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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
Aptgf90h60tg	-	RFQ	9940	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4			416 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET													NPT	600 V	110 A	2,5 V @ 15V, 90A	250 µA	Oui	4.3 NF @ 25 V
MS2210	-	RFQ	9201	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M216			940W		M216	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			7 dB												65v	24a					NPN		10 @ 5a, 5v	960 MHz ~ 1 215 GHz	-
MS2554	-	RFQ	8187	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M218			600W		M218	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			6,2 dB												65v	17.8a					NPN		15 @ 1A, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
Apt20m22b2vrg	-	RFQ	7423	Microsemi Corporation	Power MOS V®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)			T-MAX ™ [B2]	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		200 V	100A (TC)	10V	22MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	435 NC @ 10 V	± 30V	10200 pf @ 25 V	-	520W (TC)
MS2244	-	RFQ	2557	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N1016B	-	RFQ	2360	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)			2N1016		150 W		To-82	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	7.5 A		1 mA			NPN	2,5 V @ 1A, 5A	20 @ 2A, 4V	-
2003	-	RFQ	5458	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55bt-1			12W		55bt-1	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			8,5 dB												50v	500mA					NPN		10 @ 100mA, 5V	2 GHz	-
Jantx2N6250T1	-	RFQ	7774	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/510	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)	2N6250		6 W		À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1															275 V	10 a		1 mA			NPN	1,5 V @ 1,25A, 10A	8 @ 10a, 3v	-
Jantx2n2857	-	RFQ	6264	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/343	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	TO-72-3 Metal Can			200 MW		To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1			12,5 dB ~ 21 dB à 450 MHz												15V	40m					NPN		30 @ 3MA, 1V	500 MHz	4,5 dB à 450 MHz
Jantxv2n6250	-	RFQ	6490	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/510	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-3			6 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	100															275 V	10 a		1 mA			NPN	1,5 V @ 1,25A, 10A	8 @ 10a, 3v	-
APTM100SK18TG	-	RFQ	5067	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4		MOSFET (Oxyde Métallique)			SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		1000 V	43A (TC)	10V	210MOHM @ 21,5A, 10V	5V @ 5mA	372 NC @ 10 V	± 30V	10400 pf @ 25 V	-	780W (TC)
MRF586G	-	RFQ	5778	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1W		To-39	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			13,5 dB												17V	200m					NPN		40 @ 50mA, 5V	3 GHz	-
2C5014	-	RFQ	2967	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	-	-					-	-	Rohs non conforme	Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1																		-			-	-	-	-
MSC1175MA	-	RFQ	6446	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	250 ° C	Soutenir de châssis	M218			400W		M218	-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			8 dB												65v	12A					NPN		15 @ 1A, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
TCS1200	-	RFQ	4002	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55TU-1			2095W		55TU-1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			10.2 DBD												65v	60A					NPN		20 @ 1A, 5V	1,03 GHz	-
58048	-	RFQ	2433	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
S200-50A	-	RFQ	6814	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS2621H	-	RFQ	1648	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS3455	-	RFQ	6590	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
APTM50DAM38CTG	-	RFQ	8160	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4		MOSFET (Oxyde Métallique)			SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		500 V	90a (TC)	10V	45MOHM @ 45A, 10V	5V @ 5mA	246 NC @ 10 V	± 30V	11200 pf @ 25 V	-	694W (TC)
MS1261	-	RFQ	2663	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Châssis, montage	M122			34W		M122	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1			12 dB												18V	2.5a					NPN		20 @ 250mA, 5V	175 MHz	-
MRF545	-	RFQ	1076	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			3,5 W		To-39	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			14 dB												70V	400mA					Pnp		15 @ 50mA, 6V	1 GHz ~ 1,4 GHz	-
SD8002-01H	-	RFQ	7072	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jantx2n4957ub	-	RFQ	2552	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N4957		200 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1			25 dB												30V	30m					Pnp		30 @ 5mA, 10V	-	3,5 dB à 450 MHz
2223-1.7	-	RFQ	6565	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
1014-12	-	RFQ	3200	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55LT			39w		55LT	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			6,8 dB												50v	5A					NPN		10 @ 200mA, 5V	1 GHz ~ 1,4 GHz	-
APTM10HM09FTG	-	RFQ	5229	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM10	MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)			100V	139a		10MOHM @ 69.5A, 10V	4V @ 2,5mA	350nc @ 10v		9875pf @ 25v	-
SD8253-02H	-	RFQ	6107	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
80262	-	RFQ	9314	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MSC1450A	-	RFQ	9635	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	250 ° C	Soutenir de châssis	M216			910W		M216	-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			7 dB												65v	28a					-		15 @ 1A, 5V	-	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

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