RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
APTGF250SK60D3G	-	RFQ	3314	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Module d-3			1250 W	Standard	D3	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	600 V	400 A	2,45 V @ 15V, 300A	500 µA	Non	13 nf @ 25 V
Aptgf300da120d3g	-	RFQ	9701	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Module d-3			2100 W	Standard	D3	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	1200 V	420 A	3,7 V @ 15V, 300A	5 mA	Non	19 nf @ 25 V
APTGF330A60D3G	-	RFQ	1768	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Module d-3			1560 W	Standard	D3	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												NPT	600 V	520 A	2,45 V @ 15V, 400A	500 µA	Non	18 NF @ 25 V
APTGF330SK60D3G	-	RFQ	6265	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Module d-3			1400 W	Standard	D3	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	600 V	460 A	2,5 V @ 15V, 400A	750 µA	Non	18 NF @ 25 V
Aptgf50a120t1g	-	RFQ	5269	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP1			312 W	Standard	SP1	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												NPT	1200 V	75 A	3,7 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	3,45 nf @ 25 V
Aptgf50da120t1g	-	RFQ	2374	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP1			312 W	Standard	SP1	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	1200 V	75 A	3,7 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	3,45 nf @ 25 V
Aptgf50dh120tg	-	RFQ	2464	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP4			312 W	Standard	SP4	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Pont asymétrique												NPT	1200 V	75 A	3,7 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	3,45 nf @ 25 V
Aptgf50h120tg	-	RFQ	7959	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP4			312 W	Standard	SP4	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET												NPT	1200 V	75 A	3,7 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	3,45 nf @ 25 V
Aptgt75dh120tg	-	RFQ	3599	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4			357 W	Standard	SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Pont asymétrique												Arête du Champ de Tranché	1200 V	110 A	2.1V @ 15V, 75A	250 µA	Oui	5.34 NF @ 25 V
Aptgt75sk120d1g	-	RFQ	8281	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	D1			357 W	Standard	D1	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	110 A	2.1V @ 15V, 75A	4 mA	Non	5.345 NF @ 25 V
Aptgv25h120t3g	-	RFQ	2351	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP3			156 W	Standard	SP3	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET												NPT, Trench Field Stop	1200 V	40 A	2.1V @ 15V, 25A	250 µA	Oui	1,8 nf @ 25 V
Aptm100a46ft1g	-	RFQ	8722	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTM100	MOSFET (Oxyde Métallique)	357W		SP1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)		1000v (1kV)	19A		552MOHM @ 16A, 10V	5V @ 2,5mA	260nc @ 10v		6800pf @ 25v	-
APTM100SKM90G	-	RFQ	5021	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6		MOSFET (Oxyde Métallique)			SP6	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	78A (TC)	10V	105MOHM @ 39A, 10V	5V @ 10mA	744 NC @ 10 V	± 30V	20700 PF @ 25 V	-	1250W (TC)
APTM120A80FT1G	-	RFQ	5549	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTM120	MOSFET (Oxyde Métallique)	357W		SP1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)		1200V (1,2 kV)	14A		960MOHM @ 12A, 10V	5V @ 2,5mA	260nc @ 10v		6696pf @ 25v	-
APTM20SKM10TG	-	RFQ	8888	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4		MOSFET (Oxyde Métallique)			SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	200 V	175a (TC)	10V	12MOHM @ 87.5A, 10V	5V @ 5mA	224 NC @ 10 V	± 30V	13700 pf @ 25 V	-	694W (TC)
Aptm50dhm65tg	-	RFQ	1696	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 canal n (double) asymétrique		500 V	51a		78MOHM @ 25,5A, 10V	5V @ 2,5mA	140nc @ 10v		7000pf @ 25v	-
APTM50DUM19G	-	RFQ	6767	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)	1136W		SP6	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		500 V	163a		22,5MOHM @ 81,5A, 10V	5V @ 10mA	492nc @ 10v		22400pf @ 25v	-
APTM50DUM38TG	-	RFQ	8709	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)	694W		SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		500 V	90a		45MOHM @ 45A, 10V	5V @ 5mA	246nc @ 10v		11200pf @ 25v	-
Aptm50skm38tg	-	RFQ	9619	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4		MOSFET (Oxyde Métallique)			SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	90a (TC)	10V	45MOHM @ 45A, 10V	5V @ 5mA	246 NC @ 10 V	± 30V	11200 pf @ 25 V	-	694W (TC)
Aptgf90da60t1g	-	RFQ	4419	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP1			416 W	Standard	SP1	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												NPT	600 V	110 A	2,5 V @ 15V, 90A	250 µA	Oui	4.3 NF @ 25 V
Aptgf90ta60pg	-	RFQ	3938	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	SP6			416 W	Standard	SP6-P	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Triphasé												NPT	600 V	110 A	2,5 V @ 15V, 90A	250 µA	Non	4.3 NF @ 25 V
Aptgf90tdu60pg	-	RFQ	5664	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6			416 W	Standard	SP6-P	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Triple, Double - Source Commun												NPT	600 V	110 A	2,5 V @ 15V, 90A	250 µA	Non	4.3 NF @ 25 V
APTGL325SK120D3G	-	RFQ	9835	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3			1500 W	Standard	D3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	420 A	2.2 V @ 15V, 300A	5 mA	Non	18,6 nf @ 25 V
APTGT100DH170G	-	RFQ	3094	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6			560 W	Standard	SP6	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Pont asymétrique												Arête du Champ de Tranché	1700 V	150 A	2,4 V @ 15V, 100A	350 µA	Non	9 nf @ 25 V
Aptgt100sk120tg	-	RFQ	7742	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4			480 W	Standard	SP4	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	140 a	2.1V @ 15V, 100A	250 µA	Oui	7.2 NF @ 25 V
APTGT100SK170D1G	-	RFQ	2745	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	D1			695 W	Standard	D1	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1700 V	200 A	2,4 V @ 15V, 100A	3 mA	Non	8,5 nf @ 25 V
APTGT100TA60PG	-	RFQ	3060	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6			340 W	Standard	SP6-P	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Triphasé												Arête du Champ de Tranché	600 V	150 A	1,9 V @ 15V, 100A	250 µA	Non	6.1 NF @ 25 V
Aptgt150a120d1g	-	RFQ	6590	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	D1			700 W	Standard	D1	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												Arête du Champ de Tranché	1200 V	220 A	2.1V @ 15V, 150A	4 mA	Non	10,8 nf @ 25 V
Aptgt150a60tg	-	RFQ	6702	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4			480 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												Arête du Champ de Tranché	600 V	225 A	1,9 V @ 15V, 150A	250 µA	Oui	9.2 NF @ 25 V
APTGT150DA170D1G	-	RFQ	9497	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	D1			780 W	Standard	D1	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1700 V	280 A	2,4 V @ 15V, 150A	4 mA	Non	13 nf @ 25 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (1315)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²