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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | TPCA8028-H (TE12LQM | - | ![]() | 9696 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosiv-h | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPCA8028 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-SOP (5x5) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 50A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 25A, 10V | 2.3V @ 1mA | 88 NC @ 10 V | ± 20V | 7800 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||
![]() | 2SC5439 (F) | - | ![]() | 9123 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 2SC5439 | 2 W | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 8 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1v @ 640mA, 3.2a | 14 @ 1A, 5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3309 (TE24L, Q) | - | ![]() | 7505 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 2SK3309 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 MSM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 450 V | 10A (TA) | 10V | 650 mohm @ 5a, 10v | 5V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 920 PF @ 10 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TPC8031-H (TE12LQM) | - | ![]() | 5858 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | TPC8031 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP (5.5x6.0) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 13.3MOHM @ 5.5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | 2150 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | TPCA8003-H (TE12LQM | - | ![]() | 4120 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPCA8003 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-SOP (5x5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 35A (TA) | 4,5 V, 10V | 6,6MOHM @ 18A, 10V | 2.3V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 PF @ 10 V | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TPCA8010-H (TE12LQM | - | ![]() | 6650 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | π-mosv | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPCA8010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-SOP (5x5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 5.5A (TA) | 10V | 450 mohm @ 2,7a, 10v | 4V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TPCF8304 (TE85L, F, M | - | ![]() | 5747 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | TPCF8304 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 330mw | VS-8 (2.9x1.5) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 3.2a | 72MOHM @ 1.6A, 10V | 1,2 V @ 1MA | 14nc @ 10v | 600pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||
![]() | TPCP8001-H (TE85LFM | - | ![]() | 4459 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosiii | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | TPCP8001 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PS-8 (2.9x2.4) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 7.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 3,6A, 10V | 2.3V @ 1mA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 10 V | - | 1W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SSM3J114TU (T5L, T) | - | ![]() | 2761 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, plombes plombes | SSM3J114 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Ufm | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 1.8A (TA) | 1,5 V, 4V | 149MOHM @ 600mA, 4V | 1v @ 1MA | 7,7 NC @ 4 V | ± 8v | 331 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||||||||
![]() | SSM3J120TU, LF | - | ![]() | 2941 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosiv | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, plombes plombes | SSM3J120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Ufm | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4a (ta) | 1,5 V, 4V | 38MOHM @ 3A, 4V | 1v @ 1MA | 22.3 NC @ 4 V | ± 8v | 1484 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||
![]() | SSM3K315T (TE85L, F) | - | ![]() | 5970 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosiv | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3K315 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 6a (ta) | 4,5 V, 10V | 27,6MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 10.1 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | SSM6K211F, LF | 0,5400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosiii | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SSM6K211 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ES6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | Canal n | 20 V | 3.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 47MOHM @ 2A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 10,8 NC @ 4,5 V | ± 10V | 510 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||
![]() | SSM6P15FE (TE85L, F) | 0,4200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SSM6P15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 150mw | ES6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 100 mA | 12OHM @ 10mA, 4V | 1,7 V @ 100µA | - | 9.1pf @ 3v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
![]() | SSM6P35FE (TE85L, F) | 0.4400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | Ssm6p35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 150mw | ES6 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 100 mA | 8ohm @ 50mA, 4V | 1v @ 1MA | - | 12.2pf @ 3v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
![]() | 2SK2995 (F) | - | ![]() | 9943 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK2995 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p (n) est | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 30A (TA) | 10V | 68MOHM @ 15A, 10V | 3,5 V @ 1MA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 10 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2SK3068 (TE24L, Q) | - | ![]() | 7876 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 2SK3068 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 MSM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 12A (TA) | 10V | 520 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 PF @ 10 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TPN14006NH, L1Q | 0,3533 | ![]() | 4019 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosviii-h | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPN14006 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-Tson (3.1x3.1) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 60 V | 13a (ta) | 6,5 V, 10V | 14MOHM @ 6.5A, 10V | 4V @ 200µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 30 V | - | 700MW (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||
![]() | TK10A60W, S4VX | 2.7800 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dtmosiv | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TK10A60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220sis | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 9.7A (TA) | 10V | 380mohm @ 4.9a, 10v | 3,7 V @ 500µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 300 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||
![]() | TK32E12N1, S1X | 1.5300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosviii-h | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TK32E12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 120 V | 60a (TC) | 10V | 13.8MOHM @ 16A, 10V | 4V à 500 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 60 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||
![]() | SSM3K16CT (TPL3) | 0,0571 | ![]() | 2573 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | π-mosvi | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-101, SOT-883 | SSM3K16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | CST3 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Canal n | 20 V | 100mA (TA) | 1,5 V, 4V | 3OHM @ 10mA, 4V | 1,1 V @ 100µA | ± 10V | 9.3 PF @ 3 V | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | SSM3K309T (TE85L, F) | - | ![]() | 1396 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3K309 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 4.7A (TA) | 1,8 V, 4V | 31MOHM @ 4A, 4V | - | ± 12V | 1020 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2SA2154CT-GR, L3F | 0,3200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-101, SOT-883 | 2SA2154 | 100 MW | CST3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 2MA, 6V | 80 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SK2035 (T5L, F, T) | - | ![]() | 1230 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 2SK2035 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SSM | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 100mA (TA) | 2,5 V | 12OHM @ 10mA, 2,5 V | - | 10V | 8,5 pf @ 3 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2SK2145-BL (TE85L, F | 0,6800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | 2SK2145 | 300 MW | SMV | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 13pf @ 10v | 6 Ma @ 10 V | 200 mV @ 100 na | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK880-BL (TE85L, F) | 0,5900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 2SK880 | 100 MW | SC-70 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 13pf @ 10v | 50 V | 6 Ma @ 10 V | 1,5 V @ 100 Na | |||||||||||||||||||||
![]() | RN1107, LF (CT | 0,2000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-75, SOT-416 | RN1107 | 100 MW | SSM | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | RN1310 (TE85L, F) | 0,2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | RN1310 | 100 MW | SC-70 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 250µa, 5mA | 120 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||
TK16C60W, S1VQ | - | ![]() | 7901 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dtmosiv | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | TK16C60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 15.8A (TA) | 10V | 190mohm @ 7.9a, 10v | 3,7 V @ 790µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 300 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | TPN11003NL, LQ | 0,6800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosviii-h | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPN11003 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-Tson (3.1x3.1) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 5.5A, 10V | 2,3 V à 100 µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 15 V | - | 700MW (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||
![]() | TPH8R903NL, LQ | 0,8500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | U-mosviii-h | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | TPH8R903 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Advance 8-SOP (5x5) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 10V | 8,9MOHM @ 10A, 10V | 2.3V @ 1mA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 820 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA), 24W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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