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Transistors (2488)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
SSM3J372R, LF	0.4400	RFQ	334	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C	Support de surface	SOT-23-3 PLATS PLATS	SSM3J372		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23F	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p					30 V	6a (ta)	1,8 V, 10V	42MOHM @ 5A, 10V	1,2 V @ 1MA	8,2 NC @ 4,5 V	+ 12V, -6V	560 pf @ 15 V	-	1W (ta)
RN1101, LXHF (CT	0,3300	RFQ	9	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SC-75, SOT-416	RN1101			100 MW	SSM	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50 V	100 mA		500NA	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	30 @ 10mA, 5V	250 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms
TK60P03M1, RQ (S	-	RFQ	6408	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi-h	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Tk60p03		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n					30 V	60a (TA)	4,5 V, 10V	6,4MOHM @ 30A, 10V	2,3 V @ 500µA	40 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 10 V	-	63W (TC)
TK9A65W, S5X	2.2200	RFQ	1169	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK9A65		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					650 V	9.3A (TA)	10V	500 MOHM @ 4.6A, 10V	3,5 V @ 350µA	20 nc @ 10 V	± 30V	700 pf @ 300 V	-	30W (TC)
2SC4793 (LBSAN, F, M)	-	RFQ	3354	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SC4793			2 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																		230 V	1 a		1µA (ICBO)	NPN	1,5 V @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	100 MHz
RN2904FE (T5L, F, T)	-	RFQ	8069	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN2904			100 MW	ES6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																		50v	100 mA		100NA (ICBO)	2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	47 kohms	47 kohms
RN2711 (TE85L, F)	-	RFQ	1334	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2711			200 MW	5-SSOP	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50v	100 mA		100NA (ICBO)	2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur)	300 mV à 250µa, 5mA	400 @ 1MA, 5V	200 MHz	10 kohms	-
RN2117 (TE85L, F)	0,3900	RFQ	2	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SC-75, SOT-416	RN2117			100 MW	SSM	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																		50 V	100 mA		500NA	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	30 @ 10mA, 5V	200 MHz	10 kohms	4,7 kohms
2SC6139, T2F (M	-	RFQ	7133	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	SC-71	2SC6139			1 W	MSTM	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																		160 V	1,5 A		100NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	140 @ 100mA, 5V	100 MHz
SSM3K17SU, LF (D	-	RFQ	9558	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète					SSM3K17					-		1 (illimité)	SSM3K17SULF (D	EAR99	8541.21.0095	3 000								100mA (TA)
RN2313 (TE85L, F)	-	RFQ	4403	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SC-70, SOT-323	RN2313			100 MW	SC-70	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																		50 V	100 mA		100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	120 @ 1MA, 5V	200 MHz	47 kohms
SSM6L12TU, LF	0,5100	RFQ	2	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C	Support de surface	6 mm, plombes plombes	SSM6L12		MOSFET (Oxyde Métallique)	500mw	Uf6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n et p						30V, 20V	500mA (TA)		145MOHM @ 500mA, 4,5 V, 260MOHM @ 250mA, 4V	1,1 V @ 100µA	-		245pf @ 10v, 218pf @ 10v	-
RN1962TE85LF	-	RFQ	5519	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1962			500mw	US6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50v	100 mA		100NA (ICBO)	2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RN1908FE (TE85L, F)	0,0639	RFQ	7284	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN1908			100 MW	ES6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																		50v	100 mA		100NA (ICBO)	2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250 MHz	22 kohms	47 kohms
RFM04U6P (TE12L, F)	1.5493	RFQ	7126	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	16 V		Support de surface	À 243aa	RFM04U6	470 MHz	Mosfet		Pw-mini	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n		2A	500 mA	4.3W	13,3 dB											-			6 V
TTA004B, Q	0 4500	RFQ	3	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	TTA004			10 W	TO-126N	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	250																		160 V	1,5 A		100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	140 @ 100mA, 5V	100 MHz
RN2110CT (TPL3)	-	RFQ	1745	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-101, SOT-883	RN2110			50 MW	CST3	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	10 000																		20 V	50 mA		100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	150 mV à 250µa, 5mA	300 @ 1MA, 5V		4,7 kohms
RN2965 (TE85L, F)	0,4800	RFQ	2	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2965			200 MW	US6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50v	100 mA		100NA (ICBO)	2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	2,2 kohms	47 kohms
RN1113CT (TPL3)	-	RFQ	5999	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-101, SOT-883	RN113			50 MW	CST3	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	10 000																		20 V	50 mA		100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	150 mV à 250µa, 5mA	300 @ 1MA, 5V		47 kohms
TPC6011 (TE85L, F, M)	-	RFQ	5591	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosiv	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TPC6011		MOSFET (Oxyde Métallique)		VS-6 (2.9x2.8)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n					30 V	6a (ta)	4,5 V, 10V	20 mohm @ 3a, 10v	2,5 V @ 1MA	14 NC @ 10 V	± 20V	640 PF @ 10 V	-	700MW (TA)
TJ20S04M3L (T6L1, nq	1.3300	RFQ	9822	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif		175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TJ20S04		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak +	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p					40 V	20A (TA)	6v, 10v	22.2MOHM @ 10A, 10V	3V @ 1MA	37 NC @ 10 V	+ 10v, -20V	1850 pf @ 10 V	-	41W (TC)
RN4607 (TE85L, F)	0 4700	RFQ	795	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SC-74, SOT-457	RN4607			300mw	SM6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50v	100 mA		100NA (ICBO)	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	10 kohms	47 kohms
RN1903, LXHF (CT	0,3600	RFQ	3	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1903			200 MW	US6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50v	100 mA		500NA	2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	70 @ 10mA, 5V	250 MHz	22 kohms	22 kohms
TK70D06J1 (Q)	-	RFQ	8209	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TK70		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220 (w)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					60 V	70A (TA)	4,5 V, 10V	6,4MOHM @ 35A, 10V	2.3V @ 1mA	87 NC @ 10 V	± 20V	5450 PF @ 10 V	-	45W (TC)
TPC6107 (TE85L, F, M)	-	RFQ	1647	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosiv	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TPC6107		MOSFET (Oxyde Métallique)		VS-6 (2.9x2.8)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p					20 V	4.5a (TA)	2v, 4,5 V	55MOHM @ 2,2A, 4,5 V	1,2 V @ 200µA	9.8 NC @ 5 V	± 12V	680 pf @ 10 V	-	700MW (TA)
SSM6J213FE (TE85L, F	0 4700	RFQ	8736	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SSM6J213		MOSFET (Oxyde Métallique)		ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000		Canal p					20 V	2.6A (TA)	1,5 V, 4,5 V	103MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1v @ 1MA	4,7 NC @ 4,5 V	± 8v	290 pf @ 10 V	-	500mw (TA)
TPH14006NH, L1Q	1.1400	RFQ	5	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosviii-h	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	TPH14006		MOSFET (Oxyde Métallique)		Advance 8-SOP (5x5)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n					60 V	14A (TA)	6,5 V, 10V	14MOHM @ 7A, 10V	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 30 V	-	1.6W (TA), 32W (TC)
SSM6K781G, LF	0,5100	RFQ	850	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvii-h	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	6-ufbga, wlcsp	SSM6K781		MOSFET (Oxyde Métallique)		6-WCSPC (1.5x1.0)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n					12 V	7a (ta)	1,5 V, 4,5 V	18MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1V @ 250µA	5,4 NC @ 4,5 V	± 8v	600 pf @ 6 V	-	1.6W (TA)
TK6Q65W, S1Q	1 4000	RFQ	8899	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak	TK6Q65		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n					650 V	5.8A (TA)	10V	1,05 ohm @ 2,9a, 10v	3,5 V @ 180µA	11 NC @ 10 V	± 30V	390 pf @ 300 V	-	60W (TC)
TPC8110 (TE12L, Q, M)	-	RFQ	6368	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosiii	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	TPC8110		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP (5.5x6.0)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p					40 V	8a (ta)	4V, 10V	25MOHM @ 4A, 10V	2v @ 1MA	48 NC @ 10 V	± 20V	2180 PF @ 10 V	-	1W (ta)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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