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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | 1000 MP | - | ![]() | 5789 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Soutenir de châssis | 55FW | 5.3W | 55FW | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10,8 dB | - | 300mA | NPN | 15 @ 100mA, 5V | 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64065 | - | ![]() | 7262 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n7335 | - | ![]() | 8926 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/599 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | MO-036AB | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 P-channel | 100V | 750mA | 1,4 ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5014 | - | ![]() | 3349 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205aa, to-5-3 Métal Peut | 1 W | To-5 | - | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 V | 200 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt15gp60kg | - | ![]() | 3847 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Apt15gp60 | Standard | 250 W | À 220 [k] | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15A, 5OHM, 15V | Pt | 600 V | 56 A | 65 A | 2,7 V @ 15V, 15A | 130 µJ (ON), 121µJ (OFF) | 55 NC | 8ns / 29ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tan500 | - | ![]() | 2261 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55 | 2500W | 55 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9 dB | 75V | 50A | NPN | 20 @ 1A, 5V | 960 MHz ~ 1 215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pp9348 | - | ![]() | 9282 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | En gros | Obsolète | - | Rohs non conforme | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 0912-45 | - | ![]() | 1694 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55CT | 225W | 55CT | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8 dB ~ 9db | 60V | 4.5a | NPN | 10 @ 300mA, 5V | 960 MHz ~ 1 215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5013 | - | ![]() | 5644 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | - | - | - | - | - | Rohs non conforme | Non applicable | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3811 | - | ![]() | 5550 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/336 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-78-6 Metal Can | 2N3811 | 350mw | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50m | 10µA (ICBO) | 2 pnp (double) | 250 mV à 100 µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N4957UB | - | ![]() | 2690 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | 2N4957 | 200 MW | Ub | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 25 dB | 30V | 30m | Pnp | 30 @ 5mA, 10V | - | 3,5 dB à 450 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214-30 | - | ![]() | 5303 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 55AW | 88W | 55AW | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7 dB | 50v | 4A | NPN | 20 @ 500mA, 5V | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N5013 | - | ![]() | 6480 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/727 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 1 W | To-39 (to-205ad) | - | Rohs non conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V | 200 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3811u | - | ![]() | 9759 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/336 | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-78-6 Metal Can | 2N3811 | 350mw | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50m | 10µA (ICBO) | 2 pnp (double) | 250 mV à 100 µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
MRF555T | - | ![]() | 9235 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | Macro de puissance | MRF555 | 3W | Macro de puissance | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 11 dB ~ 12,5 dB | 16V | 500mA | NPN | 50 @ 100mA, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100A602G | - | ![]() | 5237 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | SP2 | 340 W | Standard | SP2 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Demi-pont | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100A | 50 µA | Non | 6.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6764 | - | ![]() | 8585 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204ae | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 38A (TC) | 10V | 65MOHM @ 38A, 10V | 4V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6766 | - | ![]() | 9384 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/543 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204ae | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 30a (TC) | 10V | 90MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N6798 | - | ![]() | 7332 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/557 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205af Métal Peut | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-39 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 5.5A (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800mw (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6798U | - | ![]() | 7447 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PRF-19500/557 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 18-CLCC | MOSFET (Oxyde Métallique) | 18-ULCC (9.14x7.49) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 5.5A (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800mw (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n7227 | - | ![]() | 5528 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PF-19500/592 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 400 V | 14A (TC) | 10V | 415MOHM @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n7228 | - | ![]() | 2126 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MILIRE, MIL-PF-19500/592 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 12A (TC) | 10V | 515MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7227 | - | ![]() | 1365 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 254-3, à 254aa (Tête Droite) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 254aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 400 V | 14A (TC) | 10V | 315MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6762 | - | ![]() | 7331 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-204aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 4,5a, 10v | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6802U | - | ![]() | 4018 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 18-CLCC | MOSFET (Oxyde Métallique) | 18-ULCC (9.14x7.49) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 4.46 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800mw (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT53N60SC6 | - | ![]() | 8765 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D3pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 53A (TC) | 10V | 70MOHM @ 25.8A, 10V | 3,5 V @ 1,72MA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 4020 PF @ 25 V | - | 417W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgt75a1202g | - | ![]() | 9774 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP2 | 357 W | Standard | SP2 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Demi-pont | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 110 A | 2.1V @ 15V, 75A | 50 µA | Non | 5.34 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF445 | - | ![]() | 1771 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tube | Obsolète | - | - | - | - | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF443 | - | ![]() | 9163 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tube | Obsolète | À 247-3 | - | - | À 247ad | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgt75dh60t1g | - | ![]() | 2244 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SP1 | 250 W | Standard | SP1 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Pont asymétrique | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 100 A | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Oui | 4,62 nf @ 25 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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