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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L, LXGQ 3,7000
RFQ
 ECAD 4476 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab TK160F10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 msm (w) - 3 (168 Heures) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 160a (TA) 6v, 10v 2,4MOHM @ 80A, 10V 3,5 V @ 1MA 122 NC @ 10 V ± 20V 10100 pf @ 10 V - 375W (TC)
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6K518 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 6a (ta) 1,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 3,6 NC @ 4,5 V ± 8v 410 PF @ 10 V - 1.25W (TA)
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6K516 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6a (ta) 4,5 V, 10V 46MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 100µA 2,5 NC @ 4,5 V + 20V, -12V 280 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3F 0,0261
RFQ
 ECAD 9895 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux Support de surface SOT-723 RN1101 150 MW Vesm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 4,7 kohms
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 1153 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2111 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 10 kohms
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6CNO, A, F) -
RFQ
 ECAD 5381 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SD2695 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 1MA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100 MHz
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, Kehinq (M -
RFQ
 ECAD 8804 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1931 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA (ICBO) Pnp 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60 MHz
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4904 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 47 kohms 47 kohms
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6canofm -
RFQ
 ECAD 6361 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) 2SA1020YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O (Q) 3.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-3pl 2SA1987 180 W To-3p (l) télécharger Rohs3 conforme Non applicable EAR99 8541.29.0075 100 230 V 15 A 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30 MHz
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 7556 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 5768 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 2SA1955 100 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 8 000 12 V 400 mA 100NA (ICBO) Pnp 250 MV @ 10mA, 200mA 300 @ 10mA, 2V 130 MHz
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y, HOF (M -
RFQ
 ECAD 8164 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1315 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 80 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 80 MHz
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 4840 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 49 @ 5mA, 5V 250 MHz 22 kohms
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y, LF 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200 MHz
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6canofm -
RFQ
 ECAD 8697 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) 2SC2655YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, F (J -
RFQ
 ECAD 7950 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1972 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 400 V 500 mA 10µA (ICBO) Pnp 1V @ 10mA, 100mA 140 @ 20mA, 5V 35 MHz
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL, LF 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SA1587 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 1MA, 10mA 350 @ 2MA, 6V 100 MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427te85lf 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 800 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 250 MV @ 1MA, 50MA 90 @ 100mA, 1v 300 MHz 2,2 kohms 10 kohms
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV, L3F 0,1000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1130 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 100 @ 10mA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A55DA (STA4, Q, M) 1.4900
RFQ
 ECAD 8915 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK6A55 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 5.5A (TA) 10V 1 48 ohm @ 2,8A, 10V 4.4 V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z, LQ 3.6700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 4-VSFN TK170V65 MOSFET (Oxyde Métallique) 4-DFN-EP (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 18A (TA) 10V 170MOHM @ 9A, 10V 4V à 730µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1635 PF @ 300 V - 150W (TC)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (M -
RFQ
 ECAD 4332 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SK2962 To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 7200 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2109 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 47 kohms 22 kohms
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 9918 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2907 100 MW ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
2SA1931,NSEIKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, Nseikiq (J -
RFQ
 ECAD 5094 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SA1931 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA (ICBO) Pnp 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60 MHz
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C, S1F 11.4500
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-4 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) À 247-4L (x) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 30a (TC) 18V 118MOHM @ 15A, 18V 5V à 600 µA 28 NC @ 18 V + 25V, -10V 873 PF @ 400 V - 111W (TC)
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C, S1F 30.4100
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-4 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) À 247-4L (x) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 60a (TC) 18V 41MOHM @ 30A, 18V 5V @ 13mA 82 NC @ 18 V + 25V, -10V 2925 PF @ 800 V - 249W (TC)
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140Z120C, S1F 10.2200
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-4 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) À 247-4L (x) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 20A (TC) 18V 191MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1MA 24 NC @ 18 V + 25V, -10V 691 PF @ 800 V - 107W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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