 20A (TA) 4,5 V, 10V 29MOHM @ 10A, 10V 2,3 V à 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 985 PF @ 10 V - 27W (TC)
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3F 0 1700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1104 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47 kohms 47 kohms
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2146 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X, S1F 4.6600
RFQ
 ECAD 4357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TK25N60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 25A (TA) 10V 125 mohm @ 7,5a, 10v 3,5 V @ 1,2MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W, S1VF 4.1900
RFQ
 ECAD 7281 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TK16N60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3,7 V @ 790µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134, LQ (S 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TPC8134 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 40 V 5A (TA) 4,5 V, 10V 52MOHM @ 2,5A, 10V 2V @ 100µA 20 nc @ 10 V + 20V, -25V 890 pf @ 10 V - 1W (ta)
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A, LQ (CO -
RFQ
 ECAD 9799 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk1p90 MOSFET (Oxyde Métallique) PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Tk1p90alq (CO EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 1a (ta) 10V 9OHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 30V 320 pf @ 25 V - 20W (TC)
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J505 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 12A (TA) 1,2 V, 4,5 V 12MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 37,6 NC @ 4,5 V ± 6V 2700 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK16E60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 15.8A (TA) 10V 230MOHM @ 7.9A, 10V 4,5 V @ 790µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U (Q, M) -
RFQ
 ECAD 2935 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosii Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK12A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 12A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10v 5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ± 30V 720 pf @ 10 V - 35W (TC)
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL, LQ 0,8000
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH11006 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 17A (TC) 4,5 V, 10V 11.4MOHM @ 8.5A, 10V 2,5 V @ 200µA 23 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 30 V - 1.6W (TA), 34W (TC)
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5, S1F 4.5900
RFQ
 ECAD 8939 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TK25N60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 25A (TA) 10V 140 mohm @ 7,5a, 10v 4,5 V @ 1,2MA 60 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9160 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J304 MOSFET (Oxyde Métallique) TSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 2.3A (TA) 1,8 V, 4V 127MOHM @ 1A, 4V - 6.1 NC @ 4 V ± 8v 335 PF @ 10 V - 700MW (TA)
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT, L3F 0 2900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3K37 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 20 V 200mA (TA) 1,5 V, 4,5 V 2,2 ohm @ 100mA, 4,5 V 1v @ 1MA ± 10V 12 pf @ 10 V - 100MW (TA)
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 2SC4915 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 17 dB ~ 23 dB 30V 20 mA NPN 100 @ 1MA, 6V 550 MHz 2,3 dB ~ 5 dB à 100 MHz
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AMFV, L3F 0 2900
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 SSM3K15 MOSFET (Oxyde Métallique) Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 Canal n 30 V 100mA (TA) 2,5 V, 4V 3,6 ohm @ 10mA, 4V 1,5 V à 100 µA ± 20V 13,5 pf @ 3 V - 150mw (TA)
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3334 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 HN1B04 300mw SM6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 30V 500mA 100NA (ICBO) Npn, pnp 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1v 200 MHz
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z, S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C Par le trou À 247-3 TK040N65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme Non applicable EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 57A (TA) 10V 40MOHM @ 28,5A, 10V 4V @ 2,85mA 105 NC @ 10 V ± 30V 6250 pf @ 300 V - 360W (TC)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (J -
RFQ
 ECAD 2689 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 220-3 EXCHET 2SJ438 À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU, LF -
RFQ
 ECAD 3756 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 300mw US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 200m 2.1Ohm @ 500mA, 10V 3,1 V @ 250µA - 17pf @ 25v Porte de Niveau Logique
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 6337 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200 MW US6 - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2911 100 MW ES6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 kohms -
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    Volume de RFQ moyen quotidien

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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