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Transistors (1315)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTM120VDA57T3G | - |  | 6146 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP3 | APTM120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 390W | SP3 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 1200V (1,2 kV) | 17A | 684MOHM @ 8.5A, 10V | 5V @ 2,5mA | 187nc @ 10v | 5155pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||
 | 2N5095 | - | | 5689 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | To-205aa, to-5-3 Métal Peut | 4 W | To-5 | - | Rohs non conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 1 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| MS2396 | - | | 8215 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N6249T1 | - | | 3273 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/510 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | 2N6249 | 6 W | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 10 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 1A, 10A | 10 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||
| Jan2n3811 | - | | 9829 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/336 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-78-6 Metal Can | 2N3811 | 350mw | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50m | 10µA (ICBO) | 2 pnp (double) | 250 mV à 100 µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
| Jantxv2n6250t1 | - | | 7701 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/510 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | 2N6250 | 6 W | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 275 V | 10 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 1,25A, 10A | 8 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||
| APTGF300DU120G | - | | 6723 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | SP6 | 1780 W | Standard | SP6 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Source communal double | NPT | 1200 V | 400 A | 3,9 V @ 15V, 300A | 500 µA | Non | 21 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| MPA201 | - | | 3130 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55AU | 6W | 55AU | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 13db | 22V | 300mA | NPN | 20 @ 100mA, 5V | 2 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 1214-55 | - | | 9413 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55AW | 175W | 55AW | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7 dB | 50v | 8a | NPN | 20 @ 1A, 5V | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MDS60L | - | | 8077 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55AW | 120W | 55AW | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 dB | 65v | 4A | NPN | 20 @ 500mA, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
 | 2N5011 | 19.4180 | | 4531 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205aa, to-5-3 Métal Peut | 1 W | To-5aa | télécharger | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 200 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1,5 V @ 5mA, 25mA | 30 @ 25mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| Aptgt75dh60tg | - | | 6433 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP4 | 250 W | Standard | SP4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Pont asymétrique | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 100 A | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Oui | 4,62 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| MS1019 | - | | 6146 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt36n90bc3g | - | | 8346 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 [b] | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 900 V | 36a (TC) | 10V | 120mohm @ 18a, 10v | 3,5 V @ 2,9mA | 252 NC @ 10 V | ± 20V | 7463 PF @ 25 V | - | 390W (TC) | ||||||||||||||||||
| Aptc80dsk15t3g | - | | 2149 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP3 | Aptc80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 277W | SP3 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 800 V | 28a | 150 mohm @ 14a, 10v | 3,9 V @ 2MA | 180nc @ 10v | 4507pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||
| MS2356 | - | | 747 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans2n6250t1 | - | | 4386 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/510 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | 2N6250 | 6 W | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 275 V | 10 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 1,25A, 10A | 8 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||
| APTM100DA18T1G | - | | 1568 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SP1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 1000 V | 40A (TC) | 10V | 216MOHM @ 33A, 10V | 5V @ 2,5mA | 570 NC @ 10 V | ± 30V | 14800 pf @ 25 V | - | 657W (TC) | |||||||||||||||||||
| 66099 | - | | 7190 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptgf660u60d4g | - | | 7470 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | D4 | 2800 W | Standard | D4 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | NPT | 600 V | 860 A | 2,45 V @ 15V, 800A | 500 µA | Non | 36 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| UMIL10 | - | | 3742 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Châssis, montage | 55 PIEDS | 28W | 55 PIEDS | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 dB | 30V | 1.5a | NPN | 10 @ 200mA, 5V | 100 MHz ~ 400 MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| APTM50DAM38TG | - | | 6219 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SP4 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 90a (TC) | 10V | 45MOHM @ 45A, 10V | 5V @ 5mA | 246 NC @ 10 V | ± 30V | 11200 pf @ 25 V | - | 694W (TC) | |||||||||||||||||||
| Jantxv2n7334 | - | | 9240 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/597 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | MO-036AB | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 N-Canal | 100V | 1A | 700MOHM @ 600mA, 10V | 4V @ 250µA | 60nc @ 10v | - | - | |||||||||||||||||||
| 64010h | - | | 8488 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N3811L | - | | 1513 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/336 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-78-6 Metal Can | 2N3811 | 350mw | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50m | 10µA (ICBO) | 2 pnp (double) | 250 mV à 100 µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
| 2C5015 | - | | 8079 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | - | - | - | - | Rohs non conforme | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MS2584 | - | | 1375 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60158 | - | | 9232 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64053 | - | | 2351 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 75086h | - | | 2044 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 |
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