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Transistors (1315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Évaluation Actullelle (AMPS)	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
MSC1175M	-	RFQ	1033	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		250 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M218				400W		M218	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1				8 dB										65v	12A						NPN		15 @ 1A, 5V	1 025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APTGT100DA170D1G	-	RFQ	5133	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	D1				695 W	Standard	D1	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1700 V	200 A	2,4 V @ 15V, 100A		3 mA	Non	8,5 nf @ 25 V
Aptgt50dsk60t3g	-	RFQ	3355	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3				176 W	Standard	SP3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Hopper à double mâle												Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	1,9 V @ 15V, 50A		250 µA	Oui	3,15 nf @ 25 V
2N3960	-	RFQ	2949	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N3960			400 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	100														12 V				10µA (ICBO)			NPN	300 mV @ 3MA, 30mA	60 @ 10mA, 1V	-
MRF559G	-	RFQ	8209	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Support de surface	Micro-X Céraque (84C)				2W		Micro-X Céraque (84C)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	500				9,5 dB										16V	150m						NPN		30 @ 50mA, 10V	870 MHz	-
61045	-	RFQ	7703	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N5012S	-	RFQ	5149	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1														700 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN	1,6 V @ 5mA, 25mA	30 @ 25mA, 10V	-
APTM50AM19STG	-	RFQ	6793	Microsemi Corporation	-	En gros	Abandonné à sic		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM50		Carbure de silicium (sic)	1250W		SP4	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)				500 V	170a	19MOHM @ 85A, 10V	5V @ 10mA	492nc @ 10v	22400pf @ 25v	-
C25-28A	-	RFQ	1909	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
APTM20DHM10G	-	RFQ	1853	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM20		MOSFET (Oxyde Métallique)	694W		SP6	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 canal n (double) asymétrique				200 V	175a	12MOHM @ 87.5A, 10V	5V @ 5mA	224nc @ 10v	13700pf @ 25v	-
48042	-	RFQ	5753	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
SD1330-06H	-	RFQ	5342	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS2214	-	RFQ	1053	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		250 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M218				300W		M218	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1				7,5 dB										55V	8a						NPN		20 @ 2A, 5V	960 MHz ~ 1 215 GHz	-
MSC74070	-	RFQ	5459	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jan2N5012	-	RFQ	6568	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1														700 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN		30 @ 25mA, 10V	-
MS2473A	-	RFQ	5741	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MPA201HS	-	RFQ	9626	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
APTGF25A120T1G	-	RFQ	9431	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Soutenir de châssis	SP1				208 W	Standard	SP1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												NPT	1200 V	40 A	3,7 V @ 15V, 25A		250 µA	Oui	1,65 nf @ 25 V
MSC750SMA120B	-	RFQ	5495	Microsemi Corporation	*	En gros	Actif					MSC750						-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté			1
SD1536-01	-	RFQ	9546	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète					SD1536						-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
2N5013S	-	RFQ	6071	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1														800 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN	1,6 V @ 5mA, 20mA	30 @ 20mA, 10V	-
80263b	-	RFQ	5604	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète											-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
62089	-	RFQ	9600	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
ARF447G	-	RFQ	7675	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	900 V			À 247-3	ARF447	40,68 MHz	Mosfet			À 247	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1	Canal n	6.5a	140w	15 dB								-					250 V
Jantx2n5013	-	RFQ	3156	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1														800 V	200 mA			10NA (ICBO)			NPN		30 @ 20mA, 10V	-
TPR1000A	-	RFQ	2464	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C	Soutenir de châssis	55 kV				2900W		55 kV	-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1				6 dB										65v	80A						-		10 @ 1A, 5V	1,09 GHz	-
Jantx2n2857ub	-	RFQ	1844	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				200 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1				21 dB										15V	40m						NPN		30 @ 3MA, 1V	-	4,5 dB à 450 MHz
Jantxv2n2857ub	-	RFQ	2967	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				200 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	100				21 dB										15V	40m						NPN		30 @ 3MA, 1V	-	4,5 dB à 450 MHz
MRF4427GR2	-	RFQ	9935	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				1,5 w		8-so	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	2 500				20 dB										20V	400mA						NPN		10 @ 10mA, 5V	-	-
64042	-	RFQ	1124	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète											-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1

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2800+
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