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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
MS2176	-	RFQ	6523	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	2L-FLG			875W	2L-FLG	télécharger		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			9,5 dB											28v	21.6a		NPN		10 @ 5a, 5v	-	-
MS2348	-	RFQ	9738	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MRF581G	-	RFQ	1701	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	Micro-X Céraque (84C)	MRF581		1.25W	Micro-X Céraque (84C)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	500			13db ~ 15,5 dB											18V	200m		NPN		50 @ 50mA, 5V	5 GHz	3 dB ~ 3,5 dB à 500 MHz
Tpr1000	-	RFQ	5851	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55 kV			2900W	55 kV	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			6 dB											65v	80A		NPN		10 @ 1A, 5V	1,09 GHz	-
Jans2n6251t1	-	RFQ	3696	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/510	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)	2N6251		6 W	À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1														350 V	10 a	1 mA	NPN	1,5 V @ 1,67A, 10A	6 @ 10a, 3v	-
MS2213	-	RFQ	2256	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	250 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M214			75W	M214	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			7,8 dB											55V	3.5a		NPN		15 @ 1A, 5V	960 MHz ~ 1 215 GHz	-
68231h	-	RFQ	7101	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS1000	-	RFQ	7020	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
1214-220m	-	RFQ	6618	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55			700W	55	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			7,4 dB											70V	20A		NPN		10 @ 1A, 5V	1,2 GHz ~ 1,4 GHz	-
MRF586	-	RFQ	8941	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1W	To-39	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			13,5 dB											17V	200m		NPN		40 @ 50mA, 5V	3 GHz	-
Tan150a	-	RFQ	5032	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MRF559	-	RFQ	2633	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Support de surface	Macro-x			2W	Macro-x	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1 000			9,5 dB											16V	150m		NPN		30 @ 50mA, 10V	870 MHz	-
2N3866A	-	RFQ	8199	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1W	To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1			-											30V	400mA		NPN		25 @ 50mA, 5V	400 MHz	-
SRF4427	-	RFQ	3283	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			1,5 w	8-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	2 500			17 dB ~ 18 dB											18V	400mA		NPN		20 @ 150mA, 5V	1,3 GHz	-
MS2554A	-	RFQ	7265	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C	Soutenir de châssis	M216			600W	M216	-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1			6,2 dB											65v	17.8a		NPN		15 @ 1A, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
MRF5812GR1	-	RFQ	5472	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MRF5812		1.25W	8-so	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	500			13db ~ 15,5 dB											15V	200m		NPN		50 @ 50mA, 5V	5 GHz	2DB ~ 3DB @ 500 MHz
MS1402	-	RFQ	1217	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M122			5W	M122	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			10 dB											16V	750mA		NPN		20 @ 100mA, 5V	450 MHz ~ 512 MHz	-
62012T	-	RFQ	9375	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jan2N3960UB	-	RFQ	1666	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/399	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3960		400 MW	Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	100														12 V		10µA (ICBO)	NPN	300 mV @ 3MA, 30mA	60 @ 10mA, 1V	-
ITC1100	-	RFQ	4482	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55SW			3400W	55SW	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			10 dB ~ 10,5 dB											65v	80A		NPN		10 @ 5a, 5v	1,03 GHz	-
APTJC120AM13VCT1AG	-	RFQ	1840	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	Module	Aptjc120	-	-	Module	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	7	-			-	-		-	-	-		-	-
APTC90HM60T3G	-	RFQ	5331	Microsemi Corporation	CoolMos ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc90	MOSFET (Oxyde Métallique)	462W	SP3	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	100	4 N-Canal (Demi-pont)			900 V	59a		60mohm @ 52a, 10v	3,5 V @ 6mA	540nc @ 10v		13600pf @ 100v	Super jonction
Apt55m65jfll	-	RFQ	5770	Microsemi Corporation	Power MOS 7®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		550 V	63a (TC)	10V	65MOHM @ 31,5A, 10V	5V @ 5mA	205 NC @ 10 V	± 30V	9165 PF @ 25 V	-	595W (TC)
MS1509	-	RFQ	7379	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M168			260W	M168	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			5,5 DBI											33v	15A		NPN		20 @ 1MA, 5V	500 MHz	-
2N6766	-	RFQ	9986	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		200 V	30a (TC)	10V	90MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
Jansr2n7269	-	RFQ	4506	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/603	Plateau	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 254aa	télécharger		Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		200 V	26A (TC)	12V	110MOHM @ 26A, 12V	4V @ 1MA	170 NC @ 12 V	± 20V		-	150W (TC)
MS1336	-	RFQ	6180	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	200 ° C (TJ)	Châssis, montage	M135			70W	M135	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			10 dB											18V	8a		NPN		20 @ 250mA, 5V	175 MHz	-
64065	-	RFQ	7262	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
60180	-	RFQ	8885	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète								-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
1000 MP	-	RFQ	5789	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète	-	Soutenir de châssis	55FW			5.3W	55FW	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1			10,8 dB											-	300mA		NPN		15 @ 100mA, 5V	1,15 GHz	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

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