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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | Fqpf7n10l | 0,2700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 5.5A (TC) | 5v, 10v | 350 mOhm @ 2 75a, 10v | 2V à 250µA | 6 NC @ 5 V | ± 20V | 290 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N30 | 0,7500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 300 V | 6A (TC) | 10V | 450mohm @ 3a, 10v | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 740 PF @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQB20N06TM | 0,3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FSB660 | 0,0900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 350 MV @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 2V | 75 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7066ASN3 | 1.1900 | ![]() | 623 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 19A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 19A, 10V | 3V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 2460 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75333P3 | 0,8200 | ![]() | 139 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16MOHM @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | MPS6518 | - | ![]() | 6828 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 365 | 40 V | 200 mA | 500NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 5mA, 50mA | 150 @ 2MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088SN3 | 1.4100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05SM | 0,6600 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 50 V | 16A (TC) | 10V | 47MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 20 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQA35N40 | 4.4800 | ![]() | 197 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 400 V | 35A (TC) | 10V | 105MOHM @ 17,5A, 10V | 5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDS6688 | 1.0700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 5 V | ± 20V | 3888 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | KSA1015OBU | 0,0900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2MA, 6V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP14N15 | 1 0000 | ![]() | 8339 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 150 V | 14.4a (TC) | 10V | 210MOHM @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 25V | 715 PF @ 25 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | KSC2316OTA | 1 0000 | ![]() | 9768 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | 900 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 120 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx3013rtf | 1 0000 | ![]() | 6190 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | FJX301 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 2,2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329S3 | 0,3300 | ![]() | 1516 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 49a (TC) | 10V | 24MOHM @ 49A, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDP2670 | 1.5900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 200 V | 19A (TA) | 10V | 130 mohm @ 10a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1320 pf @ 100 V | - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Fdmb506p | 0,6600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP, microfet (3x1,9) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6.8A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 30MOHM @ 6.8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 8v | 2960 pf @ 10 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDZ493P | 0 2900 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-WFBGA | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-BGA (1 55x1,55) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 46MOHM @ 4.6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | 754 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | Fdq7238as | 0,8300 | ![]() | 643 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Fdq72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.3W, 1.1W | 14-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 14a, 11a | 13.2MOHM @ 11A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 10V | 920pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
![]() | Fqu4n25TU | 0 4600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal n | 250 V | 3A (TC) | 10V | 1,75 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDU8882 | 0,5100 | ![]() | 9933 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 518 | Canal n | 30 V | 12.6A (TA), 55A (TC) | 4,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1 0000 | ![]() | 5723 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 500 mA | 30na (ICBO) | NPN | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB15P12TM | - | ![]() | 4778 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 120 V | 15A (TC) | 10V | 200 mohm @ 7,5a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Hgt1s14n36g3vlt | 1.5400 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Logique | 100 W | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300 V, 7A, 25OHM, 5V | - | 390 V | 18 a | 2.2V @ 5V, 14A | - | 24 NC | - / 7µs | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fjaf6810atu | - | ![]() | 4768 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | 60 W | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 750 V | 10 a | 1 mA | NPN | 3V @ 1.5A, 6A | 5 @ 6a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF4N60 | 0,7000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 2.6a (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 1,3a, 10v | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 670 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76423D3ST | 0,3300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 16V | 1060 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQAF11N90 | - | ![]() | 5826 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 900 V | 7.2a (TC) | 10V | 960mohm @ 3,6a, 10v | 5V @ 250µA | 94 NC @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N80 | 1 0000 | ![]() | 9416 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 4.8A (TC) | 10V | 2,6 ohm @ 2,4a, 10v | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1250 pf @ 25 V | - | 140W (TC) |
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